Made available in DSpace on 2014-06-12T15:49:26Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo2054_1.pdf: 9727352 bytes, checksum: ed34e8f113f3a7a32fb2daf58a8cff03 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2009 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Neste trabalho foi desenvolvido um processo de deposição de filmes finos de óxido de zinco a partir do pó (ZnO) sobre substratos de vidro e semicondutores através da técnica de evaporação térmica resistiva. Os filmes foram submetidos a tratamentos térmicos em N2, Ar e O2 e posteriormente foram estudadas suas propriedades estruturais, topográficas, óticas e elétricas. Para isto utilizou-se as técnicas de difração de Raios-x, microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de força atômica (AFM), espectroscopia de absorção/transmissão (UV-VIS) e a técnica de medida de quatro pontas. Mostrou-se, dentro de condições de deposição específicas, que usando a técnica de evaporação térmica resistiva é possível a obtenção de filmes de ZnO com boa qualidade topográfica/estrutural, baixa resistividade elétrica (∼ 10-3 Ω.cm) e transmitância ótica superior a 85 %. Verificou-se que o gap desses filmes aumenta com temperatura de recozimento, variando entre 3.09 e 3.24 eV. Neste trabalho também foi realizada a síntese do polímero polianilina (PANI) pelo método químico utilizando-se a metodologia desenvolvida por MacDiarmid et al. A PANI foi utilizada para obtenção de filmes finos, os quais foram depositados em de substratos de vidro com e sem filmes de ouro depositado na superfície, utilizando-se a técnica de spin-coating. Os filmes finos de PANI também foram caracterizados topograficamente, elétrica e oticamente. Os filmes de PANI apresentou baixa resistividade elétrica (10-1 Ω.cm) e excelente estabilidade química no estado dopado. Os filmes de ZnO e de PANI, previamente caracterizados, foram utilizados no processamento das heterojunções. Com estes filmes foi possível desenvolver uma nova classe de dispositivos eletrônicos. Foi verificado que quando o estado de dopagem da PANI é alterado as heterojunções apresentaram comportamentos I x V distintos. Dessa forma, quando a PANI está no seu estado desdopado e natural a heterojunção ZnO/PANI apresenta uma curva I x V característica de um varistor (retificação com simetria em ambas as polarizações), e dependendo da espessura do filme de ZnO pode-se ter coeficiente de não linearidade (α) entre 3 e 15. Por outro lado, quando a heterojunção ZnO/PANI é preparada com a PANI no seu estado dopado (condutor) a curva I x V apresenta comportamento retificador (numa única polarização). Dispositivos baseados em silício e ZnO (ZnO/Si) também foram preparados e caracterizados eletricamente. Observou-se uma diminuição significativa da corrente de fuga nas curvas I x V em função da temperatura de recozimento

Submitted by Etelvina Domingos (etelvina.domingos@ufpe.br) on 2015-03-03T18:51:31Z No. of bitstreams: 2 Tese_PGMTR_Jorlandio Felix1.pdf: 4695917 bytes, checksum: cfdbad4ae4881185bf33c5220b147da9 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-03T18:51:32Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Tese_PGMTR_Jorlandio Felix1.pdf: 4695917 bytes, checksum: cfdbad4ae4881185bf33c5220b147da9 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Previous issue date: 2012-06 / CNPq / Neste trabalho, será apresentado um processo de baixo custo para deposição de filmes finos de óxido de zinco (ZnO) sobre substratos de carbeto de silício (SiC), o qual apresentou excelentes características elétricas/óticas. Discutiu-se o processo de fabricação, bem como as propriedades elétricas e microscópicas destes dispositivos. As características elétricas foram estudadas em nanoescala, usando microscópio de forca atômica (AFM) e, além disso, medidas de fotoluminescência (PL) e eletroluminescência (EL) foram realizadas. O espectro de EL, obtido aplicando uma injeção de corrente de 300 mA, consiste em dois picos largos de emissão em 605 nm e 640 nm e um terceiro pico na região de alta energia, centrado em 410 nm. Para altas correntes, essa emissão foi detectada a olho nu, apresentando coloração branco-amarelada. Esse comportamento indica que a heterojunção ZnO/n-SiC-4H exibe recombinação radiativa efetiva na borda da banda do UV. Com relação a heterojunções PANI/SiC, será apresentado o processo de fabricação bem como sua caracterização elétrica, onde filmes finos de PANI foram depositados usando a técnica de spin coating sobre substratos de SiC-4H e SiC-6H. As propriedades elétricas dessas heterojunções foram estudadas por meio de medidas de corrente, capacitância e condutância em função da frequência e tensão. Foram obtidas características elétricas reprodutíveis e razões de retificação de 2 x 106 em 2 V para heterojunções PANI/SiC- 6H (razão entre a corrente direta e reversa, IF =IR). Adicionalmente, foram analisadas as curvas características de corrente-tensão (I-V) de heterojunções do tipo Au/polianilina sulfonada (SPAN)/SiC-n em função da temperatura, na região de 20 K até 440 K. Nesse caso, as curvas I-V características de todos os dispositivos, mostraram ótimo comportamento retificador na região de alta e baixa temperatura, apresentando razão de retificação, à temperatura ambiente e em 0,6 V de 2 x 104 e 7 x 106, para as heterojunções SPAN/4H-SiC-n e SPAN/6H-SiC-n, respectivamente. Finalmente, será apresentado uma metodologia não convencional para a síntese da polianilina. Nesta metodologia, ao invés de se usar agentes oxidantes (químico ou eletroquímico), geralmente utilizados para sua síntese, utiliza-se fótons de raios-X para interagir com íons nitrato (NO3 ) e monômeros de anilina em solução aquosa. Os resultados apresentados sugerem, fortemente, que os monômeros de anilina são oxidados através de radicais hidróxidos, (:OH), produzidos pela interação dos fótons de raios-X com os íons nitratos. Esse processo ocorre quando os radicais hidróxido (:OH) atacam o monômero de anilina, dando início ao processo de polimerização que perdura até que praticamente todos os monômeros sejam consumidos.