A study of defect generation phenomena in single crystalline silicon substrate during plasma processing and the characterization techniques / プラズマ暴露によるシリコン単結晶基板中の欠陥生成メカニズム及びその評価技術の研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19185号 / 工博第4062号 / 新制||工||1627(附属図書館) / 32177 / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 斧 髙一, 教授 木村 健二, 教授 立花 明知 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/200448
2. 14301甲第19185号
3. 10.14989/doctor.k19185
4. 14301

Tags

plasma

silicon

damage

defect

spectroscopic ellipsometry

photoreflectance spectroscopy

capacitance-voltage measurement

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/200448
Date	25 May 2015
Creators	Nakakubo, Yoshinori
Contributors	斧, 髙一, 木村, 健二, 立花, 明知, 中久保, 義則, ナカクボ, ヨシノリ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf