Darbe tiriamas magnetroniniu plazminiu būdu suformuotų Mg-Al-Zr lydinių anodinis tirpimas, bei antikorozinės savybės. Magnetroniniu plazminiu būdu buvo suformuotos dangos su skirtingu cirkonio kiekiu (t.y. 95%, 90,4%, 76,2%, 71% ir 67%). Dangos formuojamos ant stiklo paviršiaus. Voltamperiniais ir elektrocheminio impedanso metodais ištirtas Mg-Al-Zr lydinių anodinis atsparumas ir korozinė elgsena 0.1 M (NH4)3BO3 + 0.1 M NaCl tirpale, kurio pH 8,5. MP lydinių korozinis atsparumas didėja, didinant Zr koncentraciją lydinyje. Taip pat lydiniai, kuriuose didesnė Mg koncentracija, bet mažesnė Zr aktyviai anodiškai tirpsta. Atominės jėgos mikroskopo metodu (AJM) nustatyta lydinių morfologija, dangos su didesne Zr koncentracija charakterizuojamos mažesniais kristalitų dydžiais. Aptartos MP metodo pritaikymo galimybės. / The goal of this work was to study anodic dissolution and anticorrosion properties of Mg-Al-Zr alloys formed by magnetron sputtering. Magnetron sputtering technique was applied to deposit Mg-Al-Zr alloys with different amount of Zr, on glass substrates. Anodic dissolution and anticorrosive stability of the sputtered alloys were studied by voltammetric and electrochemical impedance spectroscopy methods in 0.1 M (NH4)3BO3 + 0.1 M NaCl solution (pH 8,5). EIS and voltammetric measurements indicated a lesser anodic dissolution and a superior anticorrosive resistance in Mg-Al-Zr alloys with higher Zr concentration. Atomic force microscopy demonstrated (AFM) that by increasing amount of Zr in sputtered samples the grain size decrease.

Creation of ultrafast semiconductor components is inconceivable without understanding various processes of picoscond duration in semiconductors. These processes, as electron energy relaxation time or nonequiriblium carrier capture are very important for semiconductor photonics and terahertz range devices. Since now, the most popular tool of measuring ultrafast processes in semiconductors was picosecond or femtosecond laser pulses. In spite of excellent time resolution, optical pump – probe methods have a significant imperfection. Interpretation of the results can be very complicate. Also, the measured result can be affected by few variable parameters or interaction of various physical phenomenon. Therefore determinate results can be hardly related with electron time dependent characteristic. The aim of this dissertation was to measure electron energy relaxation times and electron life times by using terahertz pulses in narrow – gap semiconductors used for photoconductive terahertz emitters or detectors. In this dissertation, electron characteristic times witch describe various processes in semiconductor, were studied. These measurements were performed by optical pump – terahertz probe technique and time domain terahertz spectroscopy. The emission of terahertz pulses from the semiconductor surface, illuminated by femtosecond laser pulses, was investigated. / Ultrasparčių puslaidininkinių komponentų kūrimas reikalauja gilesnio supratimo apie tai, kaip puslaidininkiuose vyksta fizikiniai procesai, trunkantys kelias pikosekundes ar net mažiau nei vieną pikosekundę. Tokie reiškiniai, kaip elektronų impulso ir energijos relaksacija bei nepusiausvyrųjų krūvininkų pagavimas yra labai svarbūs puslaidininkinių fotonikos ir terahercinio diapazono prietaisų veikimui. Iki pastarojo meto pagrindinis ultrasparčiųjų procesų puslaidininkiuose tyrimo įrankis buvo optiniai metodai, kuriuose elektronų dinamikai stebėti buvo pasitelkiami pikosekundinių ar femtosekundinių lazerių impulsai. Nepaisant išskirtinai didelės šių metodų laikinės skyros, optinio kaupinimo-zondavimo matavimų rezultatus yra palyginti sudėtinga interpretuoti. Šie rezultatai dažniausiai yra įtakojami kelių sistemos parametrų kitimo ir įvairių fizikinių reiškinių tarpusavio sąveikos, todėl sunkiai susiejamas su kuria nors elektronų laikine charakteristika. Disertacijos darbo tikslas – naudojant terahercinės spinduliuotės impulsus išmatuoti elektronų impulso ir energijos relaksacijos trukmes keliuose siauratarpiuose puslaidininkiuose bei jų gyvavimo trukmes medžiagose, skirtose fotolaidžių terahercinės spinduliuotės emiterių ir detektorių gamybai. Šioje disertacijoje yra pateikiami įvairių charakteringų elektroninius procesus puslaidininkiuose apibūdinančių trukmių matavimų naudojant terahercinės spinduliuotės impulsus rezultatai. Tokie tyrimai atlikti ir optinio žadinimo –... [toliau žr. visą tekstą]

Ultrasparčių puslaidininkinių komponentų kūrimas reikalauja gilesnio supratimo apie tai, kaip puslaidininkiuose vyksta fizikiniai procesai, trunkantys kelias pikosekundes ar net mažiau nei vieną pikosekundę. Tokie reiškiniai, kaip elektronų impulso ir energijos relaksacija bei nepusiausvyrųjų krūvininkų pagavimas yra labai svarbūs puslaidininkinių fotonikos ir terahercinio diapazono prietaisų veikimui. Iki pastarojo meto pagrindinis ultrasparčiųjų procesų puslaidininkiuose tyrimo įrankis buvo optiniai metodai, kuriuose elektronų dinamikai stebėti buvo pasitelkiami pikosekundinių ar femtosekundinių lazerių impulsai. Nepaisant išskirtinai didelės šių metodų laikinės skyros, optinio kaupinimo-zondavimo matavimų rezultatus yra palyginti sudėtinga interpretuoti. Šie rezultatai dažniausiai yra įtakojami kelių sistemos parametrų kitimo ir įvairių fizikinių reiškinių tarpusavio sąveikos, todėl sunkiai susiejamas su kuria nors elektronų laikine charakteristika. Disertacijos darbo tikslas – naudojant terahercinės spinduliuotės impulsus išmatuoti elektronų impulso ir energijos relaksacijos trukmes keliuose siauratarpiuose puslaidininkiuose bei jų gyvavimo trukmes medžiagose, skirtose fotolaidžių terahercinės spinduliuotės emiterių ir detektorių gamybai. Šioje disertacijoje yra pateikiami įvairių charakteringų elektroninius procesus puslaidininkiuose apibūdinančių trukmių matavimų naudojant terahercinės spinduliuotės impulsus rezultatai. Tokie tyrimai atlikti ir optinio žadinimo –... [toliau žr. visą tekstą] / Creation of ultrafast semiconductor components is inconceivable without understanding various processes of picoscond duration in semiconductors. These processes, as electron energy relaxation time or nonequiriblium carrier capture are very important for semiconductor photonics and terahertz range devices. Since now, the most popular tool of measuring ultrafast processes in semiconductors was picosecond or femtosecond laser pulses. In spite of excellent time resolution, optical pump – probe methods have a significant imperfection. Interpretation of the results can be very complicate. Also, the measured result can be affected by few variable parameters or interaction of various physical phenomenon. Therefore determinate results can be hardly related with electron time dependent characteristic. The aim of this dissertation was to measure electron energy relaxation times and electron life times by using terahertz pulses in narrow – gap semiconductors used for photoconductive terahertz emitters or detectors. In this dissertation, electron characteristic times witch describe various processes in semiconductor, were studied. These measurements were performed by optical pump – terahertz probe technique and time domain terahertz spectroscopy. The emission of terahertz pulses from the semiconductor surface, illuminated by femtosecond laser pulses, was investigated.

Baigiamajame magistro darbe nagrinėjamos plazminio purškimo Ni ir Co pagrindo dangų ant aliuminio substrato savybės. Atlikta terminio purškimo dangų, jų technologijų apžvalga ir analizė bei pateikta dangų tyrimo metodika. Atlikti šių dangų mikrostruktūros, porėtumo, adhezijos, mikrokietumo ir dangos tamprumo modulio tyrimai. Baigiamajame darbe sudaryta purkštinės dangos skaitinio modeliavimo metodika ir gauti rezultatai pateikti grafiškai. Išnagrinėjus praktinius ir skaitinius terminio purškimo dangų rezultatus, pateikiamos baigiamojo darbo išvados. Darbą sudaro 4 dalys: įvadas, literatūros šaltinių apžvalga ir analizė, Ni ir Co pagrindo plazminio purškimo dangų savybių ir mikrostruktūros eksperimentiniai tyrimai, purkštinės dangos skaitinio modeliavimo tyrimas, tyrimo rezultatai ir jų aptarimas, išvados, literatūros sąrašas. / In the final master thesis the plasma spraying of Ni and Co base coatings on aluminum substrate properties are analyzed. The review of thermal spray coatings technology and research methods are described. The research of microstructure, porosity, adhesion, microhardness and modulus of elasticity of the coatings were carried out. In the final master work numerical simulation of thermal spray coatings are described and results are presented graphically. The experimental and numerical results of thermal spray coatings were analysed and conclusions were given. Structure: introduction, literature review and analysis, experimental research of Ni and Co based plasma spray coating properties and microstructure, numerical simulation of thermal spray coating, results of the studies, conclusions, references.