Orientador: Eliermes Arraes de Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T03:33:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Soares_AlvaroGuedes_M.pdf: 2600051 bytes, checksum: 04a77552710cb527d0225086304e53af (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: O objetivo básico deste trabalho foi a implantação de técnicas de magneto-transporte em heteroestruturas semicondutoras que apresentam gás de elétron bidimensional (2-DEG), particularmente, o Efeito Shubnikov-de Haas (SdH) e Efeito Hall Quântico (QHE). Neste sentido foi realizada a recuperação de uma bobina supercondutora (criostato e sistema de controle) que permite medidas em campo magnético de até 14 Tesla. Medidas de oscilações Shubnikov-de Haas e Efeito Hall Quântico foram feitas em heterojunções simples de GaAs/AlxGa1-xAs e em uma heteroestrutura de GaAs/AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs. Os resultados destas medidas estão de acordo com as previsões teóricas e, a partir delas, foi comprovado o caráter bidimensional do gás, bem como, foi extraída a densidade eletrôI1Íca do mesmo / Abstract: The basic purpose of this work has been the implementation of magnetic-transport technics on semiconductor heterostructures that present two-dimensional electron gas (2-DEG), particularly, the Effect Shubnikov-de Haas (SdH) and the Quantum Hall Effect (QHE). This purpose, was accomplished through the recuperation of a superconductor magnetic coil (cryostat and control system) that makes it possible to measure with magnetic fields until 14 Tesla. Shubnikov-de Haas and Quantum Hall Effect measurements has been made in heterojunction samples of GaAs/AlxGa1-xAs and in a GaAs/AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs heterostruture. The results are in good agreement with theoretical models. They are evidence of the two-dimensional character of the electron gas, and from them we could obtain its electronic density / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T06:06:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bassi_AlmaAidaGarciade_M.pdf: 1566192 bytes, checksum: 5f933b8d20f3ee66f288e42b2b9e9a5c (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Estudamos a constante dielétrica e o coeficiente de absorção do gás de elétrons em cujo estado fundamental se desenvolve uma onda estática de carga. Aplicamos ao caso de metais do tipo alcalino. Uma contribuição adicional ao coeficiente de absorção2 foi encontrada, e mostra-se na forma de uma banda que antecede e se extende até o nascedouro da contribuição interbanda. Não obstante, esta contribuição resulta ser um par de ordens de grandeza menor que a usual interbanda, e só uma muito alta resolução experimental seria capaz de evidenciá-la / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marco Antonio Robert Alves / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-10T11:56:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Faria_PedroHenriqueLibrelonde_M.pdf: 1862796 bytes, checksum: 14125f2154ddd1e1590e9c04b5149128 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Neste trabalho realizamos uma contribuição ao estudo do processo de fabricação de microponteiras de Si ultra-finas, utilizando o processo de afinamento por oxidação térmica. Fabricamos as microponteiras de silício e submetemos as mesmas a sucessivas etapas de oxidação e remoção do óxido para obtenção de microponteiras de Si ultra-finas. Utilizamos um microscópio eletrônico (SEM ¿ Scaning Electronic Microscopy) para investigação da redução gradativa do diâmetro da ponta após cada etapa de oxidação. Para caracterização do processo, foram fabricadas microponteiras com diâmetro médio de ponta de 0,7um e após as etapas de afinamento por oxidação térmica foram obtidas microponteiras com diâmetro médio de ponta de 0,06 um. O diâmetro da ponta foi reduzido em 92 %, sem redução significativa da altura da microponteira, que se manteve em 4,5 um. A partir dos dados obtidos do processo de afinamento, caracterizamos as taxas de oxidação da ponta das microponteiras em função do diâmetro da ponta. Verificamos que, conforme proposto pelo modelo de Kao et al., a taxa de oxidação na ponta da microponteira é inferior à taxa de oxidação em uma superfície planar de Si e se reduz à medida que o diâmetro da ponta diminui. Finalmente, caracterizamos eletricamente um array de microponteiras através do levantamento das curvas características I-V (corrente-tensão) e I-t (corrente-tempo). Calculamos os parâmetros de emissão de Fowler-Nordheim, verificamos a característica de histerese na emissão por campo e analisamos a característica de estabilidade de corrente de emissão em curto prazo / Abstract: In this work, we present a contribution to the study of ultra-sharp silicon microtips fabrication process using oxidation sharpening technique. The silicon microtips were fabricated and submitted to repeated oxidation steps and oxide strip to achieve ultra-sharp tips. SEM (Scaning Electronic Microscopy) investigation were performed to observe the gradual tip diameter reduction after each oxidation step. Before the oxidation sharpening process, the silicon microtips array had initially a tip diameter of 0,7 um, and after the process the tip diameter was found in 0,06 um. The tip diameter was reduced in 92 % without any significant reduction of its height, which was kept in 4,5 um. The oxidation rate was characterized as a function of the tip diameter. The results obtained are in agreement with the model proposed by Kao et al., which states that the oxidation rate is reduced as the tip diameter become smaller. We also observed that the oxidation rates in the tips are lower than oxidation rate in flat surface of silicon. Finally, we performed the electrical characterization of the silicon microtips. We calculate the FN emission parameters and analyzed the short term stability characteristics / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Marco Antonio Robert Alves / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-16T13:49:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Danieli_CarlosLucianoDe_M.pdf: 1990598 bytes, checksum: 6745c93234cd7c2b42245ced236075ec (MD5) Previous issue date: 2010 / Resumo: Este trabalho de mestrado utilizou várias técnicas convencionais de microfabricação desenvolvidas nas indústrias de semicondutores e teve como objetivo fabricar microponteiras de silício com melhorias nas características geométricas e morfológicas, ou seja, microponteiras altas e com pequenos cones de abertura, relacionados ao aumento do fator de emissão de campo (?) e redução da rugosidade da superfície, relacionado à função trabalho do material (?), utilizando máscaras de DLC e plasma de SF6/O2 e SF6 puro. Além disso, este trabalho investigou minuciosamente a origem, composição e distribuição da camada residual que apareceu no topo das microponteiras através da técnica de microanálise MEV/EDS, uma vez que a ocorrência de camadas residuais nas superfícies das microponteiras não tem sido reportada na literatura e que elas influenciam nas características da superfície das mesmas (substâncias adsorvidas e rugosidade) e do substrato. Com esta análise, foi possível verificar que o aparecimento da camada residual está relacionado ao mecanismo de corrosão do plasma de SF6/O2 que foi utilizado, pois se acredita que a camada residual encontrada trata-se da camada de passivação SiOxFy, que independe do material utilizado como máscara e que apresenta enxofre adsorvido em toda amostra. A técnica de AFM foi utilizada para se estudar em alta resolução os efeitos do plasma de SF6/O2 na morfologia da superfície do substrato. Com isso, foi possível verificar a existência de uma relação linear entre a rugosidade e tempo de corrosão, para as condições de processo utilizadas / Abstract: At this work, several conventional microfabrication techniques developed in the semiconductor industry were used and aimed to make silicon microtips with improved geometrical and morphological characteristics, ie taller microtips and the aperture cones of the tip smaller, related to increased emission factor field (?) and reduced surface roughness, related to the material work function (?), using DLC masks and plasma SF6/O2 and pure SF6. In addition, this study investigated in detail, the origin, composition and distribution of residual layer that have appeared at the top of microtips, using the technique of microanalysis by SEM/EDS, since the occurrence of residual layers on the surfaces of microtips have been not reported in the literature and their influence the surface characteristics of microtips (adsorbed substances and roughness) and the substrate. With this analysis, it was observed that the occurrence of the residual layer is related to the corrosion mechanism of plasma SF6/O2 used, because it is believed that the residual layer is found from the SiOxFy passivation layer, which is independent of mask material, and has sulfur adsorbed on all sample surface. The AFM technique was used to study with high resolution the effects of plasma SF6/O2 in the morphology of the substrate. Thus it was possible to verify the existence of a linear relationship between roughness and the corrosion time for the process conditions used / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-05T07:21:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Iannini_RobertoFonseca_M.pdf: 1222857 bytes, checksum: 41c44a25bef2f1656de6659dff1c5734 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: O progresso da pesquisa científica depende da qualidade e da disponibilidade de instrumentos confiáveis e de alta precisão, necessários para a exploração quantitativa de novos fenômenos, possibilitando a construção de modelos mais avançados e mais sofisticados. Um dos fenômenos que tem despertado grande interesse é a emissão de elétrons da superfície de catodos frios para o vácuo, sob a ação de campos elétricos externos. Para o estudo deste fenômeno, é necessária a medida de pequenas correntes em amostras que estão sob tensões elétricas relativamente altas. Nesta tese contribuímos com o projeto e construção de um medidor de corrente capaz de operar de maneira integrada à câmara de vácuo onde são analisadas as propriedades de emissão de nanotubos ou de materiais nanoestruturados. Foram desenvolvidos integralmente o hardware, firmware e software, com vistas à integração futura com outros instrumentos de controle e análise / Abstract: The progress of scientific research depends of the quality and availability of reliable and high precision instruments, which are necessary for measurement of new phenomena, making possible the construction of advanced and sophisticated models. One phenomenon that has being studied is the field emission of electrons from cold cathodes in vacuum, under external electrical field influence. In order to perform this study, it is necessary to measure small electrical currents with the surface sample under high voltage. In this thesis, we have contributed with the project and construction of a electric current meter able to operate in a vacuum chamber environment where the field emission properties of sample materials (nanotubes or nanostructures) are analyzed. Both hardware, firmware and software were developed looking forward to future integration of the measurement and control equipments / Mestrado / Instrumentação e Controle / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-06T07:59:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Amorim_MauroVanderleide_M.pdf: 4658675 bytes, checksum: 1d0d3ce62cb40cd86d00a29631b96508 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Foi desenvolvida uma câmara de vácuo para estudo das propriedades elétricas de emissão de elétrons por catodos frios de vários materiais de interesse tecnológico, por exemplo, diamante dopado, filmes de carbono diamantífero e silício. Na parte experimental realizamos um sistema de alto vácuo (bomba mecânica mais a bomba difusora), um sistema de posicionamento de 6 graus de liberdade e um sistema de medida da corrente de emissão de elétrons. A modelagem matemática da emissão foi baseada na teoria de Fowler ¿ Nordheim. Foram feitos os cálculos relativos às propriedades de vácuo do sistema utilizado e a seguir a caracterização de algumas amostras de estruturas nanométricas produzidas utilizando o processo de deposição química a partir da fase vapor do etanol (HFCVD) com altas concentrações de hélio e argônio / Abstract: A vacuum chamber was developed for study the physical properties of electron emission by cold cathodes of several materials of technological interest as for example, doped diamond, films of diamond-like carbon and silicon. In the experimental part we accomplished a system of high vacuum (mechanic and diffusion pumps), a positioning system of 6 degrees of freedom and a system to measure of the electron emission current. The mathematical modeling of the emission was based on the theory of Fowler - Nordheim. Relative calculation of the properties of vacuum in the used system was made to check the characterization of some samples of nanometric structures produced using the process of chemical deposition starting from the phase vapor of the ethanol (HFCVD) with high concentrations of helium and argon / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-11T10:03:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Roos_Mathias_M.pdf: 4816472 bytes, checksum: 51a357faa29ccbd01723b1d6ca5abf27 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Na primeira parte deste trabalho amostras de diamante poli-cristalino dopado com boro foram crescidas por deposição química a vapor assistida por filamento quente. As características de emissão de campo foram investigadas. A dopagem (NB) em amostras diferentes foi variada pelo controle da concentração B/C no fluxo de gases durante o processo de crescimento. Os campos limiares (Eth) para emissão de campo foram medidos e relacionados com as concentrações B/C usadas. Assim, a influência das bordas entre os grãos, a dopagem e a morfologia da superfície na emissão de campo foram investigadas. A saturação da dopagem foi observada para altas concentrações B/C. O transporte de cargas através das bordas entre os grãos e as propriedades locais de emissão na superfície foram modeladas por dois mecanismos que afetam a emissão de campo. Correntes de emissão de 500 nA·cm-2 foram obtidas para campos elétricos de 8 V·µm-1. Na segunda parte desta tese, a construção de um novo sistema de ultra alto vácuo (UHV) para realizar medições de emissão de campo é descrita. A construção inclui o projeto integral de uma câmara de UHV com sistema de bombas, conjunto de manipuladores, suportes mecânicos e a infraestrutura do laboratório / Abstract: In the first part of this thesis, the study of field emission properties of hot filament chemical vapor deposited boron doped polycrystalline diamond is described. The doping level (NB) of different samples was varied controlling the B/C concentration in the gas feed during the growth processes. The threshold field (Eth) for electron emission in dependence on different B/C concentrations was measured and the influence of grain boundaries, doping level and surface morphology on the field emission properties was investigated. For high B/C ratios doping saturation was observed. Carrier transport through conductive grains and local emission properties of surface sites figured out to be two independent limiting effects on field emission. Emitter currents of 500 nA·cm-2 were obtained using electric fields less than 8 V·µm-1. In the second part the construction of a new UHV system for field emission measurements is described, including the complete project of a UHV chamber with pump system, manipulators and sample transfer system, mechanical supports and the infrastructural requirements of the laboratory / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-21T02:41:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Iannini_RobertoFonseca_D.pdf: 3201679 bytes, checksum: cd82a05d0dedaa3ecc2f0ca77550b58d (MD5) Previous issue date: 2012 / Resumo: Foi projetado e desenvolvido um sistema de aquisição de dados e controle para viabilizar, de forma automatizada, a caracterização de emissividade eletrônica em catodos frios, por meio da utilização da câmara de ultra alto vácuo do Departamento de Semicondutores, Instrumentação e Fotônica - DSIF, da Faculdade de Engenharia Elétrica e Computação - FEEC/Unicamp. A instrumentação desenvolvida teve como motivação: i) aumentar a confiabilidade dos procedimentos de leitura da corrente de emissão de campo em amostras de materiais nanoestruturados produzidos no laboratório; ii) garantir a reprodutibilidade dos ensaios; iii) preservar a integridade das amostras; iv) eliminar fontes de erro existentes no processo de aquisição dos dados; v) prover uma família de curvas de forma automatizada, para cada posicionamento da amostra analisada. Os principais desafios encontrados durante os trabalhos relacionaram-se com a definição da topologia do circuito de entrada, da forma da isolação galvânica, interferências e tratamento dos dados adquiridos. Após a entrada em operação da instrumentação, foram também realizados ensaios para fins de validação da instrumentação desenvolvida e dos procedimentos adotados para sua operação / Abstract: A data acquisition and control system was designed and built in order to promote, in an automated fashion, the characterization of cold cathodes in the ultra high vacuum chamber of the DSIF, at the FEEC/Unicamp. The designed instrumentation was supposed to meet the following requirements: i) Enhance the accuracy of the field emission reading procedures for the nanostructured samples made in the same laboratory; ii) Ensure better repeatability of the tests; iii) Preserve the physical integrity of the samples; iv) Eliminate sources of error in the data acquisition process; v) Allow for automated establishment of a family of curves for each point of the sample material. The main challenges during this work were related to the circuit architecture, its input topology, galvanic isolation, interferences and data management. As the instrumentation started working, we have performed a series of tests for validation purposes, including the adopted operational proceedings / Doutorado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Fernando Alvarez / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-04T02:14:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DroppaJunior_Roosevelt_D.pdf: 3953569 bytes, checksum: 5a007bee5cd4c884e234f80f9cc54757 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: A proposta deste trabalho é sintetizar e caracterizar química e estruturalmente nanotubos e fulerenos contendo nitrogênio. A síntese tanto das amostras de nanotubos como das amostras de fulerenos foi feita pela técnica de arco elétrico em atmosferas contendo nitrogênio gasoso. A análise das amostras de nanotubos nitrogenados por microscopia eletrônica mostra que a concentração de nitrogênio gasoso durante a síntese influencia na incorporação de átomos desse elemento por estruturas de carbono que dão origem aos nanotubos. Estes, quando contêm átomos de nitrogênio na sua composição, têm forma de bambu, diferentemente dos nanotubos gerados na ausência de nitrogênio. Análises por Espectroscopia de Elétrons Fotoemitidos (XPS) indicam que amostras de nanotubos assim produzidas de fato contêm nitrogênio e que parte dos átomos desse elemento estão ligados substitucionalmente em redes grafíticas. Dados de Espectroscopia de Elétrons Inelasticamente Espalhados (EELS) mostram que os átomos de nitrogênio se concentram nas paredes dos nanotubos com forma de bambu e simulações computacionais mostram o papel do nitrogênio na formação dessas estruturas. Amostras de nanotubos nitrogenados também foram submetidas a análise por espectroscopia Raman. Ao mesmo tempo em que essas amostras foram irradiadas com laser de potências variadas, espectros Raman foram coletados fornecendo informações a respeito da ordem estrutural e da pureza relativa das amostras. Tais informações complementam de modo coerente os dados de microscopia eletrônica. Ainda em relação aos nanotubos, foram realizadas medidas de eletroemissão em um sistema com geometria de capacitor plano. Verificou-se que os nanotubos nitrogenados são tão bons emissores quanto aqueles de parede única (não-nitrogenados). Observou-se ainda que o nitrogênio influencia o comportamento do fator de estrutura dos nanotubos, no entanto, a razão disso ainda não está muito clara. Relativamente aos fulerenos, foram obtidos dados de espectrometria de massas que indicam a presença de fulerenos nitrogenados, ou nitrofulerenos, nas amostras sintetizadas em presença de nitrogênio. Suas massas moleculares estão em torno de 523 u.m.a.. Cálculos teóricos [ 30 ] indicam que é possível a existência de tais moléculas (cuja massa prevista é de 522 u.m.a.), já que possuem calor de formação comparável ao dos fulerenos C60. Dados de XPS confirmam a presença de nitrogênio também nessas amostras. A coerência dos resultados experimentais e teóricos sugere fortemente que estamos na direção certa na busca dos heterofulerenos / Abstract: This thesis work aims to synthesize and to characterize structural and chemically nanotubes and fullerenes containing nitrogen. Both nanotubes and fullerenes syntheses were performed using an arc-discharge system filled with gaseous mixtures of He e N2. Electron microscopy samples analysis shows that N2 concentration inside the arc-discharge chamber influences the nitrogen incorporation into the carbon structures that give rise to the nanotubes. Those ones containing N atoms in their composition have a bamboo-like aspect in contrast to those generated in absence of nitrogen gas. XPS analyses indicate that nanotube samples generated in N rich atmospheres in fact have nitrogen in their composition and part of N atoms are substitutionally bonded in graphitic sites. EELS data show that N atoms are preferentially bonded in the bamboo-like nanotubes and computational simulations show the role these N atoms play in the formation of these structures. Nitrogenated nanotube samples were also analyzed by Raman spectroscopy. As the samples were irradiated by the Raman laser at different powers, Raman spectra were collected. Such spectra gave information about the structural order and relative purity of the samples. This information coherently complements the electron microscopy data. It was also performed field emission measurements of the nitrogenated nanotube samples. It was verified that such structures are as good emitters as single wall nanotubes (non-nitrogenated ones). It was also observed that nitrogen influences the behavior of the nanotubes structure factor, however, it was not clear yet why this is so. Finally, it was obtained mass spectrometry data of the fullerenes samples. These data indicate the presence of nitrogenated fullerenes or "nitrofullerenes" in the samples generated in nitrogen rich atmosphere. Their molecular masses are around 523 a.m.u.. Theoretical calculations [ 30] also indicate that the existence of such molecules (whose molecular mass is 522 a.m.u.) is possible, since their heat of formation is comparable to that of the C 60fullerenes. XPS data also confirm that there is nitrogen in these samples. The coherence of the experimental as well as the theoretical results strongly suggests that our quest for the heterofullerenes is in the right direction / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Marco Antonio Robert Alves / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação / Made available in DSpace on 2018-08-05T19:44:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Porto_LesnirFerreira_M.pdf: 4190794 bytes, checksum: 1dec9fdc0b3dd1bffb34d78bccf2648b (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Este trabalho de mestrado teve como objetivos a fabricação e o estudo do comportamento elétrico das ponteiras de silício de emissão de campo a vácuo (PECV) recobertas com filme fino de carbono tipo diamante (DLC). Apresentamos o processo de fabricação das ponteiras de silício que é realizado através das etapas de fotolitografia, corrosão por íon reativo no plasma de SF6 (hexafluoreto de enxofre), oxidação térmica seca para afinamento, e deposição do filme DLC por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Mostramos os resultados obtidos da caracterização elétrica das ponteiras sem o filme e com o filme DLC, através do levantamento das curvas características I x V (corrente x tensão) e I x t (corrente x tempo). Verificamos que as curvas I x V obedeceram ao modelo de emissão de elétrons de Fowler-Nordheim. Comparamos estes resultados a fim de avaliarmos as mudanças na tensão de limiar, corrente emitida, e estabilidade de emissão. Neste estudo fabricamos PECV recobertas por filme DLC com espessura de aproximadamente 170 Å / Abstract: The objectives of this dissertation were the fabrication of silicon field emitter tips coated with diamond like carbon (DLC) thin films, and the study of its electrical behavior. We present the fabrication process of silicon tips that consists on four stages: photolithography, reactive ion etching SF6 plasma, thermal oxidation for sharpening, and the DLC deposition by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). We show results obtained from the electrical characterization of tips without film and tips with DLC, by the characteristics curves I x V (current x voltage) and I x t (current x time). Current-voltage measurements followed a Fowler-Nordheim electron emission behavior. We compare these results to evaluate the change of the threshold voltage, emitted current, and emission stability, as a function of the coating with the film. In this study we fabricated silicon tips coated with DLC film with thickness of approximately 170 Å / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica