Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura

Description

Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T07:56:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

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1. PRINCE, Francisco Carlos de. Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura. 1977. 1v. (varias paginações). Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278434>. Acesso em: 16 jul. 2018.
2. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434

Tags

Lasers semicondutores

Lasers em física

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/278434
Date	15 July 1977
Creators	Prince, Francisco Carlos de, 1954-
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Patel, Navin Bhailalbhai, 1942-, Patel, Navin B.
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format	1v. (varias paginações) : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess