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Elektromigrationsuntersuchungen an der Grenzfläche zwischen Kupferleitbahn und Kupferdiffusionsbarriere / Electromigration investigation at the interface of copper pathway and copper diffusion barrierWalther, Tillmann 01 June 2015 (has links) (PDF)
Aufgrund von guten Eigenschaften als Kupferdiffusionsbarriere und guter elektrischer Leitfähigkeit könnte sich Ruthenium und Ruthenium basierte Legierungen als Kupferdiffusionsbarriere eignen. Auf eine theoretische Aufarbeitung von Elektromigrationsmechanismen und in der Praxis eingesetzte Elektromigrationsteststrukturen folgen beschleunigte elektrische Elektromigrationstestergebnisse. Es konnte gezeigt werden, dass das System Kupfer, Ruthenium, Tantalnitrid Elektromigrationsstabiler als das konventionelle System Kupfer, Tantal, Tantalnitrid ist.
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