Un des principaux buts du domaine de la radiobiologie est de donner une description complète des effets de la radiation ionisante (RI) sur les cellules vivantes et sur l'organisme humain, en analysant la séquence des événements par lesquels les radiations modifient un système biologique. Ce sont tout d'abord les événements ultrarapides (10[indice supérieur -15] -10[indice supérieur -12]s) qui initient tout le processus de modification (dommage). Les études présentées dans ce mémoire portent sur ce type d'évènement durant l'irradiation de l'acide désoxyribonucléique (ADN). Ce choix est dicté par l'importance de l'ADN qui est la structure cible causant la létalité cellulaire. Les électrons de basse énergie (EBE) représentent un élément très important en sciences des radiations, surtout en ce qui concerne les phénomènes ultrarapides (de l'ordre de la femtoseconde (fs)) se produisant lors de l'impact de la radiation sur le milieu biologique. En effet, suite à l'impact du rayonnement ionisant (RI) sur l'ADN, des électrons appelés électrons secondaires (ES) sont arrachés de la cible. Il a été montré, lors d'études récentes, que l'énergie la plus probable de ces ES est de 9-10 eV et qu'ils portent en majorité une énergie inférieure à 25 eV (Pimblott et La Verne, 2007). En plus, dans une cellule irradiée, il y a environ 10 5 produits secondaires (PS) par 1 MeV d'énergie déposée (Pimblott et La Verne, 1995 ; Sanche, 2005), et parmi ces PS, il y a environ 4x10[indice supérieur 4] ES. Il est donc pertinent, voire nécessaire, d'étudier l'effet des ES de basse énergie sur l'ADN. Des études de ce genre ont été plusieurs fois réalisées auparavant. Cependant, les molécules neutres, qui pourtant ont un rôle très important dans le dommage à l'ADN, ne sont pas assez étudiées par rapport aux ions par exemple. L'effet sur des monocouches autoassemblées ("Self Assembled Monolayers" : SAM) d'oligonucléotides (ODN) simple brin chimisorbés sur un substrat d'or a été étudié par spectrométrie de masse des espèces neutres désorbées suite à l'impact électronique. Les SAM sont bombardées à haut courant (10[indice supérieur -6] Amp) et dans une chambre à hyper vide (10[indice supérieur -9] Torr) avec des électrons ayant une énergie de 3 à 25 eV, grâce à un canon collimé magnétiquement. Nos résultats montrent que les EBE ont des effets directs et indirects sur l'ADN. Ces effets semblent être principalement des cassures de brin. Il n'y a pas eu observation de molécules de sucre ou de fragments contenant du phosphore ou encore de bases d'ADN entières. Cependant, nous observons la formation de nouvelles (pour ce type d'expériences) molécules neutres. La section efficace absolue est obtenue à partir de la pression partielle absolue des molécules neutres. Nos résultats montrent qu'en plus des mécanismes résonnants tels que l'attachement dissociatif d'électron (ADE), des excitations non résonantes (dissociations directes) sont à l'origine du dommage à l'ADN. Et les courbes de section efficace obtenues pour la majorité des molécules neutres ont la même allure que les courbes de section efficace de cassure simple brin obtenues par Cai et al. (2006). D'autre part, avec la proximité de notre substrat d'or, les rendements de désorption de fragments neutres ont pu être réduits (Rowntree et al., 1996) et par conséquent les dommages pourraient s'avérer plus importants dans le milieu biologique. Nous avons aussi suggéré quelques mécanismes de formation des molécules neutres. Les EBE ont des effets importants sur l'ADN et ces effets dépendent de l'environnement et de la topologie moléculaire de l'ADN (Abdoul-Carime et al., 2000). L'importance de ces effets implique l'action des EBE en radiobiologie et en radiothérapie.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:usherbrooke.ca/oai:savoirs.usherbrooke.ca:11143/3953 |
| Date | January 2008 |
| Creators | Thiam, Mame Asta |
| Contributors | Sanche, Léon, Wagner, Jean-Richard |
| Publisher | Université de Sherbrooke |
| Source Sets | Université de Sherbrooke |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | Mémoire |
| Rights | © Mame Asta Thiam |
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