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Short Channel Effects and Mobility Improvement in SiC MOSFETs / SiC MOSFETにおける短チャネル効果と移動度向上に関する研究

付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 / 京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第23905号 / 工博第4992号 / 新制||工||1779(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 小林 圭 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/275227
Date23 March 2022
CreatorsTachiki, Keita
Contributors立木, 馨大, タチキ, ケイタ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Rights許諾条件により本文は2023-03-22に公開

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