Für die Beschichtung von Bauelementen im Bereich der Elektronik erlangt das Beschichtungsverfahren der Atomlagenabscheidung zunehmend an Bedeutung. Dieses Verfahren überzeugt hier durch seine Fähigkeit sehr homogene Schichten mit einer Dicke von wenigen nm auch auf Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen zu erzeugen.
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Atomlagenabscheidung von Aluminiumoxid unter Verwendung der Präkursoren Trimethylaluminium und Wasser. Hauptaufgabe dieser Arbeit ist die Modellierung eines experimentellen Prozessaufbaus mit kommerzieller Simulationssoftware. Anhand der Simulationsergebnisse können Aussagen zur Optimierung des ALD-Prozesses getroffen werden. Die durchgeführten Untersuchungen zeigen, dass für die Simulation eines ALD-Prozesses sehr lange Rechenzeiten erforderlich sind. Insbesondere konnte ein tieferes Verständnis der automatischen Zeitschrittweitenregulierung der Software bei transienten Simulationen gewonnen werden. Die Dauer der Spülschritte wurde durch die Simulationsergebnisse als ausreichend bestätigt. Des Weiteren kann die Verwendung der zur Anlage gehörigen Gasdusche anhand der Simulationsergebnisse nicht empfohlen werden.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:22888 |
| Date | 24 September 2013 |
| Creators | Jäckel, Linda |
| Contributors | Wolf, Hermann, Hasse, Christian, TU Bergakademie Freiberg, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:bachelorThesis, info:eu-repo/semantics/bachelorThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0016 seconds