O iodeto de mercúrio vermelho (?-HgI2 ou comumente conhecido na literatura como HgI2) vem sendo largamente estudado para utilização em detectores de radiação -X e -? por apresentar alta faixa de energia proibida (gap de energia = 2,13eV), alto número atômico (ZHg = 80; ZI = 53) e alta densidade (6,4 mg/ml), além de outras propriedades que auxiliam na absorção destes tipos de radiação. A obtenção de filmes e cristais usando uma técnica de baixo custo é abordada neste trabalho. A técnica que obtenção de cristais utilizada foi a evaporação de solvente, que consiste na evaporação de um solvente volátil de uma solução preparada com sal de HgI2. Os solventes voláteis utilizados foram etanol, tetrahidrofurano (THF) e algumas misturas de ambos. Duas principais condições de evaporação foram testadas: na presença de luz ambiente (claro) e na ausência desta (escuro) em temperatura ambiente. Somente para o etanol obteve-se cristais com controle de temperatura (temperatura de 40°C) dentro de estufa no escuro. Observou-se, como resultado geral, que os cristais apresentam um aumento da desorganização estrutural quando se adiciona THF. Como esperado, isso se refletiu nas propriedades elétricas, diminuindo a resistividade (?) e energia de ativação (Ea) destes materiais. Além disso, é observado para os cristais obtidos com etanol (claro, escuro e estufa a 40°) diferentes resultados estruturais, ópticos, elétricos e de fotocondutividade. Em relação aos resultados estruturais, as condições influenciaram três orientações distintas que se acredita ser devido a variações energéticas relacionadas a temperatura e excitação eletrônica promovida pela luz. Anisotropia também foi observada pela análise dos resultados do espalhamento Raman. Medidas ópticas destacaram a presença principal de contribuições referentes a transições de elétrons da banda de valência a banda de condução (transição excitônica). Os cristais obtidos no claro e estufa apresentam ainda contribuições de transições de elétrons relacionadas a desorganização estrutural e ligações pendentes. Quanto as medidas elétricas, observou-se que o cristal obtido no escuro com etanol (E100E) apresentou os maiores valores de ? e Ea (2,67x108 ? .cm e 1,13 eV) e resultados de fotocondutividade mostraram baixos valores da relação fotocorrente corrente de escuro. Os filmes híbridos de iodeto de mercúrio foram obtidos usando a mesma técnica com presença de polímeros isolantes que atuaram como matriz de sustentação dos cristais de HgI2. Os polímeros utilizados foram poliamida (PA), policarbonato (PC) e poliestireno (PS). Estes eram dissolvidos em THF e o sal de HgI2 era acrescido a esta solução. Filmes foram confeccionados variando a temperatura de evaporação do THF para todos os polímeros, e para PS (que apresenta maior resistência a radiação na faixa de radiodiagnóstico) foi realizado estudos de variação da concentração de polímero (de 20 a 200mg/ml) e da massa de iodeto de mercúrio (de 0,6 a 2,0g). Com o acréscimo dos polímeros isolantes nos filmes, nota-se que se tem um aumento de ?, ainda maior que o observado para os cristais. Também a relação entre fotocondutividade e corrente de escuro é aumentada. No entanto, não se observa uma formação homogênea no filme quando analisamos morfologicamente, sendo possível ver cristais dispersos. Por fim, estes filmes apresentaram um gap de energia de 2,1 eV, muito próximo do obtido para cristais HgI2 (2,13 eV) / Red mercuric iodide (?-HgI2 or known in literature as HgI2) has been widely studied for X- and ?- radiation detector applications because of the high gap energy (2.13 eV), high atomic number (ZHg = 80, ZI = 53), high density (6.4 mg/ml) and other properties that raise the absorption of these types of radiation. Films and crystals were obtained using a low-cost technique that is discussed in this work. The technique used was solvent evaporation, which is the evaporation of volatile solvent from solution prepared with HgI2 salt. The solvents were ethanol, tetrahydrofuran (THF) and some mixtures of both. Two main evaporation conditions were experimented: in (Light) or without (Dark) ambient light presence at room temperature. Only ethanol was obtained crystals with temperature control (constant temperature of 40o in dark oven. It was observed, as general result, that the crystals show an increase of structural disorder when it was added THF for initial solution. This reflects in electrical properties, decreasing resistivity (?) and activation energy (Ea) from this material. Furthermore, it is observed for ethanol crystals (Light, Dark, and Oven at 40o) different structural, optical, electrical and photoconductivity results. In relation to structure, the conditions influenced three distinct orientations that it is energetic variations related to temperature and light excitation. Anisotropy was also observed by Raman scattering analysis. Optical measurements present main contributions of electron transitions from valence to conduction band (excitonic transitions). The Light and Oven crystals show contributions related to structural disorder and dangling bounds. Electrical studies highlighted higher values of ? and Ea (2.67x10-8 ?.cm e 1.13 eV), and photoconductive curves has lower photocurrent-dark current relation. HgI2 hybrid films were obtained using the same technique (solvent evaporation) with insulator polymers forming a matrix to sustain the crystals. The polymers were polyamide (PA), polycarbonate (PC) and polystyrene (PS). These were dissolved in THF and HgI2 salt was added to this solution. Films were made varying the evaporation temperature, and for PS (whose shows the best resistance for diagnostic radiation) was varying polymer concentration (from 20 to 200mg/ml) and HgI2 mass (from 0.6 to 2.0). It was observed an increase of ? adding the polymers in relation of crystals. The photocurrent-dark current relation is also higher than crystals. However, it was not seen homogeneous surface, where it was seen dispersed crystals by SEM images. Finally, the films show energy gap of 2.1 eV, very close to single crystal of literature.

Uma condutividade evanescente, dependente do tempo, tem sido detectada nos filmes de PVDF da BembergFolien. Após muitos ciclos de polarização e despolarização, a corrente de absorção torna-se fortemente reduzida, para o mesmo nível das correntes de despolarização. Esta condutividade é facilmente observada, aparecendo na corrente de polarização pela aplicação de altos campos. É observada recuperação em amostras deixadas em atmosfera úmida. Nós interpretamos estas observações como sendo uma limpeza, pelo campo elétrico, dos íons gerados por uma acentuação da dissociação de moléculas de água absorvida no volume, pela ação deste campo. / A time dependent evanescent conductivity has been detected in BembergFoliem PVDF films. After many polarization-depolarization cycles, the absorption current became strongly reduced, to the same level as the depolarization one. It is easily seen at higher fields by a bump appearing in the polarization current Recovering is observed in samples left in humid atmosphere. We have interpreted these observations as an electric field ion cleaning of an electric field enhanced dissociation of bulk absorbed water molecules.

Neste trabalho obtivemos curvas de corrente induzida por raios-x no teflon FEP que apresentou as seguintes características: a) Inicialmente a corrente subiu, atingindo um máximo em torno dos 10s; b) Decaiu lentamente durante aproximadamente meia-hora, e; c) Atingiu um estado estacionário daí por diante. Ao se desligar a radiação, registrou-se a componente atrasada desta corrente. Usamos amostras de 25&#956m de espessura e área irradiada foi de 12,5cm2 ; o campo aplicado da ordem de 104V/cm e taxa de exposição da ordem de 102 R/S. Verificamos que depois de completada de uma medida da corrente induzida num amostra, esta não voltava a se repetir se realizada depois algumas horas; a corrente então não apresentava um máximo, indo diretamente ao valor estacionário; porém se recuperava com o tempo, repetindo a primeira medida depois de algumas semanas. Para mostrar que esta subida e descida da corrente induzida, não era devido a um efeito de campo, realizamos uma medida onde aplicamos o campo intermitente por curtos períodos de tempo, enquanto a amostra era irradiada. O resultado se mostrou igual aos realizados com tensão aplicada permanentemente. Estudamos ainda a dependência da condutividade induzida com a taxa de exposição e com o campo. Finalmente construímos um modelo teórico para o material que permitiu a obtenção de parâmetros do mesmo concordantes com o esperado. Acrescentamos a este trabalho uma curva que mostra o efeito da variação da temperatura sobre uma medida longa da absorção dielétrica. / In this work we measured X-ray indeuced currents in teflon FEP wich show the following features: a) At the beginning the current increases and reaches a maximum at about 10s; b) It decays slowly during 30 minutes, when a steady state is reached slowly during 30 minutes, when a steady state is reached the delayed conductvity was also measured. The sample were 25&#956m thick and the irradiated área was 12,5cm2; the applied field was of the order of 104 V/cm and the dose rate of the order of 102 R/S. It was observed that a new measurement of the induced conductivity does not duplicate the first one, but after a few hours it come backs to the original one. In order to show that the increase and the deacrease of the current is not caused by na electric field effect we realized a measurement where we polled the sample intermitently while it was irradiated. The current thus obtained had about the same values of the first measuments, when the voltage was applied all the time during the measurement. We also measured the absorption current f a teflon sample wich shows after some days the effect of its variation due the variation of the ambiental temperature.

Neste trabalho obtivemos curvas de corrente induzida por raios-x no teflon FEP que apresentou as seguintes características: a) Inicialmente a corrente subiu, atingindo um máximo em torno dos 10s; b) Decaiu lentamente durante aproximadamente meia-hora, e; c) Atingiu um estado estacionário daí por diante. Ao se desligar a radiação, registrou-se a componente atrasada desta corrente. Usamos amostras de 25&#956m de espessura e área irradiada foi de 12,5cm2 ; o campo aplicado da ordem de 104V/cm e taxa de exposição da ordem de 102 R/S. Verificamos que depois de completada de uma medida da corrente induzida num amostra, esta não voltava a se repetir se realizada depois algumas horas; a corrente então não apresentava um máximo, indo diretamente ao valor estacionário; porém se recuperava com o tempo, repetindo a primeira medida depois de algumas semanas. Para mostrar que esta subida e descida da corrente induzida, não era devido a um efeito de campo, realizamos uma medida onde aplicamos o campo intermitente por curtos períodos de tempo, enquanto a amostra era irradiada. O resultado se mostrou igual aos realizados com tensão aplicada permanentemente. Estudamos ainda a dependência da condutividade induzida com a taxa de exposição e com o campo. Finalmente construímos um modelo teórico para o material que permitiu a obtenção de parâmetros do mesmo concordantes com o esperado. Acrescentamos a este trabalho uma curva que mostra o efeito da variação da temperatura sobre uma medida longa da absorção dielétrica. / In this work we measured X-ray indeuced currents in teflon FEP wich show the following features: a) At the beginning the current increases and reaches a maximum at about 10s; b) It decays slowly during 30 minutes, when a steady state is reached slowly during 30 minutes, when a steady state is reached the delayed conductvity was also measured. The sample were 25&#956m thick and the irradiated área was 12,5cm2; the applied field was of the order of 104 V/cm and the dose rate of the order of 102 R/S. It was observed that a new measurement of the induced conductivity does not duplicate the first one, but after a few hours it come backs to the original one. In order to show that the increase and the deacrease of the current is not caused by na electric field effect we realized a measurement where we polled the sample intermitently while it was irradiated. The current thus obtained had about the same values of the first measuments, when the voltage was applied all the time during the measurement. We also measured the absorption current f a teflon sample wich shows after some days the effect of its variation due the variation of the ambiental temperature.

Uma condutividade evanescente, dependente do tempo, tem sido detectada nos filmes de PVDF da BembergFolien. Após muitos ciclos de polarização e despolarização, a corrente de absorção torna-se fortemente reduzida, para o mesmo nível das correntes de despolarização. Esta condutividade é facilmente observada, aparecendo na corrente de polarização pela aplicação de altos campos. É observada recuperação em amostras deixadas em atmosfera úmida. Nós interpretamos estas observações como sendo uma limpeza, pelo campo elétrico, dos íons gerados por uma acentuação da dissociação de moléculas de água absorvida no volume, pela ação deste campo. / A time dependent evanescent conductivity has been detected in BembergFoliem PVDF films. After many polarization-depolarization cycles, the absorption current became strongly reduced, to the same level as the depolarization one. It is easily seen at higher fields by a bump appearing in the polarization current Recovering is observed in samples left in humid atmosphere. We have interpreted these observations as an electric field ion cleaning of an electric field enhanced dissociation of bulk absorbed water molecules.

O iodeto de mercúrio vermelho (?-HgI2 ou comumente conhecido na literatura como HgI2) vem sendo largamente estudado para utilização em detectores de radiação -X e -? por apresentar alta faixa de energia proibida (gap de energia = 2,13eV), alto número atômico (ZHg = 80; ZI = 53) e alta densidade (6,4 mg/ml), além de outras propriedades que auxiliam na absorção destes tipos de radiação. A obtenção de filmes e cristais usando uma técnica de baixo custo é abordada neste trabalho. A técnica que obtenção de cristais utilizada foi a evaporação de solvente, que consiste na evaporação de um solvente volátil de uma solução preparada com sal de HgI2. Os solventes voláteis utilizados foram etanol, tetrahidrofurano (THF) e algumas misturas de ambos. Duas principais condições de evaporação foram testadas: na presença de luz ambiente (claro) e na ausência desta (escuro) em temperatura ambiente. Somente para o etanol obteve-se cristais com controle de temperatura (temperatura de 40°C) dentro de estufa no escuro. Observou-se, como resultado geral, que os cristais apresentam um aumento da desorganização estrutural quando se adiciona THF. Como esperado, isso se refletiu nas propriedades elétricas, diminuindo a resistividade (?) e energia de ativação (Ea) destes materiais. Além disso, é observado para os cristais obtidos com etanol (claro, escuro e estufa a 40°) diferentes resultados estruturais, ópticos, elétricos e de fotocondutividade. Em relação aos resultados estruturais, as condições influenciaram três orientações distintas que se acredita ser devido a variações energéticas relacionadas a temperatura e excitação eletrônica promovida pela luz. Anisotropia também foi observada pela análise dos resultados do espalhamento Raman. Medidas ópticas destacaram a presença principal de contribuições referentes a transições de elétrons da banda de valência a banda de condução (transição excitônica). Os cristais obtidos no claro e estufa apresentam ainda contribuições de transições de elétrons relacionadas a desorganização estrutural e ligações pendentes. Quanto as medidas elétricas, observou-se que o cristal obtido no escuro com etanol (E100E) apresentou os maiores valores de ? e Ea (2,67x108 ? .cm e 1,13 eV) e resultados de fotocondutividade mostraram baixos valores da relação fotocorrente corrente de escuro. Os filmes híbridos de iodeto de mercúrio foram obtidos usando a mesma técnica com presença de polímeros isolantes que atuaram como matriz de sustentação dos cristais de HgI2. Os polímeros utilizados foram poliamida (PA), policarbonato (PC) e poliestireno (PS). Estes eram dissolvidos em THF e o sal de HgI2 era acrescido a esta solução. Filmes foram confeccionados variando a temperatura de evaporação do THF para todos os polímeros, e para PS (que apresenta maior resistência a radiação na faixa de radiodiagnóstico) foi realizado estudos de variação da concentração de polímero (de 20 a 200mg/ml) e da massa de iodeto de mercúrio (de 0,6 a 2,0g). Com o acréscimo dos polímeros isolantes nos filmes, nota-se que se tem um aumento de ?, ainda maior que o observado para os cristais. Também a relação entre fotocondutividade e corrente de escuro é aumentada. No entanto, não se observa uma formação homogênea no filme quando analisamos morfologicamente, sendo possível ver cristais dispersos. Por fim, estes filmes apresentaram um gap de energia de 2,1 eV, muito próximo do obtido para cristais HgI2 (2,13 eV) / Red mercuric iodide (?-HgI2 or known in literature as HgI2) has been widely studied for X- and ?- radiation detector applications because of the high gap energy (2.13 eV), high atomic number (ZHg = 80, ZI = 53), high density (6.4 mg/ml) and other properties that raise the absorption of these types of radiation. Films and crystals were obtained using a low-cost technique that is discussed in this work. The technique used was solvent evaporation, which is the evaporation of volatile solvent from solution prepared with HgI2 salt. The solvents were ethanol, tetrahydrofuran (THF) and some mixtures of both. Two main evaporation conditions were experimented: in (Light) or without (Dark) ambient light presence at room temperature. Only ethanol was obtained crystals with temperature control (constant temperature of 40o in dark oven. It was observed, as general result, that the crystals show an increase of structural disorder when it was added THF for initial solution. This reflects in electrical properties, decreasing resistivity (?) and activation energy (Ea) from this material. Furthermore, it is observed for ethanol crystals (Light, Dark, and Oven at 40o) different structural, optical, electrical and photoconductivity results. In relation to structure, the conditions influenced three distinct orientations that it is energetic variations related to temperature and light excitation. Anisotropy was also observed by Raman scattering analysis. Optical measurements present main contributions of electron transitions from valence to conduction band (excitonic transitions). The Light and Oven crystals show contributions related to structural disorder and dangling bounds. Electrical studies highlighted higher values of ? and Ea (2.67x10-8 ?.cm e 1.13 eV), and photoconductive curves has lower photocurrent-dark current relation. HgI2 hybrid films were obtained using the same technique (solvent evaporation) with insulator polymers forming a matrix to sustain the crystals. The polymers were polyamide (PA), polycarbonate (PC) and polystyrene (PS). These were dissolved in THF and HgI2 salt was added to this solution. Films were made varying the evaporation temperature, and for PS (whose shows the best resistance for diagnostic radiation) was varying polymer concentration (from 20 to 200mg/ml) and HgI2 mass (from 0.6 to 2.0). It was observed an increase of ? adding the polymers in relation of crystals. The photocurrent-dark current relation is also higher than crystals. However, it was not seen homogeneous surface, where it was seen dispersed crystals by SEM images. Finally, the films show energy gap of 2.1 eV, very close to single crystal of literature.