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酸化ガリウムのホモエピタキシャル成長とn型ドーピングに関する研究

雑誌名: Electron device letters. In reference to IEEE copyrighted material which is used with permission in this thesis, the IEEE does not endorse any of Kyoto University's products or services. Internal or personal use of this material is permitted. If interested in reprinting/republishing IEEE copyrighted material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution, please go to http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/rights_link.html to learn how to obtain a License from RightsLink. / 京都大学 / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第13043号 / 論工博第4144号 / 新制||工||1652(附属図書館) / 33035 / (主査)教授 藤田 静雄, 教授 川上 養一, 教授 木本 恒暢 / 学位規則第4条第2項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/216159
Date25 July 2016
Creators佐々木, 公平
Contributors藤田, 静雄, 川上, 養一, 木本, 恒暢, Sasaki, Kohei, ササキ, コウヘイ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageJapanese
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights学位規則第9条第2項により要約公開, 許諾条件により要約は2017-07-01に公開, 許諾条件により本文は2018-10-01に公開

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