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Etude des procédés de gravure électrochimique du silicium pour l'intégration monolithique de composants passifs sur silicium poreux et la réalisation de chemins d'interconnexion / Study of silicon electrochemical etching process for monolithic integration of passive components on porous silicon and for the realization of through silicon via

Ces travaux de thèse ont pour but l’évaluation et le développement de briques technologiques en silicium poreux répondant à la problématique de l’intégration monolithique 3D rattachée au concept du “more than Moore” : d’une part l’intégration sur silicium de composants passifs RF, d’autre part, la réalisation de chemins traversants d’interconnexion à fort facteur d’aspect par voie électrochimique. Dans un premier temps, différents substrats mixtes silicium / silicium poreux sont réalisés. Des inductances en cuivre, réalisées sur un substrat mésoporeux de 200 µm de profondeur et de porosité proche de 60%, atteignent des facteurs de qualité à 20 GHz jusqu’à 55% supérieurs à ceux mesurés sur silicium massif. Une perspective d’industrialisation de ce type d’application est à l’étude dans le cadre d’une thèse CIFRE. La gravure de matrices de pores à fort facteur d’aspect, bien qu’encore difficilement localisable en termes de qualité de périphérie, fait d’autre part l’objet de développements, notamment pour la fabrication de condensateurs à haute densité capacitive et de contacts d’interconnexions en cuivre. / Those thesis works deal with the evaluation and the development of porous silicon technological step in order to answer some of the monolithic integration challenges bring by the “more than Moore” problematic in microelectronics industry: on one hand, the integration on silicon of passive RF devices, on the other hand, realization by electrochemical etching of through silicon via. In a first time, several mixed porous silicon / silicon substrat are realized. Copper inductors, realized on 200 µm thick and 60% porosity mesoporous layer, show a quality factor superior to 55% to the one obtained on massive silicon. Industrialization perspectives are on the line via a CIFRE PhD convention. In a second time, several electrochemical etching process are evaluated. Among them, high aspect ratio macropore array etching, although poorly localizable, allows many perspectives: copper via and high density capacitor.

Identiferoai:union.ndltd.org:theses.fr/2011TOUR4028
Date15 April 2011
CreatorsCoudron, Loïc
ContributorsTours, Ventura, Laurent, Gautier, Gaël
Source SetsDépôt national des thèses électroniques françaises
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypeElectronic Thesis or Dissertation, Text, Software

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