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Desenvolvimento e caracterização de solda direta entre semicondutores.

Esta tese descreve um estudo de adesão direta entre semicondutores. Foi realizada adesão entre silício e silício, silício e fosfeto de índio, e foram feitas tentativas de aderir silício a lâminas de PbTe fabricadas no Laboratório Associado de Sensores (LAS) do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). A eficiência de adesão (área aderida/área total) e a força de adesão por unidade de área aderida foram medidas, para vários métodos de preparação das superfícies, incluindo banhos úmidos e tratamento por plasma. Foram estabelecidos métodos para obter sistematicamente 100% de área aderida, tanto para Si/Si quanto Si/InP. A força de adesão foi medida em uma máquina de ensaios mecânicos, e a área aderida foi medida por imagens de infravermelho próximo. Este trabalho também demonstra a detecção de defeitos na interface por condução de calor usando uma técnica fotoacústica, com o objetivo de propiciar um método para caracterizar a adesão de materiais opacos ao infravermelho. A curva característica de corrente em função da voltagem de diodos obtidos por solda direta de silício p a silício n foi medida.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:2339
Date00 December 1999
CreatorsAntonio Carlos Gracias
ContributorsJosé Roberto Sbragia Senna
PublisherInstituto Tecnológico de Aeronáutica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatapplication/pdf
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA, instname:Instituto Tecnológico de Aeronáutica, instacron:ITA
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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