Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Description

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:23:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1984 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

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1. CARVALHO JUNIOR, Wilson de. Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores. 1984. 86f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277826>. Acesso em: 17 jul. 2018.
2. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277826

Tags

Fibras óticas

Dispositivos fotoeletronicos

Dispositivos optoeletrônicos

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277826
Date	02 March 1984
Creators	Carvalho Junior, Wilson de
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Prince, Francisco Carlos de, 1954-
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format	86f. : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess