Return to search

Deposição e caracterização de filmes finos de CrN depositados por diferentes processos de magnetron sputtering / Deposition and characterization of CrN thin films deposited by different magnetron sputtering processes

O PVD (Physical Vapor Deposition- Deposição física na fase de vapor) é um meio utilizado para a produção de recobrimentos e empregado em grande escala industrial. É um processo de deposição atômica no qual o material é vaporizado de alvo sólido por sputtering e posteriormente condensado sobre a peça a ser revestida na forma de filme. O processo ocorre em uma câmara de vácuo, na presença de plasma, e por diferença de potencial os íons, na forma pura ou combinados com átomos de hidrogênio ou carbono, são movidos para a superfície do substrato. Uma técnica relativamente nova de sputtering é o HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) que utiliza impulsos de energia extremamente altas com densidade de potência possibilitando filmes com melhores performances e mais densos. No presente trabalho filmes de nitreto de cromo (CrN) foram depositados por duas técnicas de magnetron sputtering, HiPIMS e DCMS (Direct Current Magnetron Sputtering), variando frequência de pulso em 400 Hz, 450 Hz e 500 Hz para o HiPIMS e a tensão de polarização em 0 V, -20 V, -40V, -60V, - 100 V e -140 V para os dois processos. Foram obtidos filmes com maior dureza, menor rugosidade para HiPIMS, no entanto DCMS apresentou maior taxa de deposição. O aumento da frequência nos filmes HiPIMS, assim como o aumento da tensão de polarização negativa possibilitaram filmes com morfologia mais densa e homogênea. Este fato também foi observado com o aumento do valor de bias nos filmes depositados por DCMS. Os valores de dureza obtidos (17 ± 2 para DCMS e 26 ± 1 para HiPIMS) são superiores aos reportados na literatura e podem estar relacionados ao efeito de \"multicamadas\" obtido pela oscilação do substrato. / PVD (Physical Vapor Deposition) is a process used for coatings deposition and it is used on a large industrial scale. It is an atomic deposition process in which the material is vaporized from solid target by sputtering and then condensed onto the part to be coated in film form. The process occurs in a vacuum chamber in the presence of plasma, and by potential difference the ions in pure form or combined with hydrogen or carbon atoms are moved to the surface of the substrate. A relatively new sputtering technique is the HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) which uses extremely high energy pulses with power density to enable higher performance and denser films. In the present work, chromium nitride (CrN) films were deposited by two magnetron sputtering techniques, HiPIMS and DCMS (Direct Current Magnetron Sputtering), varying the pulse frequency at 400 Hz, 450 Hz and 500 Hz for the HiPIMS and the bias at 0 V, -20 V, -40 V, -60 V, -100 V and -140 V for both processes. It was obtained films with high hardness, less roughness for HiPIMS, however DCMS presented a higher rate of deposition. The increase of the frequency in the HiPIMS films, as well as the increase of the negative polarization voltage, allowed films with denser and homogeneous morphology. This fact was also observed with the increase of the value in the films deposited by DCMS. The hardness values obtained (17 ± 2 for DCMS and 26 ± 1 for HiPIMS) were higher than those reported in the literature and may be related to the \"multilayer\" effect obtained by substrate oscillation.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:teses.usp.br:tde-17112017-104317
Date03 July 2017
CreatorsMonica Costa Rodrigues Guimarães
ContributorsHaroldo Cavalcanti Pinto, Fernando Alvarez, Roberto Martins de Souza
PublisherUniversidade de São Paulo, Ciência e Engenharia de Materiais, USP, BR
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP, instname:Universidade de São Paulo, instacron:USP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

Page generated in 0.0023 seconds