Le travail exposé dans cette thèse cible les nouveaux matériaux susceptibles d'être intégrés dans les mémoires et les applications à base de transistors MOS. Il est divisé en trois chapitres principaux. Le premier chapitre traite des contraintes de fabrication des dispositifs. Nous abordons aussi l'état de l'art ainsi que les objectifs industriels à courte échéance. Ce premier chapitre est important pour donner au lecteur les bases technologiques pour comprendre pourquoi des investissements gigantesques sur ces matériaux sont consentis dans l'industrie microélectronique et la recherche associée. Le second chapitre traite des méthodes de dépôt et croissance des isolants étudiés dans cette thèse. De même nous décrivons au mieux les moyens de caractérisation pour analyser les propriétés physiques et électriques de ces diélectriques. Quelques exemples de matériaux analysés aideront le lecteur à comprendre facilement notre méthode d'investigation scientifique. Le dernier chapitre est une revue de mon travail publié dans des journaux scientifiques de renommée internationale ou d'exposés dans des conférences majeures. Ce chapitre 3 est sous-divisé en 3 sections. La première et deuxième traite de la compréhension des propriétés des silicates d'aluminium-lanthane et oxydes de terre rare obtenus par différentes méthodes de dépôt et recuit. Les résultats ajoutés aux résultats de l'art antérieur donnent un aperçu significatif de notre recherche d'un matériau candidat potentiel comme isolant high k. La dernière section est dédiée aux oxydes de titane et de silicates de titane.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00173693 |
| Date | 20 September 2006 |
| Creators | Busani, Tito |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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