Study on Forming and Resistive Switching Phenomena in Tantalum Oxide for Analog Memory Devices / アナログメモリ素子応用に向けたタンタル酸化物におけるフォーミングおよび抵抗変化現象に関する研究

Description

付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 / 京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第24622号 / 工博第5128号 / 新制||工||1980(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 小林 圭 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/283741
2. 10.14989/doctor.k24622
3. 14301

Tags

resistive switching

analog memory devices

tantalum oxide

conductive filament

oxygen vacancy

Joule heating

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/283741
Date	23 March 2023
Creators	Miyatani, Toshiki
Contributors	宮谷, 俊輝, ミヤタニ, トシキ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Rights	許諾条件により本文は2024-03-01に公開