Nanoporous GaN films are prepared by UV assisted electrochemical etching using HF solution as an electrolyte. To assess the optical quality and morphology of these nanoporous films, micro-photoluminescence (PL), micro-Raman scattering, scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) techniques have been employed. SEM and AFM measurements revealed an average pore size of about 85-90 nm with a transverse dimension of 70-75 nm. As compared to the as-grown GaN film, the porous layer exhibits a substantial photoluminescence intensity enhancement with a partial relaxation of compressive stress. Such a stress relaxation is further confirmed by the red shifted E₂(TO) phonon peak in the Raman spectrum of porous GaN. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

Pastarąjį dešimtmetį, intensyviai vystantis nanotechnologijoms, ženkliai išaugo technologinių metodų, įgalinančių suformuoti darinius, kuriuose elementų dydžiai būtų tarp 1 ir 100 nm, paieška. Šiai specifinei nanostruktūrinių medžiagų grupei skiriamas ypatingas dėmesys dėl naujų fizikinių reiškinių ir ypač - praktinių taikymų, kuriuos atveria šie dariniai. Šiame darbe aptariamos elektrocheminės technologijos, skirtos kontroliuojamos morfologijos porėtojo silicio formavimui. Suformuoti hibridiniai por-Si dariniai su metalais. Sukurta biomolekulių įterpimo į porėtuosius silicio darinius technologija bei tirta biomolekulių sąveika su kietakūniais padėklais. Nagrinėjami GaP nanodarinių formavimo elektrocheminio ėsdinimo būdu dėsningumai bei jų taikymo galimybės dujų sensoriuose. Įsisavinta nanoporėtųjų dielektrinių terpių ir hibridinių nanodarinių formavimo technologija bei tirtos jų savybės. / Over the past decade, the intensive development of nanotechnology was made to increase significantly the number of methods to form the structures of a size between 1 and 100 nm. It should be emphasized that nanostructured materials are interesting both because of perspectives in practical applications and new physical phenomena. In this work the electrochemical technique for the control of morphology of porous silicon matrix developed. Hybrid por-Si structures with metals were made. The method for infiltration of biomolecules into the porous silicon structures was developed and the interaction between silicon and bio-molecules was investigated. GaP nanostructures were formed by electrochemical etching and the possibilities of their application for gas sensors were estimated. Nanoporous and Fe-doped silica films on Si were made and the developed structures were characterized by their structural, optical or magnetic properties.

Over the past decade, the intensive development of nanotechnology was made to increase significantly the number of methods to form the structures of a size between 1 and 100 nm. It should be emphasized that nanostructured materials are interesting both because of perspectives in practical applications and new physical phenomena. In this work the electrochemical technique for the control of morphology of porous silicon matrix developed. Hybrid por-Si structures with metals were made. The method for infiltration of biomolecules into the porous silicon structures was developed and the interaction between silicon and bio-molecules was investigated. GaP nanostructures were formed by electrochemical etching and the possibilities of their application for gas sensors were estimated. Nanoporous and Fe-doped silica films on Si were made and the developed structures were characterized by their structural, optical or magnetic properties. / Pastarąjį dešimtmetį, intensyviai vystantis nanotechnologijoms, ženkliai išaugo technologinių metodų, įgalinančių suformuoti darinius, kuriuose elementų dydžiai būtų tarp 1 ir 100 nm, paieška. Šiai specifinei nanostruktūrinių medžiagų grupei skiriamas ypatingas dėmesys dėl naujų fizikinių reiškinių ir ypač - praktinių taikymų, kuriuos atveria šie dariniai. Šiame darbe aptariamos elektrocheminės technologijos, skirtos kontroliuojamos morfologijos porėtojo silicio formavimui. Suformuoti hibridiniai por-Si dariniai su metalais. Sukurta biomolekulių įterpimo į porėtuosius silicio darinius technologija bei tirta biomolekulių sąveika su kietakūniais padėklais. Nagrinėjami GaP nanodarinių formavimo elektrocheminio ėsdinimo būdu dėsningumai bei jų taikymo galimybės dujų sensoriuose. Įsisavinta nanoporėtųjų dielektrinių terpių ir hibridinių nanodarinių formavimo technologija bei tirtos jų savybės.