Submitted by JOSIANE SANTOS DE OLIVEIRA (josianeso) on 2017-05-25T12:10:45Z No. of bitstreams: 1 Elcio Kondo_.pdf: 2605139 bytes, checksum: bc6eb6e69a381723f69fbce90af22fab (MD5) / Made available in DSpace on 2017-05-25T12:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Elcio Kondo_.pdf: 2605139 bytes, checksum: bc6eb6e69a381723f69fbce90af22fab (MD5) Previous issue date: 2017-01-11 / Nenhuma / Atualmente vários equipamentos eletrônicos são equipados com memórias NAND Flash para armazenar dados. Essas memórias são controladas através de um circuito integrado com um controlador de memória, que internamente possui um sistema para garantir a integridade das informações armazenadas, os quais são conhecidos por Error Correction Codes (ECC). Os ECCs são códigos capazes de detectar e corrigir erros através de bits redundantes adicionados à informação. Normalmente, os códigos ECC são implementados em hardware dentro do controlador de memória NAND Flash. Neste trabalho comparou-se alguns códigos de ECC utilizados pela indústria, para as comparações utilizou-se os códigos ECC: Hamming, BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) e Reed- Solomon. Sistematicamente realizou-se comparações entre os ECCs selecionados e escolheu-se os dois mais apropriados (BCH e Hamming), os quais foram implementados em linguagem VHDL, o que possibilitou identificar o código com melhor vantagem econômica no uso em memórias NAND Flash. / Nowadays several electronic equipment are using NAND Flash memories to store data. These memories are controlled by an integrated circuit with an memory controller embedded that internally has a system to ensure the integrity of the stored information, that are known as Error Correction Codes (ECC). The ECCs are codes that can detect and correct errors by redundant bits added to information. Usually the ECC codes are implemented on NAND Flash memory controller as a hardware block. On this text ECC codes used by industry, the Hamming code, BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) and Reed-solomon codes were compared.Systemically compare between selected ECCs were done and selected two codes (BCH and Hamming), which were described in VHDL language and allowed to identify the best code with better economical advantage for NAND Flash memories.

Submitted by JOSIANE SANTOS DE OLIVEIRA (josianeso) on 2018-09-21T17:00:26Z No. of bitstreams: 1 Guilherme Ferreira Lopes_.pdf: 4084198 bytes, checksum: ddd09816e33c4ef8fac72a3f74fcc9d5 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-09-21T17:00:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guilherme Ferreira Lopes_.pdf: 4084198 bytes, checksum: ddd09816e33c4ef8fac72a3f74fcc9d5 (MD5) Previous issue date: 2018-05-28 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A memória NAND Flash lidera o mercado de memórias não voláteis por prover soluções para aplicações móveis, juntando alta densidade de armazenamento em uma área de silício muito pequena e consumindo pouca energia (RICHTER, 2014). Devido à mecanismos específicos para a realização de operações na memória, elas se tornam suscetíveis à falhas funcionais de interferências, assim aumentando a importância do teste(HOU; LI, 2014). Esta dissertação apresenta o projeto de um modelo funcional de memória NAND Flash com inserção de falhas caracterizadas em 2 etapas, a primeira etapa ocorreu utilizando a ferramenta LogisimTM, projetada para desenvolver e simular circuitos lógicos de forma que possam ser apresentados visualmente, a segunda etapa consistiu no desenvolvimento também de forma modular e escalar em linguagem de descrição de hardware (VHDL). As 2 ferramentas possuem a implementação de um circuito de injeção de falhas, capaz de simular e aplicar falhas funcionais de interferência e stuck-at na memória desenvolvida. Com base no modelo comercial de memórias NAND Flash, o trabalho visa desenvolver os circuitos presentes na memória, respeitando a organização dos sinais e a organização das células em páginas e blocos, sendo uma característica específica para memórias NAND Flash. Após o desenvolvimento do modelo funcional, ocorreu a primeira etapa de verificação e validação da memória, composta pela varredura de endereços, criação e comparação dos valores esperados com valores de saída e utilização de algoritmos de teste para a validação final, finalizando o projeto com a verificação e validação de cada falha injetada para que assim tenha-se um modelo funcional de uma memória NAND Flash capaz de inserir uma determinada falha na posição exata da matriz de memória. Após a modelagem realizou-se simulações para avaliar aplicabilidade do projeto desenvolvido e os resultados mostram o atingimento de 100% de cobertura das falhas desenvolvidas, chegando ao objetivo de criar um modelo funcional para possibilitar a inserção de falhas foi atingido.