Return to search

Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Orientador: Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-21T11:08:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Badan_TomasAntonioCosta_M.pdf: 3468204 bytes, checksum: b296ac27d36293d4db46ded926463198 (MD5)
Previous issue date: 1996 / Resumo: Este trabalho é uma contribuição ao desenvolvimento de transistores MESFETs em arseneto de gálio para uso em Circuito Integrados (CIs) de alta velocidade. Inicialmente são descritos processos de fabricação em arseneto de gálio: a obtenção de substratos monocristalinos, a implantação iônica, o recozimento para ativar os dopantes, a realização de contatos. É desenvolvido o modelo matemático que rege sua física do estado sólido, usado pelo programa PRISM. Os resultados obtidos com o programa de simulação de processos SUPREM-IV.GS foram fornecidos ao programa PRISM, que efetua uma análise do comportamento elétrico do MESFETs fabricados; esse procedimento foi realizado de forma iterativa, até serem obtidos parâmetros apropriados para a fabricação de transistores de enriquecimento e de depleção para CIs digitais / Abstract: This work is a contribution to the development of GaAs MESFETs transistors to use in high speed integrated circuits (CIs). Initially are described the GaAs manufacture processes: monocrystal substrate fabrication, ion implantation, thermal annealing to activate the implanted impurities, contact fabrications. It is developed the mathematical mo deI of the solid state physics used by the PRISM programo The results were first obtained with the SUPREM-IV.GS program that simulate the process and then passed to PRISM program that analyses the electrical behavior of MESFET devices; that procedure was done in an iterative way until the achievement of suitable parameters to the manufacture of both depletions and enhancement transistors to use in digital CIs / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261416
Date14 June 1996
CreatorsBadan, Tomás Antônio Costa
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Dimiani, Furio, Damiani, Furio, 1943-2016
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format89f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

Page generated in 0.0024 seconds