Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Magnetic tunnel junctions (MTJ) ofCoFeB=MgO=CoFeB and multilayers of (CoFeB=MgO)x3 were produced using the technique of magnetron sputtering, where the insulating film was grown in an atmosphere reactive Ar +O. Multilayers were produced on measures of X-ray difraction and magnetization. Junctions for transport measurements. All curves IxV, nonlinear, were measured at room temperature, and adjustments made using the Simmons model for symmetric barrier. Adjustments were made firt for the positive voltages and then to negative voltages, where the height and thickness of the barrier and the effective area of tunneling was always considered free parameters. Since the effective area of tunneling, much smaller than
the area produced during deposition,thus indicating the existence of points where the current tunneling through the barrier,due to fluctuations in the thickness of the insulation. The post was seen exponential growth of the resistance multiplied by the effective area of tunneling as
a function of thickness, using only the values calculated from the simulation curves IxV. We also observed the curve of conductance versus voltage, for the investigation of oxidation or not the interface between electrode and barrier, showing that almost 100% of samples of the tunnel
junctions was low oxidation of the electrode (positive). / Junções túnel magnéticas (MTJ) deCoFeB=MgO=CoFeB e multicamadas deCoFeB=MgO)x3 foram produzidas utilizando a técnica de magnetron sputtering, onde o filme isolante foi crescido em atmosfera reativas, Ar+O. As multicamadas foram produzidas visando medidas de difração de raio-X (XRD) e magnetização. As junções, para medidas de transporte. Todas as curvas IxV, não lineares, foram medidas a temperatura ambiente, e os ajustes realizados utilizando o modelo
de Simmons para barreira simétrica. Os ajustes foram realizados primeiro para as tensões positivas e depois para tensões negativas, onde a altura e a espessura da barreira, e a área efetiva de tunelamento foram considerados parâmetros livres sempre. Sendo a área efetiva de tunelamento, muito menor, do que a área produzida durante a deposição, indicando assim a existência de pontos onde a corrente de tunelamento atravessa a barreira, devido a flutuações na espessura do isolante. A posteriori foi verificado o crescimento exponencial da resistência multiplicada
pela área efetiva de tunelamento em função da espessura, utilizando somente valores calculados através das simulações das curvas IxV. Também foi verificada a curva de condutância
versus a tensão, para a investigação da oxidação ou não da interfase entre eletrodo e barreira, mostrando que quase 100% das amostras das junções túnel ocorreu oxidação do eletrodo de baixo (positivo).
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsm.br:1/9213 |
| Date | 25 February 2011 |
| Creators | Pace, Rafael Domingues Della |
| Contributors | Dorneles, Lucio Strazzabosco, Pereira, Luis Gustavo, Zimmer, Fábio Mallmann |
| Publisher | Universidade Federal de Santa Maria, Programa de Pós-Graduação em Física, UFSM, BR, Física |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSM, instname:Universidade Federal de Santa Maria, instacron:UFSM |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | 100500000006, 400, 500, 500, 300, 500, e5de4f50-b352-48fb-a699-ffab7b7d8f1d, 6900e0c4-9fae-4d5d-baa7-165aaeb44c56, fc8dd103-77ba-41d7-bb3d-8972cad53654, fc60b965-3894-4d02-9c1a-f5e23d827582 |
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