Seit 2002 kam ein neues Interesse an Germanium als Material für CMOS-Bauelemente auf, angetrieben durch die höhere Beweglichkeit der Ladungsträger im Vergleich zu Silizium. Für die Herstellung von Germanium MOSFETs bestehen allerdings noch einige Herausforderungen. Speziell die Problematik der hohen n-Dotierung für die Source- und Draingebiete der PMOS-Transistoren hat sich dabei als potentieller Roadblocker herauskristallisiert. Die geringe Aktivierung und die hohe Diffusivität der Donatoren in Germanium stellen ein Problem für die Herstellung von CMOS-Schaltkreisen aus Germanium dar. Als ursächlich dafür wurden Vakanzen identifiziert (Bracht et.al.). Um das Diffusions- und das Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium zu untersuchen, wurden p-Typ Germaniumwafer durch Ionenimplantation mit beiden Spezies dotiert und anschließend durch Rapid-Thermal-Annealing und/ oder Flash-Lamp-Annealing ausgeheilt. Zusätzlich wurden Experimente mit kodotierten und P-dotierten Proben mit verringerter Schichtkonzentration durchgeführt. Untersuchungen mit Rutherford-Backscattering-Spektroskopie und Transmissions-Elektronen-Mikroskopie werden durchgeführt, um die strukturellen Eigenschaften der Proben infolge der Implantation und der Ausheilung festzustellen. Mittels Sekundärionen-Massen-Spektroskopie wird die Dotandenkonzentration bestimmt. Es folgen elektrische Messungen des Schichtwiderstandes bei Raumtemperatur und in geeigneten Fällen bei Temperaturen unterhalb 10K. An ausgewählten Proben werden Hallmessungen durchgeführt. Die Gesamtheit der Analyseverfahren ermöglicht eine Analyse des Rückwachsverhaltens, der Diffusion und der elektrischen Aktivierung der Dotanden unter den verschiedenen Implantations- und Ausheilbedingungen. Die nach verschiedenen Methoden bestimmten Größen wie die Ladungsträgerkonzentration und -mobilität werden betrachtet und im Hinblick auf die Parameter der Probenpräparation analysiert und mit der Literatur verglichen. Abschließend werden mögliche Mechanismen zur Deaktivierung von Donatoren in Germanium erörtert.