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Supraconductivité induite dans le graphène dopé par des nanoparticules métalliques / Superconductvity in Graphene doped by metallic nanoparticles

Cette thèse présente une étude des propriétés de transport à basses températures de matériaux hybrides composés de nano-clusters de métaux supraconducteurs (Sn et Pb) auto-assemblés à la surface d'une feuille de graphène. L'auto-assemblage du métal réalise un réseau bi-dimensionnel désordonné de jonctions Josephson. La caractérisation des propriétés supraconductrices révèle une transition de type 'BKT' avec une température de transition dépendant de la morphologie de la surface. Les propriétés supraconductrices de ce système sont fortement influencées par la grille arrière, qui contrôle la résistance dans l'état normal du graphène. Le résultat le plus marquant de cette thèse a été obtenu en utilisant du graphène désordonné. La présence de défauts structuraux dans la maille de graphène induit un régime de localisation forte à basses températures. En faisant varier le voltage de grille, la résistance de tels échantillons peut varier de 3 ordres de grandeurs. Cette grande dynamique a été mise à contribution pour la réalisation d'une transition de phase supraconducteur-isolant dans des échantillons décorés à l'étain. L'étude de cette transition de phase quantique révèle un comportement de type percolatif et une résistivité universelle prédite par la théorie à la transition. Enfin, un travail préliminaire visant à réaliser des résonateurs mécaniques supraconducteurs à l'aide des ces matériaux hybrides est également présenté. / This thesis presents a study of the low temperature transport properties of hybrid materials made of superconducting metals (Sn and Pb) nano-clusters self-assembled onto the surface of a graphene sheet. The self-assembly realizes a two-dimensional disordered array of Josephson junctions. Characterization of the superconducting properties reveals a transition of the 'BKT' kind, with a transition temperature that depends on surface morphology. The superconducting properties are strongly affected by the gate voltage, which controls the normal state resistance of the graphene sheet. The main result of this thesis was obtained using disordered graphene. The presence of structural defects in the graphene lattice induces a regime of strong localization at low temperatures. Upon varying the gate voltage, the resistance of such samples can change by 3 orders of magnitude. Taking advantage of the large dynamics offered by the gate voltage, we have induced a superconductor-insulator transition in Sn-decorated samples. The study of that quantum phase transition reveals a percolating behavior near the threshold and the universal value of resistivity predicted by theory at the transition. Finally, a preliminary work aiming at using such an hybrid material to realize superconducting nano-electro-mechanical resonators is presented.

Identiferoai:union.ndltd.org:theses.fr/2012GRENY085
Date14 December 2012
CreatorsAllain, Adrien
ContributorsGrenoble, Bouchiat, Vincent
Source SetsDépôt national des thèses électroniques françaises
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypeElectronic Thesis or Dissertation, Text

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