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Digital Active Gate Drive System for Silicon Carbide Power MOSFETs / シリコンカーバイドパワーMOSFETのためのデジタルアクティブゲート駆動システム

付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 / 京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第25291号 / 工博第5250号 / 新制||工||1999(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 引原 隆士, 准教授 三谷 友彦, 教授 川上 養一 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Agricultural Science / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/288725
Date25 March 2024
CreatorsTakayama, Hajime
Contributors高山, 創, タカヤマ, ハジメ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageJapanese
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Rights許諾条件により本文は2025-03-24に公開, In reference to IEEE copyrighted material which is used with permission in this thesis, the IEEE does not endorse any of Kyoto University's products or services. Internal or personal use of this material is permitted. If interested in reprinting/republishing IEEE copyrighted material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution, please go to http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/rights_link.html to learn how to obtain a License from RightsLink. If applicable, University Microfilms and/or ProQuest Library, or the Archives of Canada may supply single copies of the dissertation.

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