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Previous issue date: 2012-06 / CNPq / Neste trabalho, será apresentado um processo de baixo custo para deposição de filmes
finos de óxido de zinco (ZnO) sobre substratos de carbeto de silício (SiC), o qual apresentou
excelentes características elétricas/óticas. Discutiu-se o processo de fabricação,
bem como as propriedades elétricas e microscópicas destes dispositivos. As características
elétricas foram estudadas em nanoescala, usando microscópio de forca atômica (AFM) e,
além disso, medidas de fotoluminescência (PL) e eletroluminescência (EL) foram realizadas.
O espectro de EL, obtido aplicando uma injeção de corrente de 300 mA, consiste
em dois picos largos de emissão em 605 nm e 640 nm e um terceiro pico na região de
alta energia, centrado em 410 nm. Para altas correntes, essa emissão foi detectada a olho
nu, apresentando coloração branco-amarelada. Esse comportamento indica que a heterojunção
ZnO/n-SiC-4H exibe recombinação radiativa efetiva na borda da banda do UV.
Com relação a heterojunções PANI/SiC, será apresentado o processo de fabricação bem
como sua caracterização elétrica, onde filmes finos de PANI foram depositados usando a
técnica de spin coating sobre substratos de SiC-4H e SiC-6H. As propriedades elétricas
dessas heterojunções foram estudadas por meio de medidas de corrente, capacitância e
condutância em função da frequência e tensão. Foram obtidas características elétricas
reprodutíveis e razões de retificação de 2 x 106 em 2 V para heterojunções PANI/SiC-
6H (razão entre a corrente direta e reversa, IF =IR). Adicionalmente, foram analisadas as
curvas características de corrente-tensão (I-V) de heterojunções do tipo Au/polianilina
sulfonada (SPAN)/SiC-n em função da temperatura, na região de 20 K até 440 K. Nesse
caso, as curvas I-V características de todos os dispositivos, mostraram ótimo comportamento
retificador na região de alta e baixa temperatura, apresentando razão de retificação,
à temperatura ambiente e em 0,6 V de 2 x 104 e 7 x 106, para as heterojunções
SPAN/4H-SiC-n e SPAN/6H-SiC-n, respectivamente. Finalmente, será apresentado uma
metodologia não convencional para a síntese da polianilina. Nesta metodologia, ao invés
de se usar agentes oxidantes (químico ou eletroquímico), geralmente utilizados para sua
síntese, utiliza-se fótons de raios-X para interagir com íons nitrato (NO3
) e monômeros
de anilina em solução aquosa. Os resultados apresentados sugerem, fortemente, que
os monômeros de anilina são oxidados através de radicais hidróxidos, (:OH), produzidos
pela interação dos fótons de raios-X com os íons nitratos. Esse processo ocorre quando
os radicais hidróxido (:OH) atacam o monômero de anilina, dando início ao processo de
polimerização que perdura até que praticamente todos os monômeros sejam consumidos.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufpe.br:123456789/10192 |
| Date | 06 1900 |
| Creators | Felix, Jorlandio |
| Publisher | Universidade Federal de Pernambuco |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Breton |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFPE, instname:Universidade Federal de Pernambuco, instacron:UFPE |
| Rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/, info:eu-repo/semantics/openAccess |
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