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FEM simulation of residual stresses of thin films for applications in MEMSMacavilca Román, José Carlos 19 June 2017 (has links)
In MEMS sensors, such as resonators based on cantilever and doubly-clamped beams, the presence of residual stresses in the thin films disrupt their mechanical properties or eigenfrequencies and, in some cases, can destroy the structure. This thesis aims to simulate the residual stresses in wafers composed of thin films deposited over a substrate. The simulations were conducted with ANSYS Workbench R17.2, a finiteelement-method software. This work considered static simulations with a single-layer wafer geometry, since it is a first approach to the simulation of residual stresses. With the purpose of achieving
that, three simulation types were performed. Simulation 1 applied the thermal loads as heating and cooling steps to a quadrant model. Simulation 2 added the birth and death technique with the purpose of representing the deposition of the thin film. Besides, it was split under the geometric model as flat axisymmetric section, curved axisymmetric section, i.e. with the initial curvature of the wafer, and curved quadrant model. On the other hand, simulation 3 generated the residual stresses by the activation of the
contact between the thin film and the silicon dioxide layer, used as diffusive barrier. The simulation results were compared to calculated values from measurements performed by the methods of wafer curvature and X-ray diffraction. The comparison showed that the curved quadrant model allowed obtaining residual stresses and deflections closer to the calculated ones. In addition, the curved axisymmetric models allowed visualizing the residual stresses distribution in the layers and the substrate.
Thus, the birth and death technique was useful to simulate the deposition of the thin film. The considerations described in this work can be used as input data for more complex simulations based on MEMS structures / Tesis
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Sistema automatizado de molienda para la minería artesanalMorales Nuñez, Renzo Ruben 18 January 2016 (has links)
En la actualidad, el desarrollo de la minería artesanal en las diversas partes del país está dividida en la minería que se desarrolla informalmente, a espaldas del estado
peruano, y la minería formal artesanal, que se desarrolla bajo las leyes y con una
serie de beneficios que se otorga.
Existen diversos esfuerzos por parte del gobierno para cambiar poco a poco la cara
de la minería artesanal, como la ley de formalización de la minería artesanal informal,
o el proyecto GAMA, que significa Proyecto de Gestión Ambiental en la Minería
Artesanal, y se desarrolla conjuntamente entre los países de Suiza y Perú.
Los problemas que se han detectado en cuanto al desarrollo a la minería artesanal
van ligados al tema social, económico, ambiental y tecnológico, en lo que respecta
al problema ambiental están relacionado al excesivo desperdicio de mercurio por
nombrar uno, y en lo que se refiere a los problemas tecnológicos básicamente se
refiere a como realizan sus operaciones, lo simple de las técnicas o prácticas
empleadas por los mineros artesanales en sus actividades de extracción y la
satisfacción que encuentran con los resultados obtenidos, reflejan una actitud
conformista y conservadora de los métodos de explotación que emplean. Actitud
conservadora que se refuerza con el desconocimiento de alternativas técnicas y la
desconfianza que les genera tecnologías ajenas, cuando estas tecnologías no le
permiten el control directo sobre el producto de su trabajo individual o resultan poco
transparentes para ellos; por ejemplo, retortas y plantas de procesamiento de
mineral.
La ingeniería puede jugar un rol dentro del proceso de formalización minera,
facilitando soluciones tecnológicas, simples y transparentes. En ese sentido, el
presente trabajo involucra el diseño de un sistema automatizado de molienda, con
características particulares que satisfacen los requerimientos de la minería artesanal.
Se ha elegido el proceso de molienda, pues es uno de los más importantes, cuyo
resultado afecta directamente la recuperación del material.
En el capítulo 1 se presenta la problemática que gira en cuanto al desarrollo de la
minería artesanal. En el capítulo 2 se explican los requerimientos que tiene que
cumplir el sistema mecatronico diseñado, así como también el concepto de solución
a la problemática planteada. En el capítulo 3, se especifican los sensores y
actuadores del sistema de molienda, además, se detallan los planos de ensamble y
despiece del sistema de molienda y por último se presentan los diagramas de control
que hacen posible el funcionamiento del sistema diseñado. En el capítulo 4 se
presentan los costos del sistema electrónico, del sistema de potencia y de los
elementos mecánicos. En el capítulo 5 pertenece a las conclusiones del sistema
diseñado para solucionar la problemática planteada. / Tesis
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Sistema automatizado de molienda para la minería artesanalMorales Nuñez, Renzo Ruben 18 January 2016 (has links)
En la actualidad, el desarrollo de la minería artesanal en las diversas partes del país está dividida en la minería que se desarrolla informalmente, a espaldas del estado
peruano, y la minería formal artesanal, que se desarrolla bajo las leyes y con una
serie de beneficios que se otorga.
Existen diversos esfuerzos por parte del gobierno para cambiar poco a poco la cara
de la minería artesanal, como la ley de formalización de la minería artesanal informal,
o el proyecto GAMA, que significa Proyecto de Gestión Ambiental en la Minería
Artesanal, y se desarrolla conjuntamente entre los países de Suiza y Perú.
Los problemas que se han detectado en cuanto al desarrollo a la minería artesanal
van ligados al tema social, económico, ambiental y tecnológico, en lo que respecta
al problema ambiental están relacionado al excesivo desperdicio de mercurio por
nombrar uno, y en lo que se refiere a los problemas tecnológicos básicamente se
refiere a como realizan sus operaciones, lo simple de las técnicas o prácticas
empleadas por los mineros artesanales en sus actividades de extracción y la
satisfacción que encuentran con los resultados obtenidos, reflejan una actitud
conformista y conservadora de los métodos de explotación que emplean. Actitud
conservadora que se refuerza con el desconocimiento de alternativas técnicas y la
desconfianza que les genera tecnologías ajenas, cuando estas tecnologías no le
permiten el control directo sobre el producto de su trabajo individual o resultan poco
transparentes para ellos; por ejemplo, retortas y plantas de procesamiento de
mineral.
La ingeniería puede jugar un rol dentro del proceso de formalización minera,
facilitando soluciones tecnológicas, simples y transparentes. En ese sentido, el
presente trabajo involucra el diseño de un sistema automatizado de molienda, con
características particulares que satisfacen los requerimientos de la minería artesanal.
Se ha elegido el proceso de molienda, pues es uno de los más importantes, cuyo
resultado afecta directamente la recuperación del material.
En el capítulo 1 se presenta la problemática que gira en cuanto al desarrollo de la
minería artesanal. En el capítulo 2 se explican los requerimientos que tiene que
cumplir el sistema mecatronico diseñado, así como también el concepto de solución
a la problemática planteada. En el capítulo 3, se especifican los sensores y
actuadores del sistema de molienda, además, se detallan los planos de ensamble y
despiece del sistema de molienda y por último se presentan los diagramas de control
que hacen posible el funcionamiento del sistema diseñado. En el capítulo 4 se
presentan los costos del sistema electrónico, del sistema de potencia y de los
elementos mecánicos. En el capítulo 5 pertenece a las conclusiones del sistema
diseñado para solucionar la problemática planteada.
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FEM simulation of residual stresses of thin films for applications in MEMSMacavilca Román, José Carlos 19 June 2017 (has links)
In MEMS sensors, such as resonators based on cantilever and doubly-clamped beams, the presence of residual stresses in the thin films disrupt their mechanical properties or eigenfrequencies and, in some cases, can destroy the structure. This thesis aims to simulate the residual stresses in wafers composed of thin films deposited over a substrate. The simulations were conducted with ANSYS Workbench R17.2, a finiteelement-method software. This work considered static simulations with a single-layer wafer geometry, since it is a first approach to the simulation of residual stresses. With the purpose of achieving
that, three simulation types were performed. Simulation 1 applied the thermal loads as heating and cooling steps to a quadrant model. Simulation 2 added the birth and death technique with the purpose of representing the deposition of the thin film. Besides, it was split under the geometric model as flat axisymmetric section, curved axisymmetric section, i.e. with the initial curvature of the wafer, and curved quadrant model. On the other hand, simulation 3 generated the residual stresses by the activation of the
contact between the thin film and the silicon dioxide layer, used as diffusive barrier. The simulation results were compared to calculated values from measurements performed by the methods of wafer curvature and X-ray diffraction. The comparison showed that the curved quadrant model allowed obtaining residual stresses and deflections closer to the calculated ones. In addition, the curved axisymmetric models allowed visualizing the residual stresses distribution in the layers and the substrate.
Thus, the birth and death technique was useful to simulate the deposition of the thin film. The considerations described in this work can be used as input data for more complex simulations based on MEMS structures / Tesis
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Synthesis, tribology, electro-tribology and mechanical performance of ti2alc and ti3alc2 max phases thin filmsQuispe Dominguez, Roger 26 January 2023 (has links)
This thesis investigates the synthesis, mechanical properties, tribological and electro-tribological
behavior of Ti2AlC and Ti3AlC2 MAX phases in the form of thin films. The thin films were obtained by
deposition of a multilayer system of Titanium (Ti) - Aluminum (Al) - Carbon (C) and subsequent thermal
annealing in a vacuum and controlled atmosphere. The Ti-Al-C multilayer system was deposited by
magnetron sputtering on silicon substrates with a SiO2 and SixNy double-layer diffusion barrier. The
stoichiometric of the film was controlled through the thickness of the individual monolayers. To obtain a
500 nm thick film, the Ti-Al-C sequence was repeated 22 times with individual thicknesses of 14, 6 and
3.5 nm, respectively. The experimental results show that the Ti2AlC phase is formed at a temperature of
700°C, while the Ti3AlC2 phase is formed at 950°C. The structural properties of the thin films were
characterized by X-ray diffraction, Raman microscopy and glow discharge optical emission spectroscopy
(GD-OES). The hardness of the thin films was analyzed by nanoindentation tests, obtaining hardness
values of 11.6 and 5.3 GPa for Ti2AlC and Ti3AlC2, respectively. The tribological behavior of the thin films
was analyzed under dry sliding conditions using a ball-on-flat reciprocating tribometer. The counter body
consisted of AISI 52100 steel balls of 3 mm diameter. The friction coefficients obtained were in the range
of 0.21 - 0.2 and 0.6 - 0.91 for the Ti2AlC and Ti3AlC2 thin films, respectively. The Ti2AlC phase has a
better tribological performance, which can be attributed to its smaller grain size, lower surface roughness
and higher hardness compared to the Ti3AlC2 phase. The electrical resistivity of the thin films was 0.73
and 0.45 μΩ·m for Ti2AlC and Ti3AlC2, respectively. The electro-tribological test was carried out using a
ball-on-flat reciprocating tribometer under electrical currents of 10, 50 and 100 mA. The coefficient of
friction and the electrical contact resistance were measured simultaneously in the same test. The results
show that the coefficient of friction and electrical contact resistance could be related to thin-film properties
such as hardness, roughness, grain size, and resistivity. These results of the electro-tribological behavior
of the films provide valuable information for possible applications such as sliding electrical contacts. / La presente tesis investiga la síntesis, propiedades mecánicas, comportamiento tribológico y electrotribológico
de Ti2AlC y Ti3AlC2 fases MAX en forma de películas delgadas. Las películas delgadas se
obtuvieron mediante deposición de un sistema de multicapas de Titanio (Ti) - Aluminio (Al) – Carbono
(C) y un posterior tratamiento térmico en vacío y atmosfera controlada. El sistema de multicapa de Ti-
Al-C fue depositado mediante pulverización catódica sobre sustratos de silicio con una barrera de
difusión de doble capa de SiO2 y SixNy. La estequiométrica de la película se controló a través del espesor
de las monocapas individuales. Para obtener una película de 500 nm de espesor, se repitió 22 veces la
secuencia de Ti-Al-C con espesores individuales de 14, 6 y 3.5 nm, respectivamente. Los resultados
experimentales muestran que la fase Ti2AlC se forma a una temperatura de 700°C, mientras que la fase
Ti3AlC2 se forma a 950°C. Las propiedades estructurales de las películas delgadas fueron caracterizadas
mediante difracción de rayos X, microscopia Raman y espectroscopia de emisión óptica de descarga
luminiscente (GD-OES). La dureza de las películas delgadas fue analizada mediante ensayos de
nanoindentacion, obteniéndose valores de dureza de 11.6 y 5.3 GPa para Ti2AlC y Ti3AlC2,
respectivamente. El comportamiento tribológico de las películas fue analizado bajo condiciones de
deslizamiento en seco mediante el tribómetro reciprocante ball-on-flat. El contra material utilizado
consiste en bolas de acero AISI 52100 de 3 mm de diámetro. Los coeficientes de fricción obtenidos están
en el rango de 0.21 - 0.2 y 0.6 - 0.91 para las películas delgadas de Ti2AlC y Ti3AlC2, respectivamente.
La fase Ti2AlC tiene un mejor comportamiento tribológico y esto se puede atribuir a su menor tamaño de
grano, menor rugosidad superficial y mayor dureza en comparación con la fase Ti3AlC2. La resistividad
eléctrica de las películas delgadas fue de 0.73 y 0.45 μΩ·m para Ti2AlC y Ti3AlC2, respectivamente. El
ensayo electro-tribológico se llevó a cabo utilizando un tribómetro reciprocante ball-on-flat bajo corrientes
eléctricas de 10, 50 y 100 mA. El coeficiente de fricción y la resistencia de contacto eléctrico se midieron
simultáneamente en una misma prueba. Los resultados muestran que el coeficiente de fricción y la
resistencia de contacto eléctrico podrían estar relacionados con las propiedades de película delgada
como dureza, rugosidad, tamaño de grano y resistividad. Estos resultados del comportamiento electrotribológico
de las películas proporcionan información valiosa para posibles aplicaciones como contactos
eléctricos deslizantes.
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