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Untersuchung und Modellierung intrapartikuärer Stofftransportmechanismen bei der Proteinaufreinigung durch Ionenaustauschchromatographie /

Susanto, Arthur. January 2006 (has links)
Zugl.: Dortmund, University, Diss.
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Impurity distributions in crystalline solid layer in melt crystallization /

Kim, Kwang-Joo. January 2002 (has links)
Halle, Wittenberg, University, Thesis (doctoral), 2001.
3

Modeling of thermodynamic properties in biological solutions

Cameretti, Luca F. January 2008 (has links)
Zugl.: Dortmund, Techn. Univ., Diss., 2008
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Inline-Online Erfassung von Prozessabläufen bei der Extraktreinigung im Zuckerfabrikationsprozess

Ajdari Rad, Mohsen. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2002--Berlin.
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Selective electroenzymatic reduction processes utilizing the thermophilic alcohol dehydrogenase from thermus sp. ATN 1

Höllrigl, Volker January 2008 (has links)
Zugl.: Dortmund, Techn. Univ., Diss., 2008
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Entwicklung eines zweidimensionalen, chromatographischen Trennverfahrens zur automatisierten Proteinreinigung

Peter, Christoph. Unknown Date (has links)
Techn. Universiẗat, Diss., 2000--Berlin.
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Lernfabrik Industrielle Bauteilreinigung - Entwicklung eines Test- und Schulungszentrums

Schricker, Felix 23 November 2018 (has links)
Aktuelle Arbeitsinhalte des Teams Industrielle Bauteilreinigung am Fraunhofer IVV Dresden sind filmische Verunreinigungen, Reinigungsanalysen und -optimierung, Reinigungstechnik, Verschmutzungssensorik und die Prozesskettenanalyse. Neben der vorhandenen Sachkenntnis zur wässrigen Bauteilreinigung erweitert das Fraunhofer IVV Dresden Know-How zu alternativen Verfahren zur Funktionsflächenreinigung wie der CO2-Schneestrahl-, Atmosphärendruckplasma- und Trockendampfreinigung. Im Vortrag wird deshalb das SAB/EFRE-geförderte Projekt 'Lernfabrik' vorgestellt, bei dem ein innovatives Reinigungszentrum für Anwender entsteht. Neben einem Zugang zu breitem Forschungsdienstleistungs- und Technologieportfolio werden zukünftig Beratungen und Schulungen angeboten.
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Enhancing the potential of simulated moving bed chromatography

Kessler, Lars Christian January 2009 (has links)
Zugl.: Magdeburg, Univ., Diss., 2009
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Metal surface contamination in c-Si solar cell processing

Buchholz, Florian 09 June 2016 (has links) (PDF)
Fe und Cu wurden als Schlüsselspezies für die Betrachtung von Oberflächenkontamination in der Prozessierung von c-Si-Solarzellen identifiziert. Studien mit gezielt aufgebrachten Metallkonzentrationen vor verschiedenen Passivierungs- und Diffusionsprozessschritten ergaben relativ hohe kritische Werte für Cu, außer bei thermischer Oxidation. Niedrige Werte wurden für beide Elemente vor Hochtemperaturschritten im n-Typ-Hocheffizienzprozess beobachtet, wobei sich die B-Diffusion als etwas weniger empfindlich darstellte. Temporäre Gettereffekte für Fe (in p-Typ-Si) und Cu (in n-Typ-Si) wurden beobachtet. Es zeigte sich, dass As-Cut-Wafer, unabhängig von der Sägeart (SiC-slurry oder Diamantdraht) sehr hohe Metallverunreinigungen (im Bereich 1*1011 – 5*1014 cm-2) in den Prozess einbringen. Das alkalische Ätzen verringert diese Menge kaum, was hohe Anforderungen an die anschließende Reinigung ergibt. Die Optimierung von HF/O3-Reinigungslösung für diese Flächen ergab beste Reinigungsergebnisse bei niedrigen HF-Konzentrationen, abhängig vom alkalischen Ätzschritt und anschließendem HCl/HF-Dip.
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Metal surface contamination in c-Si solar cell processing

Buchholz, Florian 23 May 2016 (has links)
Fe und Cu wurden als Schlüsselspezies für die Betrachtung von Oberflächenkontamination in der Prozessierung von c-Si-Solarzellen identifiziert. Studien mit gezielt aufgebrachten Metallkonzentrationen vor verschiedenen Passivierungs- und Diffusionsprozessschritten ergaben relativ hohe kritische Werte für Cu, außer bei thermischer Oxidation. Niedrige Werte wurden für beide Elemente vor Hochtemperaturschritten im n-Typ-Hocheffizienzprozess beobachtet, wobei sich die B-Diffusion als etwas weniger empfindlich darstellte. Temporäre Gettereffekte für Fe (in p-Typ-Si) und Cu (in n-Typ-Si) wurden beobachtet. Es zeigte sich, dass As-Cut-Wafer, unabhängig von der Sägeart (SiC-slurry oder Diamantdraht) sehr hohe Metallverunreinigungen (im Bereich 1*1011 – 5*1014 cm-2) in den Prozess einbringen. Das alkalische Ätzen verringert diese Menge kaum, was hohe Anforderungen an die anschließende Reinigung ergibt. Die Optimierung von HF/O3-Reinigungslösung für diese Flächen ergab beste Reinigungsergebnisse bei niedrigen HF-Konzentrationen, abhängig vom alkalischen Ätzschritt und anschließendem HCl/HF-Dip.

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