La fabrication de modulateurs electroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsP ou D'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVPE) nécessite l'optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes (> 5mum) et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l'InP de confinement dopé Fer (résistivité>10 puissance 8 ohm.cm) pour atteindre le débit de 40 GBits/s et de l'interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l'ajout de Tertio-Butyle de Chlore (TBCl ou (CH3)3CCl) au cours de la croissance par MOVPE.

Les polymères électro-optiques devraient permettre de réaliser à terme des modulateurs de meilleures performances au moindre coût que ceux à base des cristaux inorganiques comme LiNbO3 et des semi-conducteurs comme GaAs. Cette thèse porte sur la conception de la structure optique et hyperfréquence d'un modulateur Mach-Zehnder sur polymère, en vue de démontrer la faisabilité de sa réalisation à base du polymère électro-optique PIII (PGMA/DR1). L'étude de la structure optique à l'aide du logiciel OptiBPM a permis d'abord de dimensionner la section droite du guide d'onde monomode avec un fort taux de confinement, afin de minimiser l'absorption de l'onde évanescente par l'électrode métallique et la tension de commande du modulateur. L'étude des jonctions Y a abouti à un compromis entre les pertes par absorption du polymère PIII et celles par courbure, tout en respectant la distance minimum requise entre les deux bras de l'interféromètre Mach-Zehnder permettant d'éviter que le champ appliqué à un bras ne déborde sur l'autre. Afin de réduire le coût de fabrication des modulateurs et de faciliter leur caractérisation sur wafer avec des pointes CPW, nous avons étudié des transitions coplanaire et microruban très large bande sans via-holes ni motif dans le plan de masse. Les résultats de mesures et de simulations effectuées à l'aide du logiciel HFSS sont en très bon accord pour les transitions aussi bien sur le substrat commercial NH9338 que sur le polymère SU8 en couche mince de 8 µm. Les simulations prévoient une bande passante de 420 MHz à 60 GHz pour une transition GCPW-MS-GCPW sur le polymère NOA61 en couche mince avec une métallisation d'argent de 6 µm.