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Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons / Use of epitaxial silicon diodes in photon dosimetryPEREIRA, LILIAN N. 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:13Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:04:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Dissertação (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Desenvolvimento de detector de neutrons usando sensor tipo barreira de superficie com conversor (n,p) e conversor (n,alpha)MADI, TUFIC 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:43:27Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T13:56:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1
06629.pdf: 11734475 bytes, checksum: 26ac38190c26794def0e5ba95d87d535 (MD5) / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons / Use of epitaxial silicon diodes in photon dosimetryPEREIRA, LILIAN N. 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:13Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:04:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Neste trabalho são apresentados os resultados da caracterização dosimétrica de dois diodos especiais de silício, resistentes a danos de radiação, crescidos pelo método epitaxial com vistas a sua aplicação na monitoração em tempo real de feixes de fótons de qualidades de radiodiagnóstico convencional, mamografia e tomografia computadorizada, no intervalo de tensão de 28 kV a 150 kV. Os dispositivos utilizados, um submetido à pré-dose de 200 kGy de raios gama do 60Co no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do IPENCNEN/ SP, e outro sem qualquer irradiação prévia, foram processados na Universidade de Hamburgo a partir de uma camada epitaxial com 50 μm de espessura. Apenas para comparação, um diodo de Si crescido por fusão zonal padrão foi também estudado. As irradiações foram realizadas no Laboratório de Calibração de Instrumentos (LCI) do IPEN/CNEN-SP, onde está instalado um gerador de radiação X, Pantak-Seifert, Isovolt 160 HS, cujas qualidades de radiação foram verificadas por câmaras de ionização padronizadas. Os diodos foram ligados a um eletrômetro Keithley 6517B em modo fotovoltaico, com a distância do ponto focal do gerador aos diodos mantida em 1 m. Os principais parâmetros dosimétricos das amostras foram avaliados de acordo com a norma IEC61674. Os coeficientes de calibração dos diodos em termos do kerma no ar também foram determinados. Os diodos apresentaram excelente estabilidade de resposta em curto prazo para as qualidades estudadas, com coeficientes de variação em corrente equivalentes e não superiores a 0,3%. O comportamento das fotocorrentes em função da taxa de dose foi linear para os três dispositivos no intervalo de 0,8 a 77,2 mGy/min. As curvas carga-dose obtidas pela integração dos sinais de corrente tornaram evidente a ausência de dependência energética para feixes de mamografia e de radiodiagnóstico até 70 kV. O diodo epitaxial sem pré-dose apresentou maior sensibilidade em corrente e em carga em relação aos demais, com queda neste parâmetro de 8% após receber dose acumulada de 49 Gy. Até este limite de dose, as correntes de fuga dos dispositivos mantiveram-se estáveis em cerca de 0,4 pA ao longo das irradiações, sendo menores por um fator até 104 em relação às correntes em condição de irradiação. A variação da resposta direcional de ambos diodos para o intervalo de ± 5° foi inferior a 0,1 % e seus coeficientes de calibração para os feixes estudados foram determinados a partir dos padrões de referência do LCI. As alterações das características elétricas das amostras em função de danos de radiação foram também estudadas e não revelaram alteração significativa para tensão de polarização nula. Com base nos resultados obtidos até o presente e considerando as recomendações da norma IEC 61674, pode-se afirmar que diodos epitaxiais sem pré-dose e com pré-dose podem ser empregados de forma confiável na dosimetria de feixes de radiação eletromagnética para imagens médicas até o limite de dose acumulada de 10 Gy e acima de 206 kGy, respectivamente. / Dissertação (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Breakup reactions populating cluster states in 28Si and 24MgShawcross, Mark January 1999 (has links)
The 12C+16O breakup of 28Si and the 12C+12C breakup of 24Mg have been studied following the interaction of a 170 MeV 24Mg beam with 7Li, 9Be,12C and 16O target nuclei. The measurements were performed at the Australian National University in Canberra, using the technique of Resonant Particle Spectroscopy. The breakup fragments from the decay of the resonant nuclei were detected in two Gas-Si-CsI telescopes positioned on opposite sides of the beam axis. The data suggest that the same states in 28Si are populated via the 7Li(24Mg, 12C 16O)3H, 9Be(24Mg,12C 16O)5He and 12c(24Mg,12C 16O)8Be reactions. This implies that the cluster decaying states are populated by direct a-transfer. Breakup has been observed from states in 28Si at excitation energies (spins) of (26.15), 28.17 (13-, 29.51, 29.95, 30.45, 30.76, (31.3), 31.65, 31.90, 32.51, 33.14, 33.41, 33.77, 34.45 (12+,14+) and 35.13 MeV. A consistent theoretical interpretation of the 28Si molecular structures has been given, taking into account the predictions of Nilsson-Strutinsky, a-cluster model and two centre shell model calculations. The present results for the 12C(24Mg,12C 12C)12C reaction agree with previous measurements. In addition, new spin assignments have been proposed for several of the breakup states in 24Mg. States have been observed at excitation energies (spins) of 20.54 (2+), 21.07 (4+), 21.88 (4+), 22.33 (4+), 22.90 (6+), 23.80 (6+,(8+)), 24.56 (8+), 25.14 (6+), 25.72, 26.41 (8+) and 27.12 MeV. Evidence for the population of many of these states via the 16O(24Mg,12C 12C)16O reaction has also been observed. However, the data gave no evidence for either the 7Li(24Mg,12C 12C)7Li or 9Be(24Mg,12C 12C)9Be reactions. The presently available information did not allow an unambiguous determination of the reaction mechanism responsible for the population of the 24Mg breakup states. The performance of the Gas-Si-Csl telescopes has been investigated. For multiplicity 2 events in the silicon strip detectors, a crosstalk has been observed between the two active strips. The energy calibration of the silicon strip detectors for penetrating particles has also been found to differ to that for stopped particles. Empirical corrections for both of these effects have been deduced allowing the simultaneous detection and identification of heavy and light ions within a single telescope. These techniques have been extended to the detection of 8Be → alpha+alpha events over a wide range of alpha-particle energies.
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