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Einfluss von Legierungselementen auf die Phasenbildung im System Co-Si

Im Rahmen dieser Diplomarbeit erfolgte die Charakterisierung von dünnen Co-Al-Si-Schichten durch elektrische Messungen, RBS, REM, TEM, AES, MOKE sowie temperaturabhängige Messungen des spezifischen elektrischen Widerstandes. Es wurde die Phasenbildung in diesem ternären System und die Beeinträchtigung der Phasenbildung im System Co-Si in Abhängigkeit des Al-Gehaltes betrachtet. Die Co-Al-Schichten wurden duch Magnetronsputtern auf Si(001)-Substraten abgeschieden und im Temperaturbereich von 500°C bis 900°C getempert (30s).

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18473
Date28 October 2005
CreatorsHändel, Frank
ContributorsTechnische Universität Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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