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Investiga??o das propriedades ?pticas e eletr?nicas do metalorg?nico [(CH3)2NH2] Zn(HCOO)3 tricl?nico

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Previous issue date: 2017-08-07 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) / Propriedades estruturais, eletr?nicas e ?pticas do [(CH3)2NH2] Zn(HCOO)3 Tricl?nico foram determinadas atrav?s de c?lculos de primeiros princ?pios desenvolvidos no referencial da Teoria do Funcional da Densidade (DFT) conforme codificado no Software CASTEP, utilizando-se a aproxima??o da densidade local (LDA) e aproxima??o do gradiente generalizado (GGA). Uma boa concord?ncia entre os par?metros de rede calculados e os experimentais foi obtida. Contudo, na aproxima??o GGA os resultados da otimiza??o foram mais compat?veis com os dados experimentais, apresentando na pior margem de erro +0,87% para o par?metro de rede a. Al?m disso, constatamos que esse material ? um semicondutores de gap largo, com valores de 3,67 eV (LDA) e 4,23 eV (GGA) de energia de band gap, j? nas propriedades ?pticas observamos um comportamento isotr?pico na aproxima??o GGA e um comportamento semi-isotr?pico para a aproxima??o LDA. Neste trabalho obtivemos a Otimiza??o da Estrutura Cristalina, Estrutura Eletr?nica de Bandas, Densidade de Estados, Fun??o Diel?trica e Absor??o ?ptica desses materiais para as duas aproxima??es.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufrn.br:123456789/24447
Date07 August 2017
CreatorsLima, Allyson Irineu Ara?jo
Contributors63518163434, Fulco, Umberto Laino, 67196675487, Henriques Neto, Jos? de Miranda, 21367264391, Vasconcelos, Manoel Silva de
PublisherPROGRAMA DE P?S-GRADUA??O EM F?SICA, UFRN, Brasil
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Repositório Institucional da UFRN, instname:Universidade Federal do Rio Grande do Norte, instacron:UFRN
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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