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Elektromigrationsuntersuchungen an der Grenzfläche zwischen Kupferleitbahn und Kupferdiffusionsbarriere / Electromigration investigation at the interface of copper pathway and copper diffusion barrier

Aufgrund von guten Eigenschaften als Kupferdiffusionsbarriere und guter elektrischer Leitfähigkeit könnte sich Ruthenium und Ruthenium basierte Legierungen als Kupferdiffusionsbarriere eignen. Auf eine theoretische Aufarbeitung von Elektromigrationsmechanismen und in der Praxis eingesetzte Elektromigrationsteststrukturen folgen beschleunigte elektrische Elektromigrationstestergebnisse. Es konnte gezeigt werden, dass das System Kupfer, Ruthenium, Tantalnitrid Elektromigrationsstabiler als das konventionelle System Kupfer, Tantal, Tantalnitrid ist.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:14-qucosa-167292
Date01 June 2015
CreatorsWalther, Tillmann
ContributorsTU Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Dipl.-Ing. Christoph Kubasch, Prof. Dr. rer. nat. Johann Bartha
PublisherSaechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:StudyThesis
Formatapplication/pdf

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