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Crescimento e caracteriza??o de cristais de GaSb e GaInSB obtidos atrav?s do m?todo Czochralski com l?quido encapsulante

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Previous issue date: 2011-01-18 / Este trabalho descreve a obten??o e caracteriza??o de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alum?nio (Al), c?dmio (Cd) e tel?rio (Te). O Antimoneto de G?lio ? um composto semicondutor da fam?lia III-V, com caracter?stica optoeletr?nica e termofotovoltaica, de aplica??o preferencial para uma nova gera??o de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descri??o do processo de crescimento dos cristais atrav?s do m?todo Czochralski com L?quido Encapsulante. A distribui??o dos dopantes e do ?ndio, analisada por Espectroscopia por Dispers?o de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente g?lio no s?tio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribui??o n?o uniforme do alum?nio e do tel?rio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a n?o uniformidade da distribui??o radial dos dopantes em fun??o da presen?a de defeitos como maclas, contornos de gr?o e pits encontrados nos cristais.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:tede2.pucrs.br:tede/3175
Date18 January 2011
CreatorsStreicher, Morgana
ContributorsDedavid, Berenice Anina
PublisherPontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul, Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais, PUCRS, BR, Faculdade de Engenharia
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatapplication/pdf
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS, instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, instacron:PUC_RS
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
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