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Efeitos de tensão em filmes finos de manganitas estudados por espectroscopia de absorção de raios-X com luz linearmente polarizada

Souza Neto, Narcizo Marques de 29 July 2003 (has links)
Orientadores: Aline Yvette Ramos, Antonio R. Brito de Castro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:13:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SouzaNeto_NarcizoMarquesde_M.pdf: 5849893 bytes, checksum: 3aaed8989dd9ceae8f1ff9f4725c680c (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Dentre os materiais exibindo o efeito de Magnetoresistência Colossal, filmes finos de manganitas dopadas tem recebido atenção especial devido a suas potenciais aplicações para dispositivos magneto-eletrônicos de nova geração. Nesses sistemas, a tensão biaxial externa pode ser usada para sintonizar as propriedades magnéticas e de transporte se for possível determinar a exata relação entre esses efeitos. Neste escopo, é importante identificar a explicita conecção entre tensão induzida pelo substrato e a estrutura local em torno dos átomos de manganês, especialmente distâncias Mn - O e o ângulo Mn - O - Mn. Nesta dissertação, relatamos um estudo de Espectroscopia de Absorção de Raios-X de filmes finos da manganita La0.7Sr0.3MnO3 epitaxialmente crescidos por deposição por laser pulsado em substratos induzindo expansão (SrTiO3) e compressão (LaAlO3) no plano dos filmes. Dados das bordas K e L2,3 do Mn foram coletados nas linhas D04B-XAS e D08A-SGM do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, respectivamente. Contribuições de ligações no plano dos filmes e perpendicular ao plano dos filmes foram obtidas utilizando uma abordagem para o dicroísmo linear natural presente em medidas de absorção de materiais estruturalmente anisotrópicos. Cálculos ab initio usando o formalismo de espalhamento múltiplo total foram utilizados no auxilio da compreensão dos efeitos encontrados. Espectros XANES forneceram fortes evidências de distorção tetragonal do octahedro MnO6 em direções opostas para os filmes compressivos e expansivos. Estas observações foram confirmadas usando simulações ab initio e mostraramos que o melhor modelo estrutural para explicar os dados experimentais é considerar um octahedro MnO6 com distorção no mínimo. tetragonal, e sem nenhuma modificação do ângulo Mn - O - Mn. Evidências de distorção ortorrômbica também foram observados na região de XANES. Dados de EXAFS coletados no plano dos filmes indicaram uma distorção ortorrômbica do octahedro e também confirmou a mudança da distância média Mn - O. Também por EXAFS foi possível concluir que nenhuma modição do ângulo Mn - O - Mn é induzida pela tensão fornecida pelo substrato. A distorção local do octahedro explicaram a diminuição da temperatura de transição (TC) por efeitos de tensão. Foram observados efeitos de modificação da banda 3d de condução do material, induzidos por tensão e por exposição a raios-x intensos, porém uma correlação entre estes efeitos e a distorção da estrutura do filme ainda não está muito clara / Abstract: Among the materials exhibiting the Colossal Magnetoresistance e effect, mixed manganite thin films have received special attention due to their potential applications for new generation magneto-eletronic devices. In these systems, the external biaxial strain could be used to tune the magnetism and transport properties if it were possible to settle the exact relationship between both e effects. In this scope, it is important to address the explicit connection between the cell induced strains and the local structure around the manganese atoms, specially the Mn - O distances and the Mn - O - Mn angle. In this dissertation, we report on a X-ray Absorption Spectroscopy study of La0.7Sr0.3MnO3 thin films epitaxially grown by pulsed laser deposition on tensile (SrTiO3) and compressive (LaAlO3) substrates. Mn K and L2,3 edges data were collected at the D04B-XAS and D08A-SGM beamlines of the Brazilian Synchrotron Light Source, respectively. In plane and out of plane bond contributions were obtained by a natural linear dichroism approach for the absorption measurementes of structural anisotropic materials. Ab initio calculations using the Full Multiple Scattering approach was used to understand the found experimental e effects. XANES spectra give evidence of tetragonal distortion within the MnO6 octahedra,with opposite directions for tensile and compressive films. This was confirmed by ab initio simulations and we show that the best structural model to explain experimental data is that of distorted MnO6 average octahedra and without any change in the Mn - O - Mn angle.Some evidence of orthorhombic distortion also was observed in the XANES region. EXAFS data collected in plane for tensile substrate, indicate a orthorhombic distortion of octahedron and also confirm the change in the Mn - O average bond distance. Also by EXAFS was possible conclude that no change of Mn - O - Mn angle is induced by the strain. The distortion of octahedra explains the decrease of Curie temperature (TC) with the strain effects. 3d conduction band changes, induced by the strain and by intense x-ray exposition, were observed. A correlation model between these effects and the structural distortion of films is not clear yet / Mestrado / Física / Mestre em Física
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O comportamento de dielétricos na presença de campos elétricos e a sua descrição em termos da função resposta dielétrica

Gentilini, Jean Carlos 18 December 2012 (has links)
CAPES / Com o avanço da miniaturização de componentes e dispositivos eletrônicos ocorrida nos últimos anos, a utilização de materiais dielétricos e a necessidade de informações precisas sobre o comportamento dielétrico apresentado por estes materiais aumentou consideravelmente. Neste trabalho é apresentado inicialmente as motivações para o estudo do comportamento dielétrico e da modelagem da função resposta dielétrica. A partir da teoria proposta por Debye e identificando suas peculiaridades, são exploradas algumas extensões deste modelo e analisada a interpretação da função resposta proposta por estes. Muitos modelos assumiam a existência de múltiplas interações envolvendo os dipolos com o meio dielétrico, as quais contribuíam para a dinâmica do comportamento dielétrico, somente mais tarde é que estas múltiplas interações ganharam uma conexão entre a resposta dielétrica observada com as propriedades intrínsecas do material. Por meio do modelo proposto por Dissado e Hill e assumindo dados experimentais disponíveis na literatura para alguns materiais, foi testada a validade da função resposta resultante do modelo, na qual veri cou-se a capacidade da mesma em ajustar as curvas para as componentes real e imaginária da permissividade para uma grande variedade de materiais dielétricos. A partir das simulações e análises realizadas, ficou evidente a dependência do comportamento dielétrico com a temperatura, fato este que deverá ser abordado em trabalhos futuros. / With the improvement of miniaturization of electronic components and devices occurred in recent years, the use of dielectric materials and the need for accurate information about the dielectric behavior displayed by these materials has increased considerably. In this work is initially presented the motivations for the study of dielectric behavior and the modeling of the dielectric response function. From the theory proposed by Debye and identifying its peculiarities, are exploited some extensions of this model and analyzed the interpretation of response function proposed by these. Many models used to assume the existence of multiple interactions involving the dipoles with the dielectric medium, which contributed to the dynamics of the dielectric behavior, only later the multiple interactions won a connection between the dielectric response observed with the intrinsic properties of the materials. Through the model proposed by Dissado and Hill and assuming experimental data available in bibliography for some materials, was tested the validity of the response function resulting from the model, in which was veri ed the ability of the same to adjust the curves for the real and imaginary components of permittivity to a wide variety of dielectric materials. From the simulations and analyzes performed, was evident the dependence of dielectric behavior with temperature, a fact that should be discussed in future works.

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