Made available in DSpace on 2014-06-12T17:41:06Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8972_1.pdf: 8899967 bytes, checksum: 52c9ca9c9a6d1c5bc0fa2bbf2a62cebe (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2011 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O desenvolvimento da indústria de dispositivos eletrônicos de potência observado nas últimas décadas beneficiou a proliferação de cargas não lineares, tais como forno elétrico, fontes de alimentação chaveada, reguladores de tensão e retificadores. Essas cargas não lineares absorvem correntes distorcidas e dessa maneira "poluem"a rede elétrica com harmônicos. A circulação de harmônicos nos sistemas de potência representa um grande problema na qualidade de energia elétrica. Esses harmônicos distorcem as tensões de alimentação, aumentam as perdas nos sistemas elétricos e podem provocar problemas de ressonâncias e mau funcionamento de vários equipamentos eletroeletrônicos. Os prejuízos econômicos provocados por harmônicos são enormes e a questão da qualidade de energia elétrica entregue aos consumidores finais é motivo de grande preocupação. Essa dissertação aborda o inversor de três níveis com função de filtro ativo paralelo. O princípio de funcionamento do filtro, a técnica de modulação escolhida, as correntes na saída do inversor e o controle da tensão no ponto central dos capacitores são discutidos nessa dissertação. Também são apresentadas duas técnicas para obter as correntes de referência de controle do filtro, sendo feitas comparações por simulação. Além disso, é realizado um estudo comparativo das técnicas de controle de corrente para o filtro ativo paralelo trifásico. A comparação é feita em termos de conteúdo harmônico, esforço computacional e dificuldade de implementação

\"Chovia desde o dia 16, aumentando a intensidade das chuvas a partir das 18 horas do dia 17. As primeiras barreiras começaram a ceder nas primeiras horas da manhã do dia 18 e, às 13 horas, mobilizou-se a totalidade da avalanche\" - (CRUZ, 1974). A descrição do cenário catastrófico no Município de Caraguatatuba, no mês de Março de 1967, que resultou em um dos maiores desastres naturais ocorridos no Brasil (*), fomenta a discussão sobre as probabilidades de ocorrência de eventos pluviométricos e/ou elevações do nível do mar nas Zonas Costeiras. Diante dessa realidade, surgiu essa Dissertação, que abordou aspectos hidrológicos, hidráulicos marítimos e, estatísticos, baseados em dados pretéritos de pluviômetros e marégrafos da região do Litoral Norte do Estado de São Paulo. Foram obtidos resultados práticos para futuros projetos de macro-drenagem, obras fluviais e marítimas, que associam a probabilidade de ocorrência conjugada de determinadas chuvas, com correspondentes elevações dos níveis de maré. Também foram realizados estudos da evolução desses eventos conjugados, ao longo de sessenta anos. - (*) De acordo com informações de Cruz (1974), 436 mortes foram registradas oficialmente, 400 casas destruídas, 3.000 desabrigados numa população total de 15.000 habitantes. Foram formados depósitos de 4 m a 5 m de altura no Rio Santo Antônio com blocos entre 30 t e 100 t. / \"It was raining since March 16th, increasing the intensity of the rainfall at 6:00 pm on March 17th. The first slopes started to sag in the first hours of March 18th, at 1:00 pm, occurred all the debris-flow\" - (translated from CRUZ, 1974). The catastrophic scenario of the city of Caraguatatuba, in March of 1967, previously described, resulted from one of the most serious natural disasters in Brazil. It fosters discussions about probabilities of rainfall events and /or rise in the sea level in coastal areas. Hence, this research is a consequence of this reality, which approached hydrological, hydraulic and statistical areas, based on past data of rainfall stations and tidal stations in the region of the North Coastal Zone of the State of São Paulo (Brazil). Practical results were used for future designs of macro- drainage, fluvial and maritime projects, that associate the probability of occurrence of certain types of rainfall coupled with their corresponding increase in tidal levels. There were also evaluated studies of the evolution of these events combined over sixty years.

O esquema de decaimento beta do 100.ANTPOT Rh foi estudado a partir de medidas de espectroscopia gama simples e coincidência gama-gama. Foram observadas e atribuídas ao decaimento beta do 100.ANTPOT Rh 132 transições gama, das quais 68 pela primeira vez. Um número de 32 estados excitados do 100.ANTPOT Rh foram observados sendo que os de energia 2512 keV, 2536 keV, 2543 keV, 2569 keV, 2666 keV, 2745 keV, 2774 keV, 2801 keV e 3072 keV pela primeira vez a partir do decaimento do 100.ANTPOT Rh. Os valores de spin e paridade de vários estados foram propostos com base nas transições observadas nos valores de log(ft) obtidos e nas informações de trabalho anteriores. A meia-vida do decaimento do 100.ANTPOT Rh também foi medida e o valor obtido foi de 20,2(1) h. Um tratamento estatístico levando em conta a covariância foi utilizado no cálculo das energias das transições gama e dos níveis, das intensidades de transição gama e de alimentação beta. Os estados excitados experimentais para o 100.ANTPOT Rh foram comparados com os obtidos do modelo de bósons interatuantes. Observou-se que este modelo, no limite algébrico SU(5) (correspondendo a um vibrador do modelo geométrico) com a inclusão da interação de 3 bósons (relacionada com deformação triaxial), produz um esquema de níveis bastante compatível com o esquema experimental. / The beta decay scheme of 100.ANTPOT Rh has been studied through simple gamma spectroscopy and gamma-gamma spectroscopy. With these two measurements, 132 gamma transitions have been observed and scribed to the 100.ANTPOT Rh decay, 68 of them for the first time. A number of 32 excited states of 100.ANTPOT Rh have been observed and some of them for the first time in the beta decay of 100.ANTPOT Rh (2512 keV, 2536 keV, 2543 keV, 2569 keV, 2666 keV, 2745 keV, 2774 keV, 2801 keV, and 3072 keV). A 20.2h half lofe for the beta decay of 100.ANTPOT Rh has been measured and spin and parity values for several states have been proposed, taking into account the observed transitions, the calculated log(ft) values and the beta intensities. A covariant statistical treatment has been used to calculate gamma transitions energies and intensities, level energies and beta feeding intensities. The experimental excited states of 100.ANTPOT Rh have been compared with those obtained from the interacting boson model. The algebraic SU(5) limit of this model (that correspond to an oscillator in the geometrical model), with the inclusion of 3 boson interaction (related with triaxial deformation), produces a level scheme in good agreement with experimental data.

Com o objetivo de reconhecer as conceituações fundamentais da Integração Docente-Assistencial, da regionalização e da hierarquização dos serviços de saúde que estão interrelacionados, pesquisou-se a literatura pertinente, não só aquela que abordasse teoricamente o assunto, mas também a que relacionasse as experiências já desenvolvidas. O reconhecimento da experiência do Projeto Cotia, que desenvolve os três aspectos acima mencionados, foi efetuado tendo por base dados disponíveis e, principalmente os depoimentos dos que vivem o dia a dia desse trabalho. Os dados significativos coletados foram analisados à luz dos conhecimentos adquiridos através da literatura e das opiniões expressas, frutos da reflexão, do conjunto de pessoas envolvidas no trabalho do Projeto Cotia. O aspecto conceitual dos assuntos apresenta uma lógica consolidada, já comprovada em algumas experiências; a sua operacionalização porém, apresenta dificuldades peculiares. Estas foram consideradas na descrição e análise da reprodutibilidade do modelo, que já é fato concreto na Região Metropolitana de São Paulo. / In order to recognize: the fundamental concepts of the Articulation of Teaching and Service (ATS), the regionalization and the hierarchization of health services,that are interre1ated, the pertinent literature was examined, not only that related to theoretical matters but the one related to the already implemented experiences as well. The recognition of Cotia Project experience, which develops the three above mentioned aspects was done taking as a basis the available data, and mainJy the testimony of the people involved in that work. The significant col Jected data were analyzed through the knowledge acquired by literature and statements expressed by people involved in the Project. The conceptual aspect of the subject presents a consolidated logic, already confirmed in some experiences; its operation, however, presents some peculiar difficulties that were considered in the description and analysis of the model reproducibility, a concrete event in the Metropolitan Region of São Paulo.

O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistência destas estruturas com a dose de prótons irradiada, tanto para amostras tipo-n quanto para tipo-p, revelaram comportamentos qualitativamente semelhantes para os transportes eletrônicos paralelo e perpendicular às heterojunções. O mesmo valor de dose de limiar para isolação pode ser usado em ambos os casos. A estabilidade térmica da isolação de camadas DBR é estimada em ~150oC. O uso de um modelo simples de conservação de carga é sugerido para a simulação do processo de isolação por implantação em semicondutores, empregando como entrada a distribuição de níveis introduzidos pela irradiação. A comparação dos resultados dessa simulação com dados experimentais para o caso específico do GaAs revela que os modelos de defeitos previamente associados a antisítios na literatura não são suficientes para descrever a isolação. Os dados obtidos até então sobre a estrutura de níveis introduzida pela implantação com prótons também não reproduzem completamente o comportamento observado. Um sistema para medidas de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS) foi desenvolvido para a realização de experimentos visando identificar os níveis responsáveis pela isolação e determinar seus parâmetros relevantes. Quatro contribuições principais foram observadas em GaAs tipo-n (n1, n2, n3 e n4) implantado com prótons, e outras cinco para GaAs tipo-p (p1, p2, p3, p4 e p5). O nível p1, com energia aparente de 0,05 eV e secção de choque de captura de lacunas de 1x10-16 cm2, havia sido identificado previamente em amostras irradiadas com elétrons, mas pela primeira vez foi medido em amostras GaAs tipo-p implantadas com prótons. Medidas de variação de taxas de emissão com o campo elétrico foram realizadas em n1, n2, n3, p1, p2 e p3. O efeito Poole-Frenkel foi identificado como o responsável pelo comportamento observado em p2. Já para n3 e n1, mostrou-se que o responsável é o efeito de tunelamento auxiliado por fônons. O nível p3 não apresentou variação considerável em sua taxa de emissão com o campo; enquanto que os níveis n2 e p1revelaram comportamentos que indicam a presença de ambos os efeitos (Poole-Frenkel e tunelamento auxiliado por fônons). Esses dados, combinados com informações sobre as taxas de introdução obtidas a partir dos espectros DLTS, nos levam a parâmetros para os defeitos introduzidos pela implantação que conseguem descrever, de maneira aceitável, a curva de isolação experimental para doses menores que aproximadamente o dobro da dose de limiar, sugerindo que vacâncias de arsênio e anti-sítios de GaAs desempenhem um papel importante nesta etapa do processo. / The electrical isolation by proton implantation process is studied for the specific cases of AlGaAs Distributed Bragg Reflectors (DBR) and bulk GaAs. The critical implant energy evaluation is exemplified for AlGaAs DBR layers on Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers devices. Sheet resistance measurements as a function of the proton fluence on both p-type and n-type samples presented similar behaviors for the electronic transports parallel and perpendicular to the heterojunctions. The same dose threshold value can be used in both cases. The DBR structures isolation thermal stability is estimated as ~150oC. A simple charge neutrality calculation is employed to simulate the implant isolation process in semiconductors using as input data on the deep levels introduced during irradiation. For the case of bulk GaAs, comparison between simulation results and experimental sheet resistance versus dose curves pointed out that models previously suggested for anti-site defects are not able, by their own, to reproduce the actual isolation behavior. Simulation using information previously obtained on proton implant related deep levels also didn’t reproduce the experimental curves. A Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) system was developed in order to properly identify the deep levels introduced by proton implantation and obtain the relevant parameters regarding each one of these levels. Four main contributions were measured in n-type proton bombarded GaAs (n1, n2, n3 and n4), and other five in p-type samples (p1, p2, p3, p4 and p5). p1 level, with 0.05 eV apparent energy and 1x10-16 cm2 apparent capture cross section, was measured for the first time in proton implanted GaAs. Electric field related emission rate enhancement measurements were carried out on n1, n2, n3, p1, p2 and p3. Poole-Frenkel effect was identified as the responsible for the behavior obtained for p2. Concerning the cases of n3 and n1, the effect responsible for the measured emission rate enhancement was found to be the phonon assisted tunneling. Level p3 presented no appreciable emission rate enhancement with the electric field, and levels n2 and p1 revealed behaviors pointing out the presence of both Poole-Frenkel and phonon assisted tunneling effects. Introduction rates of the measured levels were also obtained. All these data and other previous information on defects in proton bombarded GaAs could then be compiled together, producing a more complete and accurate input for the simulation, which leads to results reproducing the experimental curve in an acceptable manner for doses lower than twice the threshold value. This result points to a very active participation of As vacancies and GaAs in the GaAs implant isolation process.

A presente pesquisa teve como objetivo investigar os efeitos da privação das retroalimentações sensoriais (aural, cinestésica e visual) na abordagem inicial de peças para piano por estudantes de diferentes níveis acadêmicos. A metodologia seguiu um delineamento experimental tipo hierárquico no qual 12 pianistas (alunos de início, meio e fim de curso da graduação, e alunos da pós-graduação em Música) foram submetidos a quatro condições de estudo com privação singular e/ou pareada das retroalimentações: (i) Condição A: Decodificação Visual com retroalimentação cinestésica e privação da retroalimentação aural; (ii) Condição B: Decodificação Visual com privação das retroalimentações aural e cinestésica (prática mental); (iii) Condição C: Decodificação Aural com retroalimentação cinestésica e privação da retroalimentação visual da partitura (“tocar a música de ouvido”); (iv) Condição D: Decodificação Aural com privação das retroalimentações cinestésica e visual da partitura. Para a coleta de dados, quatro encontros foram realizados individualmente com os pianistas. Cada encontro foi destinado ao estudo de uma peça em uma das condições de privação, seguidos de uma performance e entrevista semiestruturada. Os dados obtidos foram analisados qualitativamente e quantitativamente acerca do tempo de prática despendido em cada condição de estudo, das estratégias desenvolvidas pelos participantes e do produto das performances. Os resultados apontam que em todas as quatro condições, os participantes demonstraram a necessidade de estratégias de manipulação do conhecimento declarativo/semântico para a leitura e entendimento da linguagem musical, notada ou estimulada de forma aural. Em três das quatro condições (A, B e C), os participantes recorreram à manipulação de estratégias visando: (i) acessar o conhecimento procedimental no instrumento e fora dele a fim de estabelecer e/ou coordenar os movimentos para as situações de performance, (ii) capacitar meios de acesso e/ou de criação de uma representação mental para orientar suas performances e/ou fornecer subsídios básicos para a execução musical e capacidade de retenção das informações sensoriais. Na amostra investigada os pós-graduandos demonstraram níveis de expertise mais desenvolvidos através de produtos qualitativamente superiores aos demais estudantes no que concerne à comunicação expressiva e fluência na execução, nas condições A e B. / The present research aimed at investigating the effects of sensory feedbacks privation (auditory, kinesthetic and visual) during the initial approach to piano pieces by students belonging to different academic levels. The methodology was based on an experimental nested-design in which 12 pianists (freshman, sophomore and senior undergraduate students, and graduate students of Music) were submitted to four different studying conditions with single and/or paired privation of feedbacks: (i) Condition A: Visual Decoding with kinesthetic feedback and auditory feedback privation; (ii) Condition B: Visual Decoding with privation of auditory and kinesthetic feedbacks (mental practice); (iii) Condition C: Auditory Decoding with kinesthetic feedback and privation of visual feedback from the score (‘playing by ear’); (iv) Condition D: Auditory Decoding with privation of kinesthetic and visual (score) feedbacks. Data collection took place in four sections, individually with each pianist. In each section, the participant studied one piece under one condition of feedback privation, followed by performance and semi-structured interview. Data were analyzed qualitatively and quantitatively in terms of the practice time spent in each condition of study, of strategies developed by participants and of performance products. Results have shown that in all four conditions, the participants have shown the necessity of strategies for the manipulation of declarative/semantic knowledge for reading and musical language understanding, notated or auditory stimulated. In three out of four conditions (A, B and C), the participants have manipulated strategies aiming: (i) accessing the procedimental knowledge in and out of the instrument to establish and/or coordinate the movements for the performance; (ii) enabling means of access and/or creation of a mental representation to guide their performances and/or providing basic subsidies for musical execution and the capacity for holding the sensorial information. Within the investigated sample, the graduate students have shown more developed expertise levels through their qualitatively higher products in comparison to the other students in terms of expressive communication and fluency in conditions A and B.

O enfoque deste trabalho é contribuir para a compreensão dos processos que definem a propagação de linhas de instabilidade tropicais da Amazônia. Foi feita a análise de 9 anos de imagens de satélite definindo casos de linha de instabilidade e relacionando sua ocorrência com as do seu ambiente. Foi ressaltado o papel dos jatos de baixos níveis na propagação das linhas de instabilidade e verificadas possíveis diferenças entre os sistemas que se propagam e os que não se propagam. A partir da análise observacional foram feitas simulações numéricas com o modelo BRAMS para explorar a sensibilidade da propagação das linhas de instabilidade às características cinemáticas do ambiente. Como resultado principal, obteve-se que a maioria dos casos observados foi de linhas que não se propagaram, permanecendo quase estacionárias nas proximidades da costa norte do Brasil. Do total de casos de LI identificadas nas imagens de satélite, apenas 20% foram de linhas se propagaram mais de 400 km. O perfil do vento para seu ambiente de formação e desenvolvimento possui características que reúnem um jato em baixos níveis, um jato em altos níveis e pouco cisalhamento na intensidade e na direção. O jato em baixos níveis foi predominante de leste com intensidade média de 9 ms-1 e ocorreu em torno de 800 hPa. Ele foi mais intenso e mais profundo para as linhas que se propagaram mais de 400 km e menos intenso e menos profundo para as linhas costeiras. Os anos de 2005 e 2006 tiveram um aumento considerável de casos, em especial para as linhas que se propagaram. 2005 foi um ano atípico, pois foi verificado um aumento na temperatura da superfície do mar do Atlântico tropical, o que permitiu especular que aumentos como o que foi verificado, em certas áreas do Oceano Atlântico, pode levar ao aprofundamento do JBN através da intensificação das ondas de leste e assim favorecer a formação de mais LI na costa norte do Brasil. O JBN tem papel importante no processo de desenvolvimento das torres de cúmulos que compõe as linhas de instabilidade. Não só são responsáveis pela organização do sistema em linha, mas influenciam diretamente nos processos internos das nuvens, como ventilação e entranhamento, a formação de correntes descendentes e a formação de frentes de rajada em superfície que, em última instância, definem as características de propagação. / The aim of this work is to contribute to the understanding the processes that define the propagation of Amazon Tropical Squall Lines (ASL). 9 years of satellite images were analyzed defining ASL cases and their relationship with environment characteristics. The low level jet (LLJ) in ASL propagation has emerged as an important feature and possible differences between the systems that propagated and systems that did not propagate were analyzed. The observational analyzes suggested a series of numerical simulations with BRAMS model to explore the sensitivity of propagating ASL with respect to the kinematic characteristics of environment. Main results show that the larger number of ASL cases was of non propagating coastal lines. From the total, only 20% of ASL propagated more than 400 km (SL2). The wind profile of ASL formation and development environment had a LLJ, an upper level jet and to small values of speed and directional shear. The LLJ was from east with intensity of about 9 ms-1 and it was occurred around 800 hPa. It was more intense and deeper for SL2 than CSL. The 2005 and 2006 years had an considerable increase of ASL cases, specially for propagated lines. The 2005 year was atypical, because had an increase of sea surface temperature of Tropical Atlantic Ocean, allowing to speculate that this kind of increase, in certain areas of the Ocean, can lead to the deepening of LLJ through of easterly wave intensification, and thus favoring the formation of more ASL in the North coast of Brazil. The LLJ has a important role in the development processes of cumulus towers that compose the ASL and not only it were responsible for organization of the system, but it directly influence the internal processes of clouds, like inflow into the cloud.

Tese de mestrado integrado. Engenharia Civil. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2010

Estudaremos uma fam lia de sistemas hamiltonianos no R 4 , H : R 4 R, satisfazendo certas condi c oes, dependendo de um parametro . Iremos ca- racterizar algumas condi c oes sobre n veis de energia desse sistema, que nos permitem concluir existencia e destrui c ao de toros invariantes, em tais n veis de energia. Al em disso, podemos concluir que o fluxo hamiltoniano, restrito a esses n veis de energia, possui entropia topol ogica positiva. / We will study a family of Hamiltonian Systems in R 4 , satisfying certain conditions, H : R 4 R, depending of a parameter . We will characterize some conditions about the energy levels of this system, which allow us to conclude existence and destruction of invariant torus, at such energy levels. Moreover, we can conclude that the hamiltonian flow, restricted to these energy level, has positive topological entropy.

O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistência destas estruturas com a dose de prótons irradiada, tanto para amostras tipo-n quanto para tipo-p, revelaram comportamentos qualitativamente semelhantes para os transportes eletrônicos paralelo e perpendicular às heterojunções. O mesmo valor de dose de limiar para isolação pode ser usado em ambos os casos. A estabilidade térmica da isolação de camadas DBR é estimada em ~150oC. O uso de um modelo simples de conservação de carga é sugerido para a simulação do processo de isolação por implantação em semicondutores, empregando como entrada a distribuição de níveis introduzidos pela irradiação. A comparação dos resultados dessa simulação com dados experimentais para o caso específico do GaAs revela que os modelos de defeitos previamente associados a antisítios na literatura não são suficientes para descrever a isolação. Os dados obtidos até então sobre a estrutura de níveis introduzida pela implantação com prótons também não reproduzem completamente o comportamento observado. Um sistema para medidas de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS) foi desenvolvido para a realização de experimentos visando identificar os níveis responsáveis pela isolação e determinar seus parâmetros relevantes. Quatro contribuições principais foram observadas em GaAs tipo-n (n1, n2, n3 e n4) implantado com prótons, e outras cinco para GaAs tipo-p (p1, p2, p3, p4 e p5). O nível p1, com energia aparente de 0,05 eV e secção de choque de captura de lacunas de 1x10-16 cm2, havia sido identificado previamente em amostras irradiadas com elétrons, mas pela primeira vez foi medido em amostras GaAs tipo-p implantadas com prótons. Medidas de variação de taxas de emissão com o campo elétrico foram realizadas em n1, n2, n3, p1, p2 e p3. O efeito Poole-Frenkel foi identificado como o responsável pelo comportamento observado em p2. Já para n3 e n1, mostrou-se que o responsável é o efeito de tunelamento auxiliado por fônons. O nível p3 não apresentou variação considerável em sua taxa de emissão com o campo; enquanto que os níveis n2 e p1revelaram comportamentos que indicam a presença de ambos os efeitos (Poole-Frenkel e tunelamento auxiliado por fônons). Esses dados, combinados com informações sobre as taxas de introdução obtidas a partir dos espectros DLTS, nos levam a parâmetros para os defeitos introduzidos pela implantação que conseguem descrever, de maneira aceitável, a curva de isolação experimental para doses menores que aproximadamente o dobro da dose de limiar, sugerindo que vacâncias de arsênio e anti-sítios de GaAs desempenhem um papel importante nesta etapa do processo. / The electrical isolation by proton implantation process is studied for the specific cases of AlGaAs Distributed Bragg Reflectors (DBR) and bulk GaAs. The critical implant energy evaluation is exemplified for AlGaAs DBR layers on Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers devices. Sheet resistance measurements as a function of the proton fluence on both p-type and n-type samples presented similar behaviors for the electronic transports parallel and perpendicular to the heterojunctions. The same dose threshold value can be used in both cases. The DBR structures isolation thermal stability is estimated as ~150oC. A simple charge neutrality calculation is employed to simulate the implant isolation process in semiconductors using as input data on the deep levels introduced during irradiation. For the case of bulk GaAs, comparison between simulation results and experimental sheet resistance versus dose curves pointed out that models previously suggested for anti-site defects are not able, by their own, to reproduce the actual isolation behavior. Simulation using information previously obtained on proton implant related deep levels also didn’t reproduce the experimental curves. A Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) system was developed in order to properly identify the deep levels introduced by proton implantation and obtain the relevant parameters regarding each one of these levels. Four main contributions were measured in n-type proton bombarded GaAs (n1, n2, n3 and n4), and other five in p-type samples (p1, p2, p3, p4 and p5). p1 level, with 0.05 eV apparent energy and 1x10-16 cm2 apparent capture cross section, was measured for the first time in proton implanted GaAs. Electric field related emission rate enhancement measurements were carried out on n1, n2, n3, p1, p2 and p3. Poole-Frenkel effect was identified as the responsible for the behavior obtained for p2. Concerning the cases of n3 and n1, the effect responsible for the measured emission rate enhancement was found to be the phonon assisted tunneling. Level p3 presented no appreciable emission rate enhancement with the electric field, and levels n2 and p1 revealed behaviors pointing out the presence of both Poole-Frenkel and phonon assisted tunneling effects. Introduction rates of the measured levels were also obtained. All these data and other previous information on defects in proton bombarded GaAs could then be compiled together, producing a more complete and accurate input for the simulation, which leads to results reproducing the experimental curve in an acceptable manner for doses lower than twice the threshold value. This result points to a very active participation of As vacancies and GaAs in the GaAs implant isolation process.