Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung
von amorphen Zinkoxinitrid (a-ZnON)-Dünnschichten und darauf basierten aktiven
Bauelementen. Im ersten Ergebnisteil wird der Einfluss ausgewählter Prozesspa-
rameter der verwendeten Magnetron-Sputteranlage im Hinblick auf die chemische
Zusammensetzung und den daraus resultierenden strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften der hergestellten Dünnschichten untersucht. Für die Analyse des elektronischen Transportmechanismus in a-ZnON-Dünnschichten werden zudem temperaturabhängige Hall-Effekt-Messungen ausgewertet. Außerdem werden Ausheiz- und Alterungseffekte sowie die Langzeitstabilität und Reproduzierbarkeit der elektrischen Eigenschaften von bei Raumtemperatur abgeschiedenen a-ZnON-Dünnschichten betrachtet. Der zweite Ergebnisteil befasst sich mit der Realisierung von Feldeffekttransistoren (FETs) mit a-ZnON als Kanalmaterial. Dazu erfolgt zunächst die elektrische Charakterisierung von gleichrichtenden Schottky- und pn-Kontakten auf a-ZnON mittels (temperaturabhängigen) Strom-Spannungs-Messungen sowie Kapazitäts-Spannungs-Messungen. Zum Schluss wird die Machbarkeit von Metall-Halbleiter-FETs sowie Sperrschicht-FETs basierend auf optimiertem a-ZnON demonstriert.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:20937 |
| Date | 19 March 2018 |
| Creators | Reinhardt, Anna |
| Contributors | Universität Leipzig |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0029 seconds