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刺激重覆出現對遺忘曲線的影響

本研究目的在討論下列假說(A) 刺激先在神經系統留下活動性記憶痕跡,然後轉入
構造性記憶痕跡(B) 記憶痕跡不會自然衰退(G) 刺激重覆出現是一種尋找過程(D)
新刺激如在活動性記憶痕跡找到舊刺激,使成為短暫記憶,如在構造性記憶痕跡找
到,便成長期記憶。實驗1 在此較短暫記憶與長期記憶下的遺忘曲線。結果支持我
們的假說。結論是除了上面假說獲得支持外,我們認為刺激重覆出現除有尋找功能
外,還能歸併消息單位,使我們的神經系統不會因為刺激數目的增多而爆滿。在教
育上的涵義是如果使教材分佈的重覆出現,則教材易轉入長期記憶,考試可當作使
教材重覆出現的工具之一。

Identiferoai:union.ndltd.org:CHENGCHI/B2002009345
Creators馬信行, Ma, Xin-Xing
Publisher國立政治大學
Source SetsNational Chengchi University Libraries
Language中文
Detected LanguageUnknown
Typetext
RightsCopyright © nccu library on behalf of the copyright holders

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