Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:39:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_EdmundodaSilva_M.pdf: 5308317 bytes, checksum: 20971ae40ce7bc535f5a7263f36d78e3 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed / Mestrado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus W. Awart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T13:31:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_Everson_M.pdf: 2964814 bytes, checksum: 692cba9937a16e0772d2832eac928239 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo inicial sobre os mecanismos de transporte de corrente envolvidos em uma heterojunção. Vemos que os mecanismos de deriva e difusão não são suficientes para descrever seu comportamento elétrico ( devido a um spike na banda de condução, no caso de transistor Npn), sendo introduzido o mecanismo de Emissão-Termiônica. Considerando este novo mecanismo modelos EBERS-MOLL e GUMMEL-POON são obtidos para descrever este transistor. Destes modelos, considerando um transistor de uma única heterojunção abrupta na junção de base-emissor, obtemos as equações das correntes de base e de coletor na região onde os efeitos de resistências parasitárias e térmicos são desprezados. Nestas condições mostramos a equivalência entre os dois modelos e consideramos somente o modelo EBERS-MOLL. Comparando os resultados práticos com os teóricos, vemos correntes de coletor calculadas muito menores que os valores medidos. Isto se deve ao fato de não levarmos em conta o tunelamento de cargas através do spike. O efeito do tunelamento é aumentar o valor da corrente e saturação (IS) e o fator de idealidade (nF). Assim conseguimos uma boa concordância entre o modelo teórico e as curvas experimentais. Para altos valores de tensão entre base-emissor, o tunelamento desvia o modelo das curvas experimentais. Tendo o modelo, partimos para a obtenção dos parâmetros necessários a sua descrição Avaliamos e implementamos um conjunto de técnicas de medidas e extração de parâmetros ( rE, rC , IS, nF, ISE, nE, ISC, nC, bF e bR). Derivamos também o modelo de pequenos sinais a partir do modelo DC e estudamos uma metodologia de extração deste modelo a partir de medidas de parâmetros S do dispositivo. A extração não foi possível devido aos altos efeitos parasitários decorrente das estruturas de testes de microondas. Nos apresentamos soluções para reduzir estes efeitos. Realizamos medidas e comparamos três tipos diferentes de dispositivos: transistores bipolares de homojunção , transistores bipolares de heterojunção de AlGaAs/GaAs e transistores bipolares de heterojunção de InP /InGaAs. Nos transistores de AlGaAs/GaAs que medimos vemos uma ausência da região onde a relação entre a corrente de coletor e de base é constante, devido a alta taxa de recombinação lateral. Já nos transistores de InP /InGaAs que medimos esta região existe, mas é devido a alta taxa de recombinação na região neutra de base / Abstract: A study about current transport mechanism through a heterojunction is presented. Drift and diffusion mechanism are not enough to describe the electrical current (due to a spike in the conduction band of the Npn transistor). This has led to the introduction of the Thermionic-Emission mechanism. The Ebers-Moll and Gummel-Poon models are also compatible with this last mechanism. The equations of the base and collector currents for a transistor with a single heterojunction are developed, considering that parasitic resistances and thermal effects are negligible. It is shown that both models, Ebers-Moll and Gummel-Poon, are equivalent. Based on this, the Ebers-Moll model was selected. By comparing the calculated currents with the experimental ones, it is I shown that the calculated ones are much smaller. This is proposed to be I attributed to the tunneling through the spike. The effect of tunneling is to increase the parameters of saturation current (IS) and ideality factor (nF). A good , fit between experiment and model is obtained by this way. For high base-emitter bias values, however, the model deviates from the experimental curve. A set of DC measurement techniques was implemented and parameter extraction procedures were implemented and analyzed. A small signal model was derived from the DC model and a methodology for extracting the parameters of the model from the S parameters of the devices is presented. The actual extraction of the AC parameters of the devices was not possible due to high parasitic effects associated to the layout of the pads. Corrections for the problem are presented. ' Three different types of devices were measured and compared: homojunction bipolar transistors, HBTs of AIGaAs/GaAs and HBTs of InP/lnGaAs. For the AIGaAs/GaAs devices, no bias range with constant relation between base and collector currents was obtained, due to a high lateral recombination current. On the other hand, for the InP/lnGaAs devices, a constant relation between base and collector current was obtained, in this case attributed to a high recombination current in the neutral base region / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alvaro Geraldo Badan Palhares / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T17:17:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pomilio_JoseAntenor_M.pdf: 9468816 bytes, checksum: 273f16c4bb5d49cf4076c3209344ed44 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T11:40:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vieira_AdrianoF_M.pdf: 4125446 bytes, checksum: 3cb309b32c4e54f48807a430de6e2499 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T19:29:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brito_JoaoCarlosFelicio_M.pdf: 2579044 bytes, checksum: ed248efdba7910063035d9387507321b (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho é feita uma análise detalhada do comportamento térmico da tensão de Threshold, Vt, do transistor MOS. Como a variação da tensão Vt com temperatura é sensivelmente afetada pela tensão de corpo, Vsb, foi investigada a possibilidade de utilizar a diferença entre os Vi's de dois transistores, ÓVt, que estejam sujeitos a tensões de corpo distintas, como termo de compensação térmica a Vt. A análise mostra que a tensão 11Vt, se devidamente ajustada, apresenta um comportamento térmico oposto ao de Vt, tomando viável a obtenção de uma tensão termicamente estável à partir de uma combinação linear de Vt e 11Vt. O trabalho está dividido em sete capítulos, tendo os três primeiros o objetivo de dar uma visão do problema. Assim, no primeiro capítulo é apresentada uma argumentação sobre a necessidade de uma referência de tensão. No segundo capítulo é descrito o princípio em que se baseia a chamada referência de tensão "Bandgap", comumente implementada em tecnologia Bipolar e no terceiro capítulo é feita uma resenha das prinicipaispublicações sobre referências de tensão MOS. O quarto capítulo corresponde ao trabalho de pesquisa realizado. Aí são apresentados o equacionamento e análises dos modelos do transistor MOS, focalizando, particularmente a variação em temperatura da tensão de Threshold sob influência de Vsb. Com base nos resultados obtidos, especula-se a proposição de uma referência de tensão cujo princípio de compensação térmica é inédito. O trabalho não apresenta um. circuito que implemente este novo princípio, porém propõe uma possível estrutura que é analisada e simulada ..em Spice, sendo este o assunto do quinto capítulo. Os dois últimos capítulos correspondem, respectivamente, à apresentação do leiaute de uma estrutura de teste que foi submetida a fabricação através do PMU-IO e Conclusões / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:48:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fernandes_LucianoSzezerbaty_M.pdf: 3859245 bytes, checksum: 6847fdd07b7fdfda7c549e8eeda8b270 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Este trabalho descreve o estudo realizado sobre a fabricação de sensores integrados no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), utilizando-se a Tecnologia Bipolar convencional para a fabricação de circuitos integrados. São analisados dois tipos de sensores térmicos que operam em um Degrau de Temperatura Constante (DTC). Um dos sensores é baseado na deteção de diferenças de temperaturas induzidas pelo fluxo sobre a superfície aquecida de um "chip" (sensor direcional). O outro é baseado na perda de calor para o fluxo. Ambos sensores são fabricados em lâminas de Si. São mostrados os resultados obtidos para um fluxo de Nitrogênio seco e apresentadas as curvas de calibração para o elemento sensor baseado na perda de calor. Também são discutidos os possíveis aperfeiçoamentos nos sensores desenvolvidos / Abstract: This work describes the study done about the production of integrated sensors at the Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), using conventional Bipolar Technology for IC fabrication. Two types of thermal sensors, both operating at a Constant-Temperature Step (CTS), are analysed. One of the sensors is based on the detection olsmall temperature-induced differences over the heated surface of a chip (directional sensor). The other one is based on the heat loss to the flux. Both sensors are made using Silícon wafers. Results obtained for a dry Nitrogen flux are given. Calibration measurements for the heat loss type sensor are presented and, also, possible improvements on the developed sensors are indicated. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T22:53:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zoccal_LeonardoBreseghello_M.pdf: 6497555 bytes, checksum: e073f26482aabbfda753756ac2820ed8 (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientadores: Rui Fragassi Souza , David Anthony Rogers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T15:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hung_WangWen_M.pdf: 2960132 bytes, checksum: 8b124e7029511d12796d7f571aab5f47 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: A finalidade deste estudo e apresentar os conceitos básicos para o projeto de amplificadores de microondas utilizando transistores bipolares. O transistor, neste trabalho, e considerado como um quadripolo que é caracterizado pelos parâmetros de espalhamento. Os parâmetros de espelhamento (parâmetros S) são medidos no ponto quiescente escolhido em uma certa faixa da frequência desejada (1 a 2 GHz). A regra para projetar os amplificadores de faixa estreita pode ser resumida como segue: (1) Calcular um conjunto de círculos de ganho de potência utilizando os parâmetros S e desenhar os círculos na Carta de Smith; (2) Selecionar o ganho desejado e determinar os correspondentes coeficientes de reflexão de entrada e de saída do quadripolo; (3) Sintetizar os circuitos de casamento que transformam as impedâncias (50?) do gerador e da carga às impedâncias correspondentes aos coeficientes de reflexão de entrada e de saída, respectivamente. O projeto de amplificadores de faixa larga, pelo método clássico, é feito adicionando-se na entrada e na saída do transistor um circuito de casamento de impedância que compense a variação do ganho transdutivo unilateral do transistor com a frequência. A otimização desses circuitos de casamento na entrada e na saída é feita por um processo de tentativa neste trabalho. Um amplificador de máximo ganho e um amplificador com faixa de uma oitava, foram projetados e construídos com auxílio de um computador; o desempenho dos amplificadores foi medido e verificado estar próximo das previsões dos estudos teóricos. / Abstract: The purpose of this study is to present the basic concepts for designing microwave bipolar transistor amplifiers. In this work the transistor is considered to be a two-port device characterized by the scattering parameters. These scattering (S) parameters are measured for specific bias conditions over the desired frequency range (1 to 2 GHz). The rules for the design of narrow-band amplifiers can be summarized as fal1ows: (l) Calculate a set of power gain circles using the S parameters and draw these circles on the Smith chart; (2) Se1ect the desired gain and determine the input and output ref1ection coefficients of the device; (3) Synthesize matching networks which will transform the source and load impedances (50?) to the impedances corresponding to the input and output ref1ection coefficients, respectively. Designing a broadband amplifier with classical methods is a matter of surrounding a transistor with two matching networks in order to compensate for the variation of the unilateral transducer gain with frequency. The optimization of these input and output matching networks is done by a trial-and-error process in this work. A maximum power gain amplifier and an octave-band amplifier were designed and constructed with the aid of a computer, and the performance of the amplifiers was measured and found to follow closely the predictions of the theoretical studies. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T03:19:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yoshioka_RicardoToshinori_D.pdf: 5664583 bytes, checksum: 23bca28e4856ca609fc3f0c59981bf76 (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador: Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T23:39:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dias_JoseAntonioSiqueira_D.pdf: 2350996 bytes, checksum: 9501666c0f18757af83a1af1a354e492 (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Neste trabalho apresetamos o projeto completo de um conversor D/A não-linear integrado (Lei A-128), em tecnologia I2L/Linear, que visa atender às especificações dos sistema de transmissão telefônica por modulação de código de pulsos (MCP). O projeto é dividido em duas etapas básicas: a primeira relativa ao projeto dos circuitos digitais I2L, e a segunda, a mais importante, relativa ao projeto dos circuitos analógicos de conversão D/A. A parte do projeto que envolve os circuitos analógicos é discutidas detalhadamente, procurando apresentar de forma clara as técnicas de projeto utilizadas. As avaliações do projeto, realizadas com montagens em "bread-board", usando "arrays" de transistores, mostraram um bom desempenho, indicando que uma versão em circuito integrado, deverá apresentar um desempenho, muito bom, atendendo facilmente as características necessárias ao conversor D/A do sistema MCP. / Abstract: The design of an integrated PCM non-linear D/A converter (A-128 law) in I2L/Linear technology is presented. The work has two main parts: one concerning the design of the I2L digital circuits and the second, which is also the most important, dedicated to the design and analysis of the analog circuits used in the D/A converter. The design of the analog circuits is discussed in details and all the desing techniques used are explainde carefully. The circuit was evaluated in bread-board form, using kit-parts and transistor arrays. The measured data show that the circuit has a good performance; it is expected than an integrated version of the circuit will have very good performance, meeting (or even exceeding) the specifications of the PCM D/A converter. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica