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LASERS CR3+ : LISAF pompés par diodesFalcoz, Franck 03 June 1996 (has links) (PDF)
Ce mémoire concerne l'étude de systèmes laser utilisant le cristal de cr3+:lisaf comme milieu amplificateur. Ce dernier posséde une large bande d'émission entre 800 et 1000 nm, ainsi qu'une large bande d'absorption entre 600 et 700 nm. Depuis 1993, des diodes laser de puissance sont disponibles a ces longueurs d'onde (670 nm). Malgre leurs mauvaises qualites spatiales, il est possible, en choisissant correctement les systèmes optiques, de realiser un pompage efficace de ce cristal. Nous avons développé des oscillateurs cr3+:lisaf pompes par diodes et délivrant quelques centaines de mw en regime continu, entre 800 et 900 nm. Nous avons teste differentes configurations de pompage et de cavite, et recueilli des informations sur ce cristal, en particulier sur son efficacite comme materiau laser. Les résultats étant satisfaisants, nous avons teste le fonctionnement de ce laser pour deux régimes impulsionnels différents. Le premier oscillateur impulsionnel réalise nous a permis d'obtenir des impulsions de quelques dizaines de picosecondes, limitées par la transformée de fourier et accordables sur 100 nm. Ces impulsions sont produites par blocage de modes actif a l'aide d'un modulateur acousto-optique. Le deuxieme oscillateur realise, nous a permis d'obtenir des impulsions femtosecondes en utilisant l'effet kerr optique. Ainsi nous avons obtenu des impulsions de 50 fs pour une puissance moyenne de 40 mw. Les caracteristiques obtenues placent cet oscillateur parmi les premiers sur la scene internationale. Les energies produites par ces oscillateurs etant faibles, il est necessaire d'utiliser un amplificateur. Pour optimiser les performances de ce dernier, nous avons développé une simulation theorique permettant de calculer le gain disponible dans le laser, en tenant compte de facteurs limitant tels que l'upconversion ou les effets de l'échauffement du cristal (quenching). Cette modelisation, permet d'evaluer l'influence de divers paramètres, et en particulier du pompage, sur le gain. Sa validite a ete confirme par la realisation d'un oscillateur déclenche délivrant quelques j.
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Développement de nouvelles sources laser accordables dans l'infrarouge proche autour du cristal de lisaf dope avec l'ion cr#3#+Balembois, François 04 February 1994 (has links) (PDF)
Le sujet de ce mémoire concerne l'étude de systèmes laser utilisant un cristal de cr#3#+:lisaf comme milieu amplificateur. Ce cristal, découvert en 1989, possède une bande d'absorption, entre 600 et 700 nm, qui encadre la longueur d'onde d'émission des diodes laser rouges en gaalinp (670 nm) et une large bande d'émission dans l'infrarouge proche, entre 800 et 1000 nm. C'est l'un des meilleurs candidats a la realisation de lasers solides accordables pompes par diodes. En prevision de la commercialisation des premieres diodes laser rouges de puissance, nous avons tout d'abord utilise comme source de pompage un laser a krypton ionise emettant a 647 nm et 676 nm. Ce laser nous a permis de tester le cristal de cr#3#+:lisaf dans differentes configurations de fonctionnement. D'une part, en regime continu, nous avons obtenu des performances comparables a celles des lasers a saphir dope au titane; la seule grande difference se situant au niveau des problemes thermiques, beaucoup plus importants dans le cr#3#+:lisaf. D'autre part, en regime impulsionnel, nos systemes laser prouvent que le cr#3#+:lisaf est bien adapte a la production d'impulsions de quelques microjoules, accordables, a un taux de repetition eleve, sur une gamme temporelle s'etalant de la nanoseconde a la femtoseconde. Nous avons, ensuite, defini et realise un laser cr#3#+:lisaf pompe par une diode laser de 500 mw fonctionnant en regime quasi continu. Aujourd'hui (janvier 1994), ce laser est le plus puissant des lasers cr#3#+:lisaf pompes par diode laser rouge mentionnes dans la litterature. Nous avons repris, par la suite, les memes composants optiques pour realiser l'un des premiers lasers cr#3#+:lisaf a modes bloques, pompes par diode, delivrant des impulsions picosecondes accordables sur plus de 70 nm
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