Orientador: Marco Antonio Robert Alves / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação / Made available in DSpace on 2018-08-05T19:44:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Porto_LesnirFerreira_M.pdf: 4190794 bytes, checksum: 1dec9fdc0b3dd1bffb34d78bccf2648b (MD5)
Previous issue date: 2005 / Resumo: Este trabalho de mestrado teve como objetivos a fabricação e o estudo do comportamento elétrico das ponteiras de silício de emissão de campo a vácuo (PECV) recobertas com filme fino de carbono tipo diamante (DLC). Apresentamos o processo de fabricação das ponteiras de silício que é realizado através das etapas de fotolitografia, corrosão por íon reativo no plasma de SF6 (hexafluoreto de enxofre), oxidação térmica seca para afinamento, e deposição do filme DLC por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Mostramos os resultados obtidos da caracterização elétrica das ponteiras sem o filme e com o filme DLC, através do levantamento das curvas características I x V (corrente x tensão) e I x t (corrente x tempo). Verificamos que as curvas I x V obedeceram ao modelo de emissão de elétrons de Fowler-Nordheim. Comparamos estes resultados a fim de avaliarmos as mudanças na tensão de limiar, corrente emitida, e estabilidade de emissão. Neste estudo fabricamos PECV recobertas por filme DLC com espessura de aproximadamente 170 Å / Abstract: The objectives of this dissertation were the fabrication of silicon field emitter tips coated with diamond like carbon (DLC) thin films, and the study of its electrical behavior. We present the fabrication process of silicon tips that consists on four stages: photolithography, reactive ion etching SF6 plasma, thermal oxidation for sharpening, and the DLC deposition by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). We show results obtained from the electrical characterization of tips without film and tips with DLC, by the characteristics curves I x V (current x voltage) and I x t (current x time). Current-voltage measurements followed a Fowler-Nordheim electron emission behavior. We compare these results to evaluate the change of the threshold voltage, emitted current, and emission stability, as a function of the coating with the film. In this study we fabricated silicon tips coated with DLC film with thickness of approximately 170 Å / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/258906 |
| Date | 20 December 2005 |
| Creators | Porto, Lesnir Ferreira |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Alves, Marco Antonio Robert, 1964-, Braga, Edmundo da Silva, Takeuti, Douglas de Freits |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 107p. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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