L'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) présente une bonne transparence dans le visible<br />et une importante conductivité électrique. Ce travail est consacré à l'étude des performances<br />de films minces multicouches d'ITO obtenus par la voie sol-gel.<br />La microscopie électronique en transmission (MET) a permis d'analyser morphologie<br />et structure, et a mis en évidence pour la première fois la structure complexe de tels films solgel.<br />La MET et l'analyse par rétrodiffusion de particules α ont précisé la corrélation entre la<br />densité des multicouches, l'apparition de croûtes intermédiaires et la conductivité électrique<br />résultante.<br />Ce travail valide l'utilisation du recuit rapide pour la densification des films sol-gel en<br />comparaison avec un traitement classique.<br />Nous démontrons la potentialité de la voie sol-gel pour la croissance d'électrodes<br />d'ITO sur silicium poreux (SP). Les structures ITO/SP, pour lesquelles la photoluminescence<br />du SP est partiellement préservée, ont été étudiées en terme de diode Schottky.