三温度帯法による低欠陥密度GaAs単結晶の調製に関する研究 / サンオンドタイホウニヨルテイケッカンミツドGaAsタンケッショウノチョウセイニカンスルケンキュウ

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・論文博士 / 工学博士 / 乙第2946号 / 論工博第837号 / 新制||工||329 / 4549 / UT51-51-B35 / (主査)教授 村上 陽太郎, 教授 高村 仁一, 教授 森山 徐一郎 / 学位規則第5条第2項該当

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1. http://hdl.handle.net/2433/221005
2. 000008491539

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500

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Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/221005
Date	23 January 1976
Creators	赤井, 慎一
Contributors	村上, 陽太郎, 高村, 仁一, 森山, 徐一郎, Akai, Shinichi, アカイ, シンイチ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	DAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf