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Detectores de semiconductor: calibración y aplicaciones a la dosimetría in vivo en pacientes sometidos a tratamientos con radioterapia externa

El objetivo de este estudio es la calibración de diodos, para ser utilizados en dosimetria in vivo en haces de fotones de alta energía, en diversas situaciones, la mayoría de ellas no descritas en la literatura: En primer lugar se calibra un conjunto de diodos para determinar la dosis entrada y salida en la técnica específica de ICT (capítulo 3). Se hace especial hincapié en la calibración de los diodos detrás de protecciones a pulmón de transmisión parcial. En el capítulo 4 se desarrolla un algoritmo de cálculo para calcular las dosis a plano medio a partir de las dosis in vivo en ICT. Se presentan resultados en una serie de pacientes. Se comprueba la aplicabilidad de este algoritmo en presencia de heterogeneidades (pulmón) y detrás de protecciones de transmisión parcial. Se compara este algoritmo con el algoritmo propuesto por Rizzoti et alt. [41]. La calibración de diodos para altas energías de RX en técnicas estándar de tratamiento se trata en los capítulos 5 y 6. En el capítulo 5 se comparan dos tipos de diodos diseñados para trabajar con RX de 16-25 MV. En el capítulo 6 se amplía esta comparación a 4 tipos de diodos comercializados y también se presenta la calibración de un diodo para trabajar con haces de RX de energías comprendidas entre 4-8 MV. Este capítulo corresponde a la recopilación de la experiencia del Hospital de la Santa Creu i Sant Pau en la calibración de diodos para medir la dosis in vivo a la entrada en técnicas estándar así como en la implementación de la dosimetría in vivo en la rutina clínica. Esta recopilación hace inevitable que se repitan, aunque con más detalle, algunos de los procedimientos de calibración citados en capítulos anteriores. Ha sido también objetivo del capítulo 5 matizar una tesis propuesta por G. Rikner y E. Russell [11, 13, 14, 16] que hace referencia a la inferioridad desde el punto de vista dosimétrico de los diodos tipo n, en un nuevo diodo n comercializado por Pecitron en 1997.

Identiferoai:union.ndltd.org:TDX_UAB/oai:www.tdx.cat:10803/3353
Date19 July 2001
CreatorsJornet i Sala, Núria
ContributorsRibas, Montserrat, Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
PublisherUniversitat Autònoma de Barcelona
Source SetsUniversitat Autònoma de Barcelona
LanguageSpanish
Detected LanguageSpanish
Typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Formatapplication/pdf
SourceTDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess, ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

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