Orientador : Bernard Waldman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:47:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Araujo_GuidoCostaSouzade_M.pdf: 7097802 bytes, checksum: 3989d5131b3e9436f6f55fc6d620a10e (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Rui Fragassi Souza , David Anthony Rogers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T15:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hung_WangWen_M.pdf: 2960132 bytes, checksum: 8b124e7029511d12796d7f571aab5f47 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: A finalidade deste estudo e apresentar os conceitos básicos para o projeto de amplificadores de microondas utilizando transistores bipolares. O transistor, neste trabalho, e considerado como um quadripolo que é caracterizado pelos parâmetros de espalhamento. Os parâmetros de espelhamento (parâmetros S) são medidos no ponto quiescente escolhido em uma certa faixa da frequência desejada (1 a 2 GHz). A regra para projetar os amplificadores de faixa estreita pode ser resumida como segue: (1) Calcular um conjunto de círculos de ganho de potência utilizando os parâmetros S e desenhar os círculos na Carta de Smith; (2) Selecionar o ganho desejado e determinar os correspondentes coeficientes de reflexão de entrada e de saída do quadripolo; (3) Sintetizar os circuitos de casamento que transformam as impedâncias (50?) do gerador e da carga às impedâncias correspondentes aos coeficientes de reflexão de entrada e de saída, respectivamente. O projeto de amplificadores de faixa larga, pelo método clássico, é feito adicionando-se na entrada e na saída do transistor um circuito de casamento de impedância que compense a variação do ganho transdutivo unilateral do transistor com a frequência. A otimização desses circuitos de casamento na entrada e na saída é feita por um processo de tentativa neste trabalho. Um amplificador de máximo ganho e um amplificador com faixa de uma oitava, foram projetados e construídos com auxílio de um computador; o desempenho dos amplificadores foi medido e verificado estar próximo das previsões dos estudos teóricos. / Abstract: The purpose of this study is to present the basic concepts for designing microwave bipolar transistor amplifiers. In this work the transistor is considered to be a two-port device characterized by the scattering parameters. These scattering (S) parameters are measured for specific bias conditions over the desired frequency range (1 to 2 GHz). The rules for the design of narrow-band amplifiers can be summarized as fal1ows: (l) Calculate a set of power gain circles using the S parameters and draw these circles on the Smith chart; (2) Se1ect the desired gain and determine the input and output ref1ection coefficients of the device; (3) Synthesize matching networks which will transform the source and load impedances (50?) to the impedances corresponding to the input and output ref1ection coefficients, respectively. Designing a broadband amplifier with classical methods is a matter of surrounding a transistor with two matching networks in order to compensate for the variation of the unilateral transducer gain with frequency. The optimization of these input and output matching networks is done by a trial-and-error process in this work. A maximum power gain amplifier and an octave-band amplifier were designed and constructed with the aid of a computer, and the performance of the amplifiers was measured and found to follow closely the predictions of the theoretical studies. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-26T10:27:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 310138.pdf: 1541325 bytes, checksum: 2c92c71eb34bfe398345a46dd67fca21 (MD5) / Esta dissertação está centrada em amplificadores de baixo ruído (LNAs) e pode ser dividida em três partes. Na primeira parte é feita uma introdução de LNAs em tecnologia CMOS que é seguida por um levantamento do estado da arte desses amplificadores. Na segunda parte deste trabalho é feita uma revisão sobre figura de ruído cuja definição é válida para um sistema, circuito ou dispositivo. Após essa revisão apresenta-se uma análise da figura de ruído em quadripolos em que são derivadas equações usadas em projetos de LNAs, mostra-se também o método Y usado para caracterização da figura de ruído de um quadripolo qualquer. Após esse estudo finaliza-se a segunda parte da dissertação com um estudo de caso sobre medidas on-chip usando um transistor. Na última parte da dissertação apresenta-se o LNA em um sistema de recepção de sinais, logo em seguida são mostradas duas configurações básicas para amplificadores: a configuração do transistor de entrada configurado em fonte comum e outra com configuração em porta comum. Dessa forma, a fim de introduzir o leitor no projeto de LNAs, são derivados os parâmetros básicos de desempenho desses amplificadores para cada configuração do transistor de entrada mostrada. Após essa etapa, com intuito de validar os conceitos aprendidos, são projetados três LNAs com comprimento de canal de 0,18 mm e com especificações distintas. Um LNA possui restrição de tensão, outro tem restrição de consumo e o último amplificador é projetado especialmente para operar em um receptor ZigBee . São apresentados também os resultados experimentais dos LNAs com restrição de tensão e consumo. / This dissertation is centered in low noise amplifiers (LNAs) and it can be divided in three parts. In the first part it is made an introduction of LNAs in a CMOS technology and it is followed by a study of the state-of-art of these amplifiers. In the second part of this work it is done a review on noise figure whose definition is valid for a system, circuit or device. After this review it is presented a noise figure analysis in fourpoles which the derived equations are used in LNA#s design, it is also shown the Y-factor method for noise figure extraction of any fourpole. Thereafter the second part is finished with a case of study about on chip measurements using a transistor. In the last part of the dissertation it is presented a LNA placed in a signal receiver system, then it is shown two amplifiers basic configurations: a configuration using the input transistor in common source and a second one using it in a common gate configuration. Thereby, with means to introduce the reader on LNA's design, the basic parameters of performance of these amplifiers are derived for each shown configuration of the input transistor. Hereafter, with means to validate the learned concepts, it is designed three LNAs with channel length of 0,18mm and with different specifications. One LNA has voltage restrictions, another has a power consumption restriction and the last amplifier is designed specially to operate in a ZigBee receiver. It is also presented the voltage and power restricted LNA's experimental results.

Orientador: Oseas Valente de Avilez Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T00:41:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castro_JoseEduardoGarcia_M.pdf: 3681554 bytes, checksum: 3f4b9397fc9994dd2fabcf11eed7aec2 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Este trabalho objetiva o estudo de técnicas para os vários blocos funcionais de um amplificador comutado em áudio. A faixa de aplicação a que se direciona este estudo compreende os seguintes (baixas tensões, médias requisitos: potências). Aplicação Automotiva baixo custo e médio desempenho. Neste estudo, faz-se a classificação das topologias interessantes para a faixa definida; comentam-se as mais convenientes, de aplicação e determina-se uma para projeto. O trabalho compreende ainda, como objeto de estudo, o projeto e a realização de ensaios com um amplificador comutado, sem a preocupação nem objetivo de construir um amplificador de alto desempenho. São apresentados e discutidos as formas de onda e os resultados das medidas realizadas a partir do protótipo do amplificador comutado desenvolvido / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica