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Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor

Morosini, Antonio Carlos 15 July 1975 (has links)
Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T16:40:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morosini_AntonioCarlos_M.pdf: 1521595 bytes, checksum: dc4511bfa7f2987c0ae371d79ffdee10 (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Weinketz, Sieghard 04 January 1989 (has links)
Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:36:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Weinketz_Sieghard_M.pdf: 685953 bytes, checksum: e7aac6db9525dc68d0b1662a640d22d4 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm. Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação

Bossi, Reusi Ines 15 July 1977 (has links)
Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:03:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bossi_ReusiInes_M.pdf: 1547817 bytes, checksum: 3037277822b87e26258865b947cc8e79 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs

Nunes Junior, Alcides da Silva 25 April 1989 (has links)
Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:52:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NunesJunior_AlcidesdaSilva_M.pdf: 1525159 bytes, checksum: 1963a882ab31da54d36a40e9a36b81db (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Utilizamos a caracterização eletro-óptica em lasers do tipo Poço Quântico Simples, com camada ativa de 150Þ e contato de faixa de 4,0 mm de largura, pudemos comprovar várias teorias publicadas alem de observar novas características como o leisamento desde dois níveis de energia diferentes sendo que para o nível mais baixo a corrente limiar é mais alta do que para o nível de energia superior. Este fato se deve às altas perdas do dispositivo. Temos também a emissão laser com longos atrasos quando se opera sob regime pulsado e a análise de emissão dentro destes pulsos nos mostra que no início do pulso, para correntes não muito altas, temos leisamento desde o segundo nível com o guiamento feito através do ganho óptico enquanto que no final do pulso, ou para correntes mais altas, ocorre o leisamento desde o primeiro nível com o guiamento devido a mudança de comportamento do índice de refração do material. Outro fato que nos chamou a atenção foi a ocorrência de pulsos de luz bastante curtos (Q ¿ Switching) no final do pulso de corrente aplicado, quando o laser tem a camada ativa menor que 100Þ e o contato de faixa mais estreito que 5,0 mm / Abstract: In this work the electro-optical characterization techniques were used in order to understand the anomalous emission behavior observed for Single Quantum Well lasers with active region thinner than 150Þ and 4.O mm stripe width. We observed lone delay time laser emission involving the first and second energy levels of the Quantum Well and an unexpected lower threshold current for the higher energy mode. This is shown to be due to the high internal device losses. We showed also, that depending on current, and in the case of normal delay time observed for the higher energy mode, the light confinement is provided by gain guiding mechanism. For the lower energy mode which shows only abnormally lone delays, the guiding mechanism is showed to be due to a thermally induced real index waveguide. Q - Switching effect was also observed for lasers with active region thinner than 100Þ and less than 5.0 mm stripe width / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução

Catalani, Fernando 28 January 1997 (has links)
Orientador: Daniel Pereira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-22T02:32:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Catalani_Fernando_M.pdf: 1904329 bytes, checksum: 14fb567f6ae3f1854f1f428a98f4dcba (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Nas últimas décadas os lasers de diodo têm se tornado os mais importantes em termos econômicos. É crescente a sua aplicação em diversas áreas da física e da tecnologia, decorrente do seu baixo custo, confiabilidade, durabilidade e facilidade de integração em circuitos optoeletrônicos. Com o desenvolvimento de novas técnicas de estreitamento de linha e ampla faixa de sintonização, estes lasers vêm substituindo outros lasers mais caros, como os lasers de corante, em áreas da física como espectroscopia de alta resolução, resfriamento e aprisionamento de átomos e etc. Diversos átomos de interesse metrológico têm transições na região de freqüência coberta pelos lasers de diodo, como por exemplo, o Rubídio e o Césio. Fazendo parte desta tendência mundial, caracterizamos um laser de diodo comercial Sharp em uma cavidade que permite a operação entre temperaturas da ordem de 240 K à temperatura ambiente. A região de freqüência deste laser é centrada em torno de 780 nm, com potência da ordem de 30 mW e corrente de operação de cerca de 75 mA. Realizamos, em primeiro lugar, a caracterização deste sistema em potência e corrente de limiar. Em seguida a caracterização em comprimento de onda, utilizando um l-meter. Medimos a dependência do comprimento de onda do laser em termos da corrente e temperatura e as taxas de variação de l com I e T. Medimos, também, a sua largura de linha (em torno de 50 MHz). Realizamos espectros da molécula de iodo com esse sistema laser, para tanto tivemos de construir um forno de manta de quartzo, afim de aquecermos a célula de iodo e obtermos medidas de melhor razão sinal-ruído. Em seguida, acoplamos este sistema à uma grade de difração, constituindo assim um laser em cavidade externa em configuração Littrow. Caracterizamos, então a largura de linha do laser em cavidade externa, observando a redução desta devida à realimentação óptica. Medimos uma largura de linha de aproximadamente 12 MHz, contudo devemos estar limitados pela finesse do Fabry-Perot, na realidade, valores em torno de 1 MHz devem ser mais realistas. Realizamos, novamente, espectros do iodo com o laser em cavidade externa na mesma região dos espectros anteriores, verificando a melhor qualidade espectral do laser com cavidade estendida / Abstract: In the last decade the diode lasers became the most important in economics. The use of diode lasers in Physics and Technology has expanded rapidly. This has occurred because their low cost, reliability , durability and possibility of integrating with electronic components to form integrated optoeletronic circuits. The development of novel techniques to control and narrow their spectral outputs and large wavelength coverage make diode lasers an alternative to other lasers more expensive in many experiments of atomic physics as high resolution spectroscopy, cooling and trapping atoms. Many atoms of metrological interest have transitions in the frequency region covered by diode lasers as rubidium and cesium. We characterize one diode laser Sharp LT 024 in a cavity allowing an operation in temperatures between 240 K to room temperature. This laser operate in 780 nm region, 30 mW of power and operating current 75 mA. First we did the characterization in power and threshold current. Following the characterization in wavelength, using a l-meter. We measured the tuning range in function of temperature and current and their line width (50 MHz) .We present some spectra of molecular iodine and to this purpose we made a oven to heat the iodine cell to get better signal noise ratio measures. To narrow the laser output we put the laser in an external cavity using a grating in Littrow configuration. Then, we measured the laser in external cavity line width and obtained the spectral narrowing by optical feedback. Again we present some spectra of iodine with the laser in external cavity in the same region of the first / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica

Dacal, Luis Carlos Ogando 20 December 1996 (has links)
Orientador: Antonio Manoel Mansanares / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-22T19:41:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dacal_LuisCarlosOgando_M.pdf: 5585941 bytes, checksum: d6deb34aa06dc25b2f27b1aab5382399 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho foram investigados, através da Microscopia Fototérmica de Reflexão, diodo-lasers de potência fabricados pelo CPqD ( Telebrás ) e usados em telecomunicações. Trata-se de lasers com substrato de GaAs, poço quântico de InGaAs ( pico de emissão em 980 nm ), camadas confinantes de GaAlAs e GaInP. A estrutura fisica é do tipo "ridge". Os lasers foram tratados com camada anti-refletora ( AR ) na face frontal e reflexão máxima ( Rmax ) na face traseira, montados com lado p para cima ou para baixo ( substrato ). A distribuição de temperatura na face dos lasers, e sobre o seu contato elétrico ( sobre o "ridge" ) no caso de serem montados com o lado p para cima, foi detenninada. No último caso, as medidas foram feitas nas proximidades do espelho e no meio da cavidade. Os resultados experimentais evidenciam o maior aquecimento do espelho. A partir destes resultados e do cálculo da temperatura para a geometria do problema, foi estabelecida a relação entre as perdas no volume e as de superfície para estes lasers. A partir dos cálculos também foi possível concluir que a camada de alumina ( AR na face de saída ) não influencia significativamente a distribuição de temperatura. Por outro lado, os resultados experimentais obtidos na face do laser mostram a importância das camadas de confinamento de luz no aquecimento da região ativa. Medidas feitas sob as mesmas condições de corrente injetada, mas sob diferentes níveis de potência de saída mostram nitidamente a influência da luz no processo de aquecimento. A absorbância da superficie do dispositivo foi determinada, mostrando-se muito superior àquela da camada de alumina, indicando que se trata de aquecimento por absorção de luz na superficie do cristal / Abstract: In this work the Photothermal Reflectance Microscopy was used to investigate telecommunication laser-diodes produced by CPqD-Telebrás. These lasers are InGaAs SQW lasers operating at 980 nm, with GaAlAs or GaInP cladding layers, based on GaAs substrate, and using a ridge waveguiding structure. The laser facets were coated with l/4 Al2O3 and l/4 Al2O3/Si layers to provide anti-reflection and maximum reflection mirrors ( front and rear facet, respectively ). The devices were soldered junction-side up or junction-side down on the heat sink. The temperature distribution was determined on the laser facet, as well as on the electric contact ( on the ridge ) in the case of junction-side up soldered devices. In the last case, measurements were made both near the facet and in the middle of the cavity .Experimental results show a higher temperature distribution near the facet. Comparing these results with the calculated temperature for the specific geometry allows to establish the relationship between the bulk and surface losses. From the calculated temperature we conclude also that the Al2O3 layer does not play a significant role in the temperature distribution. On the other hand, experimental results obtained on the facet show the important role of the cladding layers on the laser temperature. Measurements performed under the same injection current level, but under different output power levels, show clearly the influence of the laser light in the heating process of the device. The surface absorbency was found to be much higher than that of Al2O3, indicating that the main heating mechanism is the surface crystal absorption of the emitted laser light / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores

Frateschi, Newton Cesário, 1962- 29 October 1986 (has links)
Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:59:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Frateschi_NewtonCesario_M.pdf: 1206138 bytes, checksum: 88ef3051795405029cd22e1d9b8e5040 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o ganho modal num laser de heteroestrutura dupla, com perfil de índice de refração do tipo sech2, comparando os resultados com aqueles obtidos pelo "método do índice de refração efetivo". Testamos a teoria para aplicação a guias dielétricos cilíndricos, e portanto a fibras ópticas. Aplicamos a teoria no cálculo da corrente de limiar no laser "inverted gain profile" como função da energia do foton da emissão e da largura da região ativa. Discutimos soluções particulares para as equações elíticas que surgem na teoria de perturbação. Por último, baseado em resultados experimentais e nos estudos teóricos feitos neste trabalho sobre o laser "inverted gain profile" propomos um projeto de integração monolítica destes lasers num "laser-array", discutindo as características esperadas do seu funcionamento / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo de fenômenos ultra-rápidos

Miranda, Rubens da Silva 13 June 1989 (has links)
Orientadores: Marco Antonio Fiori Scarparo, Carlos Henrique Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T05:08:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Miranda_RubensdaSilva_D.pdf: 5194284 bytes, checksum: c4262fc2b53c3184a7795d034e6d2135 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: No presente trabalho, o processo de geração de pulsos laser ultra-curtos em uma cavidade do tipo "colliding pulse mode-locked" foi estudado. Um modelo foi desenvolvido para explicar como uma varredura de frequência é gerada no pulso durante a propagação deste em um absorvedor saturável. Utilizando-se este laser, o tempo de termalização de portadores quentes em um filme de CdSe eletrodepositado foi medido através da técnica de excitação e prova. O tempo medido variou de 300 fs a 1.5 ps para uma correspondente variação da densidade de portadores injetados de 6 x 1016 cm -3 a 4.7 x 1018 com -3. Para explicar os dados experimentais, um modelo foi proposto. Esse modelo inclui os efeitos de "screening" da interação coulombiana e de alargamento da linha de distribuição espectral dos elétrons, que aumenta com a taxa de espalhamento portador-portador / Abstract: In this work process of ultrashort light pulses generation from a colliding pulse modelocked laser was studied. A model was developed wick explains how a frequency sweep is generated in the pulse on propagation through the saturable absorber. Using this laser, the hot carrier thermalization time in a electrodeposited CdSe film was measured in a pump and probe experiment as well. This time was found to vary from 300 fs to 1.5 ps as the density of injected carriers increased from 6 x 1016 cm-3 to 4,7 x 1018cm-3. To describe our data a model was proposed. This model includes sreening of the Coulomb interaction and line broadening of the spectral distribution of electrons which increases with the carrier-carrier scattering rate / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Estudo da solda de lasers de semicondutor

Mecchi Neto, Francisco 15 July 2018 (has links)
Orientadores: Navin B. Patel, Antonio Celso Fonseca de Arruda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia / Made available in DSpace on 2018-07-15T13:04:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MecchiNeto_Francisco_M.pdf: 2289084 bytes, checksum: 1f45507710aa3adc5cb8e9f4668e71a0 (MD5) Previous issue date: 1989 / Mestrado
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Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Rosa, Celso Pereira Tome 29 August 1985 (has links)
Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T12:57:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rosa_CelsoPereiraTome_M.pdf: 2328432 bytes, checksum: 97fbc771e54df632562fe63d9c6ca50f (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma correlação entre os dados experimentais, obtidos para a variação da corrente limiar com aumento da pressão uniaxial dos lasers de InGaAsP, e a teoria desenvolvida por Patel e outros para os lasers de GaAs. Previa-se, teoricamente, um aumento da corrente limiar com a pressão, o que foi observado para 80% dos lasers testados; para os 20% restantes observamos uma redução da corrente limiar. Acreditamos que tal redução possa ser explicada supondo-se a presença do mecanismo de recombinação não radiativo (efeito Auger) nestes lasers. Acreditamos também, que anão homogeneidade observada nos resultados é devida a um desajustamento nos parâmetros de rede das camadas. Na segunda parte, fazemos um estudo sobre o guiamento da luz em laser de poço quântico de GaAlAs, analisando-se o guia de ondas nas direções transversal e paralela a camada ativa. Observamos experimentalmente um atraso na emissão estimulada. Este atraso é função da corrente de injeção e pode ser explicado supondo-se a existência de um guia de ondas induzido pelo efeito da temperatura. Uma comparação entre os resultados experimentais e teóricos para o laser de SCH-QW de GaAlAs de espessura da camada ativa de 200Þ apresenta boa concordância. Além do estudo da evolução do ganho com o tempo, observamos experimentalmente que a aplicação de pressão uniaxial causa um aumento no atraso da emissão estimulada. Este aumento no atraso é devido a uma redução do ganho modal. Uma relação empírica que mostra a evolução do ganho modal com a pressão uniaxial é proposta / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

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