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Study on Defects in SiC MOS Structures and Mobility-Limiting Factors of MOSFETs / SiC MOS構造における欠陥およびMOSFETの移動度支配要因に関する研究

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第21110号 / 工博第4474号 / 新制||工||1695(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 教授 白石 誠司 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/232043
Date26 March 2018
CreatorsKobayashi, Takuma
Contributors木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 白石, 誠司, 小林, 拓真, コバヤシ, タクマ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により本文は2019-03-01に公開→学位規則第9条第2項により要約公開に切り替え(2019/02/07)→許諾条件により本文は2021-03-01に公開(2020/07/31), 許諾条件により要約は2019-03-01に公開

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