Cette thèse se situe dans le domaine de la microélectronique à haute température, et concerne particulièrement les applications industrielles à bas coût et grand volume de production. A partirde l'étude de la physique des composants semiconducteurs et des<br />matériaux pour la microélectronique, cette thèse élargit jusqu'à environ 250C la plage de température d'utilisation des technologies CMOS et BiCMOS standards, sur substrat de silicium, à travers des techniques de conception de circuits intégrés, sans toutefois modifier les procédés de fabrication. Les études et les tests ont été expérimentés sur une technologie CMOS et une technologie BiCMOS commerciales. Deux applications industrielles, représentatives du marché potentiel des applications des circuits intégrés à haute température, ont permis de vérifier dans la pratique les résultats théoriques obtenus.