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水素化アモルファスシリコン半導体の放射線照射効果に関する研究

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第12649号 / 論工博第4077号 / 新制||工||1547(附属図書館) / 29727 / (主査)教授 伊藤 秋男, 教授 高木 郁二, 准教授 土田 秀次 / 学位規則第4条第2項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/157629
Date26 March 2012
Creators佐藤, 真一郎
Contributors伊藤, 秋男, 高木, 郁二, 土田, 秀次, Sato, Shinichiro, サトウ, シンイチロウ
Publisher京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source SetsKyoto University
LanguageJapanese
Detected LanguageJapanese
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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