Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 434645.pdf: 2873661 bytes, checksum: 6694c7a444c8a14c7c6a3a5f6dbc2b1f (MD5) Previous issue date: 2011-09-08 / Este trabalho apresenta o estudo e o desenvolvimento da modelagem din?mica de pequenos do conversor ZETA operando no modo de condu??o descont?nuo, alimentado a partir de pain?is solares fotovoltaicos, para conex?o ? rede el?trica. Inicialmente, ? apresentado um estudo das principais caracter?sticas das c?lulas solares. Uma an?lise profunda sobre o conversor ZETA operando em regime permanente ? realizada, considerando que o mesmo sintetiza uma onda senoidal retificada de baixa freq??ncia. O conversor ? analisado tanto na freq??ncia de comuta??o como na freq??ncia da rede el?trica. Esta caracter?stica transforma este conversor em uma pe?a fundamental na implementa??o do inversor m?dulo integrado para sistemas fotovoltaicos. Um exame detalhado do comportamento din?mico do conversor ? realizado atrav?s da abordagem do modelo m?dio no espa?o de estados, resultando em um modelo linear anal?tico descrito em vari?veis de estado. Em todas as an?lises se assume a rede el?trica comercial como uma carga com comportamento resistivo (vari?vel). Por fim, o modelo din?mico anal?tico obtido ? validado atrav?s de simula??es computacionais e atrav?s de ensaios laboratoriais em um prot?tipo especialmente elaborado para este fim

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 402013.pdf: 142332 bytes, checksum: cff810ef59b72c282454906ddd24fa55 (MD5) Previous issue date: 2008-03-19 / O objetivo desta disserta??o foi o desenvolvimento de t?cnicas para a obten??o de emissores seletivos para fabrica??o de c?lulas solares de alta efici?ncia. Uma regi?o seletiva de BSF (Back Surface Field) foi obtida por meio do desenvolvimento da t?cnica A, com emprego de radia??o laser. O equipamento utilizado ? um laser de estado s?lido Nd:YAG, com comprimento de onda do infravermelho pr?ximo (1,064 μm) e perfil de distribui??o de energia gaussiano. Foram utilizados os materiais 1, 2 e 3. O emissor seletivo na regi?o n+ frontal foi obtido por meio de duas t?cnicas (B e C), ambas com a utiliza??o de difus?o por laser: A melhor configura??o de emissor seletivo para a t?cnica B apresentou resist?ncia de folha da ordem de 17 Ω/ e de 178 Ω/, para as regi?es n++ e n+, respectivamente. Para a t?cnica C, concluiu-se que a presen?a de ?xido de sil?cio rico em f?sforo ? necess?ria para obter o emissor seletivo. O melhor resultado em termos da resist?ncia de folha foi de 20 Ω/ (n++) e de 40 Ω/ (n+).

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 407094.pdf: 2537836 bytes, checksum: f586d6566f591ca83834bce9d1c5232b (MD5) Previous issue date: 2008-08-27 / O objetivo deste trabalho foi fabricar e caracterizar prot?tipos do m?dulo concentrador est?tico plano, denominado de MEC-P. Este concentrador ? constitu?do de tiras de c?lulas solares bifaciais e um plano refletor difuso branco. A radia??o refletida pelo sistema ?ptico alcan?a a face posterior das c?lulas bifaciais, resultando em uma concentra??o ?ptica da ordem de 1,5. Dois prot?tipos foram fabricados: o prot?tipo A, com dimens?es de 615 mm x 315 mm x 60 mm, e o prot?tipo B, com 615 mm x 365 mm x 60 mm. As dimens?es usadas est?o baseadas em trabalhos anteriores de otimiza??o do MEC-P, sendo que a diferen?a entre o prot?tipo A e o prot?tipo B ? a dist?ncia entre a tira mais externa e a borda do m?dulo. Tintas brancas comerciais foram testadas para serem utilizadas no plano refletor e encontrou-se a tinta Hammerite?, com reflet?ncia m?dia acima de 90 % na faixa de comprimentos de onda de 400 nm a 1050 nm. A tinta selecionada foi envelhecida em condi??es externas e em c?mara de envelhecimento acelerado por radia??o ultravioleta. Observou-se que a tinta sofreu degrada??o de sua reflet?ncia ap?s o teste com radia??o ultravioleta, mas quando colocada sob uma chapa de vidro laminada com acetato de vinila, a reflet?ncia das amostras n?o se alterou. Os prot?tipos foram instalados em Porto Alegre, com ?ngulo de inclina??o em rela??o a horizontal de 48? e com as tiras orientadas no eixo leste-oeste ou nortesul. Para caracterizar os prot?tipos, c?lulas solares foram instaladas para medi??o da irradi?ncia incidente em seis regi?es dos mesmos e para avalia??o da temperatura de opera??o. Considerando como par?metro de compara??o a concentra??o ?ptica (COP) para a pior condi??o de irradi?ncia na face posterior das c?lulas bifaciais, observou-se que o prot?tipo B com as tiras orientadas no eixo norte-sul apresentou a maior COP e, principalmente, constante durante o per?odo de maior irradi?ncia em dias sem nuvens. Os prot?tipos do MEC-P apresentaram temperaturas de opera??o de 15 ?C a 26 ?C acima da temperatura ambiente, similar a encontrada em m?dulos convencionais.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 407306.pdf: 3963785 bytes, checksum: 3ea7aaad5a5a440440daf236d1209f00 (MD5) Previous issue date: 2008-08-31 / Esta disserta??o teve como objetivo a fabrica??o e caracteriza??o de prot?tipos de m?dulos fotovoltaicos para an?lise dos materiais utilizados no encapsulamento dos mesmos. Os prot?tipos foram submetidos a testes de corros?o por n?voa salina, teste de ciclos t?rmicos, teste ciclo t?rmico seguido de umidade e congelamento, teste de exposi??o ? radia??o ultravioleta e a exposi??o ? radia??o solar (exposi??o externa). Estes prot?tipos foram caracterizados opticamente e eletricamente antes e ap?s cada teste. Os testes foram realizados baseados nas normas do Programa Brasileiro de Etiquetagem (PBE), Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica, Instituto Nacional de Metrologia, Normaliza??o e Qualidade Industrial (INMETRO) e nas normas 61215 da International Electrotechnical Commission (IEC). Na inspe??o visual ap?s os testes, 90 % das amostras n?o apresentaram mudan?as significativas. Somente ap?s o teste de ciclos t?rmicos e teste de umidade e congelamento foram observadas altera??es na superf?cie dos vidros e delamina??o em ?rea pr?xima a barra coletora de uma c?lula solar. Na an?lise de reflet?ncia de diferentes regi?es dos prot?tipos n?o foram evidenciados processos de delamina??o ou descolora??o ap?s os testes. Concluiuse que, considerando os testes realizados, n?o houve degrada??o significativa dos materiais encapsulantes EVA Etimex 485 e filme posterior Akasol PTL 3-38/75 e tampouco rea??es entre EVA e filme anti-reflexo de TiO2 e metaliza??o serigr?fica. Foram observadas degrada??es nas caracter?sticas el?tricas dos prot?tipos, com um percentual de aprova??o de todos os prot?tipos igual a 60 % no teste de n?voa salina, 75 % no teste de exposi??o ? radia??o ultravioleta, 50 % no teste de exposi??o externa, 75 % no teste de ciclos t?rmicos e 75 % no teste de ciclo t?rmico seguido de umidade e congelamento. Em rela??o ao tipo de selante utilizado nas bordas dos m?dulos, observou-se que aqueles selados com fita Lohmann apresentaram os melhores resultados nos testes, exceto no de exposi??o externa.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 418872.pdf: 16917995 bytes, checksum: fad9c8b15b907ff1192170e6f2c82728 (MD5) Previous issue date: 2009-07-22 / A produ??o de energia el?trica por meio do efeito fotovoltaico requer o uso de dispositivos chamados de c?lulas solares. Dentre as etapas de fabrica??o de c?lulas solares a partir de l?minas de Si, a introdu??o de elementos dopantes pelo processo de difus?o ? a respons?vel pela forma??o da jun??o p-n, tornando as l?minas de Si pass?veis de converter a radia??o solar em energia el?trica. Para a realiza??o deste processo s?o utilizados equipamentos denominados de fornos de difus?o. O principal objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento e caracteriza??o de um forno de difus?o convencional para a fabrica??o de c?lulas solares com aresta de at? 150 mm. Foi realizado o projeto e montagem dos componentes do forno, assim como a caracteriza??o t?rmica do mesmo com a defini??o da zona plana de temperatura e an?lise da uniformidade t?rmica radial. O forno foi projetado e desenvolvido em m?dulos que correspondem ao sistema de aquecimento, ao conjunto de componentes de quartzo e SiC, ? estrutura, ao arm?rio de gases, ao sistema de carregamento, ao sistema de fluxo laminar, ao sistema de exaust?o, ao isolamento t?rmico e ao sistema de controle. Para a caracteriza??o t?rmica do forno, foram utilizados nove termopares do tipo K, permitindo a medi??o da temperatura no interior do tubo de processamento nos sentidos longitudinal e radial. O forno foi analisado para as temperaturas de 725 ?C, 800 ?C, 875 ?C e 965 ?C no interior do tubo. Em 875 ?C verificou-se uma zona plana de aproximadamente 200 mm como uma varia??o de at? 5 ?C no sentido longitudinal e at? 4 ?C no sentido radial.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 421791.pdf: 1283062 bytes, checksum: e3aff10753365da17e18a35994e82590 (MD5) Previous issue date: 2010-01-27 / O Sol ? fonte de energia renov?vel e o seu uso para produzir energia el?trica ? uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energ?ticos e ambientais do novo mil?nio. O sil?cio ? o segundo material mais abundante da Terra. Este material ? largamente usado na ind?stria de c?lulas solares e microeletr?nica, apresenta baixos ?ndices de contamina??es e permite a fabrica??o de dispositivos de alta durabilidade. O Si tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior toler?ncia a impurezas, tais como ferro e oxig?nio, por apresentar degrada??o reduzida e maior tempo de vida dos portadores minorit?rios. O objetivo deste trabalho est? centrado no desenvolvimento de um processo de fabrica??o industrial de c?lulas solares p+nn+, pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, sobre sil?cio crescido por fus?o zonal flutuante (Si-FZ) tipo n, com metaliza??o por serigrafia. A regi?o p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difundido a alta temperatura em forno convencional. A dopagem da regi?o p+ foi otimizada considerando as caracter?sticas el?tricas das c?lulas solares. A temperatura de difus?o foi variada de 900 ?C a 1020 ?C e os tempos de 10 min a 40 min. A passiva??o de superf?cie foi implementada utilizando SiO2 o que demonstrou n?o ser eficaz para reduzir a recombina??o de superf?cie. Os melhores dispositivos foram fabricados com difus?o de boro a 1000 ?C por 30 min, sem passiva??o de superf?cie, atingindo-se efici?ncias de 14,6 %.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 433800.pdf: 7490871 bytes, checksum: d20f63bf6a8349b832e9ae982f4f6b0a (MD5) Previous issue date: 2011-08-26 / Este trabalho tem como objetivo desenvolver e otimizar processos industriais para a fabrica??o de c?lulas solares em sil?cio multicristalino tipo p com estruturas n+pn+ e n+pp+. Para a obten??o da segunda estrutura, al?m da regi?o n+, foi necess?rio otimizar experimentalmente a regi?o p+ com difus?o de alum?nio. A inova??o deste trabalho consiste no desenvolvimento de c?lulas solares n+pp+ em sil?cio multicristalino e com metaliza??o por serigrafia, utilizando apenas um ?nico passo t?rmico para a difus?o dos dopantes f?sforo e alum?nio, e na compara??o das c?lulas desenvolvidas n+pn+ e n+pp+. Neste trabalho, foi otimizado o processo de textura??o isotr?pico utilizando solu??o ?cida. Um processo de textura??o por radia??o laser foi implementado e os resultados foram comparados com a reflet?ncia resultante da textura??o em solu??o ?cida. Obteve-se reflet?ncia m?dia de 23 %, para o processo com solu??o ?cida, e de 19,6 % para o processo com radia??o laser. O tempo de processamento da textura??o com radia??o laser ? elevado, encarecendo o processo. Portanto, optou-se pelo processo com ataque qu?mico ?cido. Constatou-se que a efici?ncia m?dia de c?lulas solares n+pn+ sem textura??o foi de 11,3 %, aumentando em 2 % (absoluto), quando foi implementada a textura??o em solu??o ?cida. Para o processo desenvolvido para fabrica??o de c?lulas sem campo retrodifusor, a maior efici?ncia alcan?ada foi de 13,8 %, com JSC = 29,3 mA/cm2, VOC = 595 mV e FF = 0,79. A efici?ncia m?xima encontrada para c?lulas n+pp+ foi de 14,1 % e os valores dos par?metros el?tricos foram: JSC = 30,2 mA/cm2, VOC = 592 mV e FF = 0,78. Concluiu-se que a regi?o de BSF n?o provoca melhora significativa na efici?ncia dos dispositivos, e que a pequena diferen?a entre as efici?ncias obtidas com as melhores c?lulas n+pn+ e n+pp+ devese a maior densidade de corrente de curtocircuito apresentada pelo dispositivo com BSF de Al

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 438708.pdf: 1265102 bytes, checksum: 1d86058013f27ca81544706e2f78b901 (MD5) Previous issue date: 2012-03-27 / The aim of this thesis was to develop and compare methods for the formation of the back surface field and emitter with boron using n-type and p-type solar-grade Si-Cz wafers as well as analyze and optimize a manufacturing process of solar cells with structure n+pp+ and back surface field formed by boron. The highly doped p+ region was formed by spin-on deposition of the liquid dopants PBF15 and PBF20 and diffusion in standard quartz tube furnace. It was found that with diffusion at 900 ?C, it is possible to obtain the suitable sheet resistance to form the emitter. However, to form the back surface field, the boron diffusion should be implemented at 1000 ?C. For both temperatures, the sheet resistance obtained in n-type substrate is higher than that measured in p-type wafers, independent of diffusion time. Boron diffusion, in general, increases the minority carrier lifetime (τ) in p-type wafers and it decreases in n-type substrates. However, the average value after the boron diffusion is high in n-type samples, because the initial value of τ in this type of substrate is approximately 150 % higher than in p-type wafers. The results are similar for both dopants evaluated and they are slightly better for the dopant PBF20. The best bulk minority carrier lifetime after the boron diffusion occurred to the temperature of 1000 ?C and diffusion time of 20 minutes for both types of substrates. In the optimization of the fabrication process, it was found that the type of gas at the entrance of the wafers in the quartz tube to phosphorus diffusion slightly influences the efficiency of solar cells and the best results were found for the oxidation times of 30 minutes and 40 minutes.The firing temperature of the metallization pastes of 830 ?C gave the highest efficiency of 13,7 % for the belt speed of 200 cm/min, due to the increased fill factor. The better efficiency was obtained to phosphorus diffusion temperature of 920 ?C. The efficiency obtained with the dopant PBF25 is slightly higher than that obtained with dopant PBF20 due to the small difference in fill factor and short-circuit current density. The greater efficiency of 14.1% was obtained with this dopant. The reduction in the percentage area of the metal grid on the back side of 52.5 % to 9.4 %, slightly affects the performance of solar cells. With the increase of the solar cell area from 4 cm2 to 61.58 cm2, the efficiency decreased from 14.2 % to 13.0 % due to the reduction of the short-circuit current density. Solar cells with back surface field formed by aluminum efficiency reached 15.4 % and devices presented higher shortcircuit current density. The developed cells with back surface field formed by boron diffusion presented higher open circuit voltage, thus demonstrating that cells with p+ back surface field formed with boron was more effective. / O objetivo desta tese foi desenvolver e comparar processos para a forma??o do campo retrodifusor e do emissor com boro em substratos de sil?cio Czochralski (Si-Cz) tipo n e tipo p grau solar, bem como otimizar e analisar um processo de fabrica??o de c?lulas solares com estrutura n+pp+ e campo retrodifusor formado por boro. A regi?o altamente dopada p+ foi formada pela deposi??o por spin-on dos dopantes l?quidos PBF15 e PBF20 e posterior difus?o em forno convencional. Verificou-se que com difus?o a 900 ?C foi poss?vel obter a resist?ncia de folha adequada para formar o emissor. Por?m, para formar o campo retrodifusor a difus?o deveria ser implementada a 1000 ?C. Para as duas temperaturas avaliadas, a resist?ncia de folha em substratos tipo n foi maior que em substratos tipo p, independente do tempo de difus?o. Constatou-se que a difus?o de boro, em geral, aumenta o tempo de vida dos portadores minorit?rios (τ) na base em amostras tipo p e diminui em substratos tipo n. Por?m, como o valor do τ inicial ? aproximadamente 150 % maior em amostras do tipo n que em tipo p, o valor m?dio ap?s a difus?o de boro ? maior neste tipo de substrato. Os resultados s?o similares para os dois dopantes avaliados, sendo ligeiramente melhores para o dopante PBF20. O melhor valor de τ na base ap?s a difus?o de boro ocorreu para a temperatura de 1000 ?C e tempo de difus?o de 20 minutos, para os dois tipos de substratos. Na otimiza??o do processo de fabrica??o, verificou-se que o tipo de g?s na entrada das l?minas no tubo de quartzo para a difus?o de f?sforo influencia muito pouco na efici?ncia das c?lulas solares e que os melhores resultados foram encontrados para os tempos de oxida??o de 30 minutos e 40 minutos.Para a temperatura de queima das pastas de metaliza??o de 830 ?C obteve-se a maior efici?ncia de 13,7 % para a velocidade de esteira de 200 cm/min, devido ao aumento no fator de forma. Constatou-se que a melhor efici?ncia foi obtida para a temperatura de difus?o de f?sforo de 920 ?C. A efici?ncia obtida com o dopante PBF25 ? um pouco maior que a obtida com dopante PBF20 devido ? pequena diferen?a no fator de forma e na densidade de corrente de curto-circuito. A maior efici?ncia, de 14,1 % foi obtida com este dopante. A redu??o do percentual da ?rea da malha de metaliza??o na face posterior de 52,5 % para 9,4 %, praticamente n?o afeta o desempenho das c?lulas solares. Com o aumento da ?rea das c?lulas solares de 4 cm2 para 61,58 cm2, a efici?ncia diminuiu de 14,2 % para 13,0 % devido ao decr?scimo da densidade de corrente de curto-circuito. C?lulas solares com campo retrodifusor de alum?nio atingiram a efici?ncia de 15,4 % e apresentaram maior densidade de corrente de curto-circuito. As c?lulas desenvolvidas com campo retrodifusor de boro apresentaram tens?o de circuito aberto maior, demonstrando que o campo retrodifusor nas c?lulas com regi?o p+ formada com boro foi mais eficaz.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 445207.pdf: 16170539 bytes, checksum: 41842e991640c224b673f681192cc03b (MD5) Previous issue date: 2013-01-10 / Research has been carried out for the development and manufacturing of solar cells in n-type silicon wafers, and one of the key issues for this development is the surface passivation of boron doped emitter in the p+nn+ structure. An alternative to the passivation of p+-type surfaces is the implementation of a floating junction, ntype, to reduce the surface recombination. The aim of this work was to implement a n+ region on the front surface of industrial solar cells p+nn+ by using a simplified method, producing the (n+)p+nn+. Liquid dopants deposited by spin-on were used and the diffusion thermal process was performed in a belt furnace in order to obtain the floating n+ region. Front metal grid based on Ag or Ag/Al was deposited by screenprinting and it etched-through the n+ region to establish the frontal contact of the (n+)p+nn+, creating a floating n+ region between the metal fingers. Diffusion temperature and belt speed were varied in order to obtain a n+ region that inverted the p+ emitter surface. It was observed that inversion only was confirmed by hot probe test for a diffusion temperature (TD) of 900 ?C and belt speed (V E) of 50 cm/min, with two passes through the furnace. However, the processes carried out in the same temperature and VE = 50 cm/min, 100 cm/min and 133 cm/min presented phosphorus profiles (measured by ECV, electrochemical capacitance-voltage profiling) that can produce inversion of the surface p+ to n+. The best solar cell fabricated with n+ region on p+ was processed with TD = 900 ?C and V E = 133 cm/min and presented the following electrical characteristics: VOC = 573 mV, JSC = 33.4 mA/cm2, FF = 0,51 and h= 9.6%. By one- and two-dimensional simulations of the (n+)p+nn+ structure, it was confirmed that the produced solar cells presented low shunt resistance due to the leakage currents in the n+ region deposited on the emitter which decreased the cell efficiency when compared with those with p+nn+ structure / Pesquisas t?m sido realizadas para o desenvolvimento e fabrica??o de c?lulas solares em l?minas de sil?cio tipo n, sendo que uma das quest?es chave para esse desenvolvimento ? a passiva??o da superf?cie do emissor dopado com boro na estrutura p+nn+. Uma alternativa para a passiva??o de superf?cies de tipo p+ ? a implementa??o de uma jun??o flutuante, tipo n, para reduzir a recombina??o em superf?cie. O objetivo desse trabalho foi implantar, por um m?todo simplificado, regi?es tipo n+ sobre a superf?cie frontal de c?lulas solares p+nn+ industriais, formando a estrutura (n+)p+nn+. Para produzir experimentalmente a regi?o n+ flutuante, usaram-se l?quidos dopantes depositados por spin-on e realizou-se o processo t?rmico de difus?o em forno de esteira. A malha met?lica frontal de Ag ou Ag/Al foi depositada por serigrafia e perfurou a regi?o n+ para estabelecer o contato frontal da c?lula (n+)p+nn+, formando-se uma regi?o n+ flutuante entre as trilhas met?licas. Foram variadas a velocidade de esteira e a temperatura, durante o processo de difus?o de f?sforo, a fim de obter uma regi?o n+ que invertesse superficialmente a regi?o p+. Observou-se que a invers?o da regi?o p+ para n+ somente se confirmou pela t?cnica da ponta quente para uma temperatura de difus?o (TD) de 900 ?C e velocidade de esteira (VE) de 50 cm/min, com duas passagens pelo forno. No entanto, as medidas de perfis realizadas indicaram que processos na mesma temperatura e VE = 50 cm/min, 100 cm/min e 133 cm/min, tamb?m poderiam produzir uma invers?o da superf?cie de p+ para n+. A melhor c?lula solar fabricada com regi?o n+ sobre p+ foi processada com TD = 900 ?C e V E= 133 cm/min e apresentou as seguintes caracter?sticas el?tricas: VOC = 573 mV, JSC = 33,4 mA/cm2, FF = 0,51 e h = 9,6 %. Utilizando simula??es uni e bidimensionais da estrutura (n+)p+nn+ confirmou-se que as c?lulas solares produzidas obtiveram baixa resist?ncia em paralelo devido a correntes de fuga na regi?o n+ depositada sobre o emissor e que diminu?ram a efici?ncia das c?lulas quando comparadas com aquelas de estrutura p+nn+.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 445280.pdf: 9550362 bytes, checksum: 89bd2eb9be946101305ba1c7cc3020ee (MD5) Previous issue date: 2012-12-06 / The main goal of the solar cell industry is to obtain high efficiency and low production cost. One line of action is to increase the efficiency of industrial solar cell . The goal of this dissertation is to develop n+pn+ solar cells in p-type Si-Cz wafer, solar grade, with metallization by screen printing and to evaluate the influence of the n+ emitter and PV159 and PV16A silver pastes on cell efficiency. Parameters such as time, temperature of phosphorus diffusion, annealing, metal paste firing and antireflection coating thickness were optimized experimentally. We also evaluated the influence of the shadow factor metal grid, and the POCl3 concentration during P diffusion. For the metallization with the PV159 paste, it was concluded that the diffusion temperature (TD) of 875 ?C and sheet resistance (R□) de 59 Ω/□ results in better efficiency of 13.7 %. With the increase in TD to 900 ?C it was found that all electrical parameters tend to decrease with increasing of R□ and the better efficiency obtained was 13.4 %. It was verified that the annealing after the phosphorus diffusion hardly affects the efficiency of solar cells, however, slightly increases the junction depth. The belt speed and the temperature of the PV159 paste firing process resulting in higher efficiency and fill factor (FF) were 240 cm/min and 840 ?C, respectively. It was shown that the reduction of the shadow factor from 9.4 % to 8.2 %, increased the JSC without decreasing the FF. With the PV16A paste, the TD of 875 ?C results in efficiency of 13.7 %, due to the elevated FF. However, with the reduction of TD to 850 ?C, the FF is reduced due to the increase of R□. With the introduction of annealing step, the JSC decreased, but the FF increased, raising the efficiency from 10.8 % to 13.2 %. The use of POCl3 concentration of 0.1 % without reducing O2 and N2 flows resulted in better efficiency for cells with PV16A paste, achieving 13.9 %. Jointly with the increase of FF, the R□ decreased, limiting the JSC. The reduction of the gas flows led to lower values of JSC, due to the increase of "dead zone" thickness. For both pastes, the FF decreased with the increase of R□. / O principal objetivo da ind?stria de c?lulas solares ? obter alta efici?ncia e baixo custo de produ??o. Uma das linhas de atua??o ? o aumento da efici?ncia de c?lulas solares industriais. O objetivo desta disserta??o ? desenvolver c?lulas solares n+pn+ em l?minas de Si-Cz do tipo p, grau solar, com metaliza??o por serigrafia e avaliar a influ?ncia do emissor n+ e das pastas de prata PV159 e PV16A. Par?metros como tempo, temperatura da difus?o de f?sforo, recozimento, processo de queima das pastas met?licas e espessura do filme antirreflexo foram otimizados experimentalmente. Tamb?m foi avaliada a influ?ncia do fator de sombra relativo ? malha met?lica, da concentra??o de POCl3 durante a difus?o de f?sforo. Para a metaliza??o com a pasta PV159, concluiu-se que a temperatura de difus?o (TD) de 875 ?C e resist?ncia de folha (R□) de 59 Ω/□ resultam na melhor efici?ncia de 13,7 %. Com o aumento da TD para 900 ?C verificou-se que todos os par?metros el?tricos tendem a diminuir com o aumento da R□, e a melhor efici?ncia obtida foi de 13,4 %. Verificou-se que o recozimento ap?s a difus?o de f?sforo praticamente n?o afeta a efici?ncia das c?lulas solares, por?m, aumenta levemente a profundidade da jun??o. A velocidade de esteira e a temperatura de queima para a pasta PV159 que resultaram em maior efici?ncia e maior fator de forma (FF) foram, 240 cm/min e 840 ?C, respectivamente. Comprovou-se que a diminui??o do fator de sombra de 9,4 % para 8,2 %, aumentou a JSC sem reduzir o FF. Com a pasta PV16A, a TD de 875 ?C resultou na efici?ncia de 13,7 %, devido ao elevado FF. No entanto, com a redu??o da TD para 850 ?C, o FF sofre redu??o, devido ao aumento da R□. Com a introdu??o da etapa de recozimento, a JSC diminuiu, por?m o FF aumentou, elevando a efici?ncia de 10,8 % para 13,2 %. A concentra??o de POCl3 de 0,1 % sem redu??o da vaz?o de O2 e N2 resultou na melhor efici?ncia para c?lulas com a pasta PV16A, de 13,9 %. Juntamente com o aumento do FF, a R□ diminuiu, limitando a JSC. A redu??o do fluxo dos gases levou a valores menores de JSC, devido ao aumento da espessura da zona morta. Para ambas as pastas, o FF reduziu-se com o aumento da R□.