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Elcio Kondo_.pdf: 2605139 bytes, checksum: bc6eb6e69a381723f69fbce90af22fab (MD5) / Made available in DSpace on 2017-05-25T12:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2017-01-11 / Nenhuma / Atualmente vários equipamentos eletrônicos são equipados com memórias NAND Flash para armazenar dados. Essas memórias são controladas através de um circuito integrado com um controlador de memória, que internamente possui um sistema para garantir a integridade das informações armazenadas, os quais são conhecidos por Error Correction Codes (ECC). Os ECCs são códigos capazes de detectar e corrigir erros através de bits redundantes adicionados à informação. Normalmente, os códigos ECC são implementados em hardware dentro do controlador de memória NAND Flash. Neste trabalho comparou-se alguns códigos de ECC utilizados pela indústria, para as comparações utilizou-se os códigos ECC: Hamming, BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) e Reed- Solomon. Sistematicamente realizou-se comparações entre os ECCs selecionados e escolheu-se os dois mais apropriados (BCH e Hamming), os quais foram implementados em linguagem VHDL, o que possibilitou identificar o código com melhor vantagem econômica no uso em memórias NAND Flash. / Nowadays several electronic equipment are using NAND Flash memories to store data. These memories are controlled by an integrated circuit with an memory controller embedded that internally has a system to ensure the integrity of the stored information, that are known as Error Correction Codes (ECC). The ECCs are codes that can detect and correct errors by redundant bits added to information. Usually the ECC codes are implemented on NAND Flash memory controller as a hardware block. On this text ECC codes used by industry, the Hamming code, BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) and Reed-solomon codes were compared.Systemically compare between selected ECCs were done and selected two codes (BCH and Hamming), which were described in VHDL language and allowed to identify the best code with better economical advantage for NAND Flash memories.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:www.repositorio.jesuita.org.br:UNISINOS/6296 |
| Date | 11 January 2017 |
| Creators | Kondo, Elcio |
| Contributors | http://lattes.cnpq.br/3524433143718420, Rhod, Eduardo Luis, Krug, Margrit Reni |
| Publisher | Universidade do Vale do Rio dos Sinos, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Unisinos, Brasil, Escola Politécnica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UNISINOS, instname:Universidade do Vale do Rio dos Sinos, instacron:UNISINOS |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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